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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

絕緣柵雙極管(igbt) 文章進入絕緣柵雙極管(igbt)技術社區(qū)

設計全數(shù)字IGBT后極高頻機的全過程

本機采用高性能單片機處理數(shù)據性能指標：1、功率800W可調。2、IGBT后級，適應性強。3、后極單...
關鍵字： IGBT 高頻機

EiceDRIVERTM 系列新品：1EDI Compact驅動器

2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達1200伏的應用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅動器。
關鍵字：英飛凌驅動器 IGBT MOSFET

探討逆變焊機IGBT炸管的原因及保護措施

限于對開關器件及主電路結構工作原理的理解及檢測手段的缺乏，大功率逆變焊機開關器件工作的可靠性是整機設計...
關鍵字：逆變焊機 IGBT

國產IGBT前景看好，但突破之路頗曲折

隨著IGBT技術的發(fā)展，IGBT已經從工業(yè)擴展到消費電子應用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導體器件；而在中國市場 ...
關鍵字：國產 IGBT

一種逆變H橋IGBT單管驅動以及工作保護方案

大家都知道，IGBT單管相當?shù)拇嗳?，同樣電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里...
關鍵字：逆變H橋 IGBT 單管驅動

針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的驅動器設計

引言對電能轉換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉換...
關鍵字： IGBT MOSFET

利用安森美IGBT實現(xiàn)高能效的高性能開關應用

今天，不論是用在工業(yè)領域還是民用產品的開關應用，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)都可以提供有效的解決方案，以實現(xiàn)最終產品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上，電子設計人員首選可以實現(xiàn)高能效的器件，而且要針對不同應用選擇合適的IGBT。
關鍵字：安森美 IGBT 太陽能逆變器電機驅動

功率MOSFET的由來及結構原理淺談

什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制...
關鍵字：功率MOSFET IGBT 二極管

淺析讓IGBT更快的技巧

IGBT關斷損耗大；拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問題由兩方面構成：1）IGBT的主導器件—GTR的基區(qū)儲...
關鍵字： IGBT 開關損耗

揭秘IGBT市場成長的動力來源

據市場研究機構Yole的最新報告，IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。IGBT將在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達驅動器(MotorDrive)、不斷電動力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應用是該市場的成長動力來源。
關鍵字： IGBT 晶圓馬達驅動器

IGBT在電力電子行業(yè)中占有重要地位

　　要實現(xiàn)“十一五”規(guī)劃中提出的“單位國內生產總值能源消耗比‘十五’期末降低20%左右”的目標，關鍵是要有效降低工業(yè)生產過程中那些大電流和高電壓應用的功耗，如交流電機控制、逆變器、繼電器、開關電源、變頻器、工業(yè)傳動裝置、機車與列車用電源以及供暖系統(tǒng)傳動裝置等工業(yè)自動化應用的能耗。　　所有這些交流控制應用都需要能夠產生大電流和高電壓的核心功率器件，作為新型電力電子器件的代表，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)越來越受到業(yè)界的重視。
關鍵字： IGBT 電力電子

對IGBT驅動的理解

IGBT器件如何開通和關閉，速度是快是慢，其實到如今為止，并沒有一個明確結論，最終取決實際應用環(huán)境。一、...
關鍵字： IGBT驅動 IGBT

IGBT模塊應用指南

IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor），它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新...
關鍵字： IGBT

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

飛兆半導體公司(紐約證券交易所代號： FCS)，全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設計和模擬工具，可在一分鐘內提供完整的設計–進一步強化，引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
關鍵字：飛兆 MOSFET IGBT 整流器

大功率IGBT模塊PCB抄板及芯片解密研究

　　據悉，我國大功率IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊產品實現(xiàn)國產化啦!這不僅打破了我國在高端IGBT模塊長期依賴進口的局面，而且還是國內第一個反向創(chuàng)新基礎上真正具有完全自主知識產權的高壓大功率電力電子核心器件。為了發(fā)展我國的IGBT模塊，深圳聯(lián)邦科技反向技術研究中心早就實施在國際尖端科技攻關成果的基礎上，進行了系列化IGBT模塊PCB抄板及板上芯片解密研究，并在吸收了國內外同類產品技術優(yōu)點的基礎上反向創(chuàng)新設計，二次開發(fā)升級產品。　　IGBT模塊重要應用及項目微創(chuàng)新　　IGBT作為自動控制和功率變
關鍵字： IGBT PCB

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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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絕緣柵雙極管(igbt)電路

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