聯(lián)電 文章 進(jìn)入聯(lián)電技術(shù)社區(qū)
聯(lián)電Q3營收季增4.7% 世界季增4.36% 皆優(yōu)預(yù)期
- 聯(lián)電、世界9日公告9月業(yè)績數(shù)據(jù),隨出貨減少、客戶庫存調(diào)整等,聯(lián)電單月營收減1.34%、世界減5%,但二者單季營收分別季增4.7%、4.36%皆優(yōu)預(yù)期。 聯(lián)電公布內(nèi)部自行結(jié)算9月合并營收為新臺幣108.51億元,月減1.34%,但較去年同期仍增加14.68%。 世界先進(jìn)公布9月營收17.84億元,受晶圓出貨量下滑,月減少5.32%,為近5個月以來低點,但年增21.74%。 另一方面,二者單季營收表現(xiàn)優(yōu)于原先預(yù)期,累計聯(lián)電第3季合并營收344.06億元,隨Wi-Fi與特殊制程應(yīng)用需求支撐
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 晶圓
聯(lián)電:28nm年底占1%至3%
- 晶圓代工廠聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成,獲聯(lián)發(fā)科擴(kuò)大下單。聯(lián)電對此不評論,表示28奈米進(jìn)展如預(yù)期,今年底將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績。 聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下,股價表現(xiàn)強勁,今天盤中一度達(dá)新臺幣13.35元,上漲0.75元,漲幅達(dá)5.95%,并創(chuàng)1個多月來新高價。 聯(lián)電表示,不評論市場傳言,28nm制程進(jìn)展符合預(yù)期。 聯(lián)電執(zhí)行長顏博文于8月法人說明會中即曾預(yù)期,今年底28奈米制程將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績;40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準(zhǔn)
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 28nm
聯(lián)電:28nm年底占1%至3%
- 晶圓代工廠聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成,獲聯(lián)發(fā)科擴(kuò)大下單。聯(lián)電對此不評論,表示28奈米進(jìn)展如預(yù)期,今年底將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績。 聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下,股價表現(xiàn)強勁,今天盤中一度達(dá)新臺幣13.35元,上漲0.75元,漲幅達(dá)5.95%,并創(chuàng)1個多月來新高價。 聯(lián)電表示,不評論市場傳言,28nm制程進(jìn)展符合預(yù)期。 聯(lián)電執(zhí)行長顏博文于8月法人說明會中即曾預(yù)期,今年底28奈米制程將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績;40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準(zhǔn)。
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 28nm
聯(lián)電重申28nm貢獻(xiàn)比 內(nèi)外資高低目標(biāo)價差達(dá)8元
- 聯(lián)電24日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻(xiàn)目標(biāo)為個位數(shù)百分比。對聯(lián)電,外資未有調(diào)高目標(biāo)價的報告,而內(nèi)資法人出具的最新報告則從中立轉(zhuǎn)買進(jìn)、喊出調(diào)高目標(biāo)價至18元,也是內(nèi)資近1年半來的最高價,并使內(nèi)外機構(gòu)的高低價差達(dá)到了8元。 市場傳出,聯(lián)電因28nm制程良率顯著提高至7成以上、再獲得聯(lián)發(fā)科訂單,聯(lián)電不評論單一客戶。聯(lián)電今天重申28nm部分按進(jìn)度,維持早先法說會釋出,預(yù)估對今年底營收貢獻(xiàn)低個位數(shù)百分比1-3%。 內(nèi)資法人指出,據(jù)最新訪查基于3理由喊買聯(lián)電:(1)28nm制程良率顯著
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 28nm
聯(lián)電可獲優(yōu)惠通關(guān)待遇
- 晶圓代工廠聯(lián)電23日宣布,日前已通過財政部關(guān)務(wù)署AEO(Authorized Economic Operator,優(yōu)質(zhì)企業(yè))中心審查,并正式取得AEO認(rèn)證資格,成為國內(nèi)第一家通過此認(rèn)證的晶圓專業(yè)代工廠。 聯(lián)電指出,除積極響應(yīng)海關(guān)推動的AEO政策,也致力于貨物整體物流供應(yīng)鏈安全。將在取得AEO認(rèn)證資格之后,可獲得海關(guān)提供之最優(yōu)惠通關(guān)待遇,加速貨物流通速度。 聯(lián)電副總廖木良表示,身為國際化的半導(dǎo)體晶圓廠,有監(jiān)于對全球反恐趨勢及維護(hù)貨物安全等議題的重視,聯(lián)電致力于導(dǎo)入AEO制度,并建立供應(yīng)鏈安全
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 晶圓代工
德意志估聯(lián)電8月起營收走滑 Q3約僅季增3%
- 在臺積電(2330)7月營收下滑之下,聯(lián)電(2303)7月營收則繳出月增7.4%、來到115.58億元,年增11.59%,登上今年以來單月新高的亮麗成績單。而公司也于法說會上預(yù)估,Q3營收將能溫和成長,可望季增約3~4%。不過,外資德意志則是出具最新報告指出,聯(lián)電7月營收雖受益于面板驅(qū)動IC需求而強勁走高,不過8月即會遭遇無線通訊客戶(wireless)的庫存調(diào)整,營收估將月減4~6%。 也因此,即使7月營收優(yōu)于預(yù)期,德意志認(rèn)為,隨著8~9月營收下滑,聯(lián)電Q3營收約僅會季增3%左右。而聯(lián)電今年下
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 晶圓代工
確保與IBM合作有成 聯(lián)電緊握14/10nm主導(dǎo)權(quán)
- 聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計劃,全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過,聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時,授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行,反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎(chǔ)技術(shù)平臺與材料科技,并將主導(dǎo)大部分制程研發(fā),以結(jié)合先進(jìn)科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù),避免重蹈覆轍。 聯(lián)電執(zhí)行長顏博文表示,隨著IC設(shè)計業(yè)者對于更新、更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增高,聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 14nm
聯(lián)電Q2 EPS 0.15元 40nm以下營收占比2成
- 聯(lián)電舉辦線上法說并公布第2季財務(wù)報告,第2季歸屬母公司凈利為新臺幣18.1億元,每股普通股獲利為新臺幣0.15元;當(dāng)中40奈米及以下制程的營收比重從第1季的18%提升到2成。 聯(lián)電第2季營業(yè)收入為新臺幣319.1億元,與上季的新臺幣277.8億元相比增加14.8%,較去年同期的新臺幣303.8億元成長5%。本季毛利率為19.4%,營業(yè)凈利率為3.6%,歸屬母公司凈利為新臺幣18.1億元,每股普通股獲利為新臺幣0.15元。 聯(lián)華電子執(zhí)行長顏博文表示,2013年第2季整體營運表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期,其中
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 40nm
聯(lián)電將跳過20nm 專攻FinFET
- 聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點,全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發(fā)所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián) 電已計劃在量產(chǎn)28納米后,直接跨過20納米節(jié)點,加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代,以與臺積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 聯(lián)電市場行銷處處長黃克勤表示,20納米制程帶來的效益將不 如從40納米演進(jìn)至28納米的水準(zhǔn),且須導(dǎo)入雙重曝光(Double Patterning)方案,勢將增加一筆可觀花費
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 20nm
聯(lián)電12寸URAM獲陸商高拓訊達(dá)訂單
- 聯(lián)電29日宣布,12寸URAM嵌入式存儲器技術(shù)獲得中國大陸數(shù)碼電視解調(diào)器芯片設(shè)計公司高拓訊達(dá)(AltoBeam)的訂單,未來將運用在高拓訊達(dá)推出的DVB-T2/T/C/S2/S解調(diào)器ATBM7812,以因應(yīng)未來數(shù)碼電視市場需求。 聯(lián)電亞洲銷售副總經(jīng)理王國雍表示,高拓訊達(dá)在大陸市場具領(lǐng)導(dǎo)地位,聯(lián)電在先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢上與大陸芯片設(shè)計公司進(jìn)一步合作,將提供全方位的技術(shù)解決方案,包含已驗證量產(chǎn)的12寸URAM制程,藉此提高高拓訊達(dá)的市場競爭力。 聯(lián)電表示,URAM制程是一項獲得專利的嵌入式DRAM技術(shù)
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 存儲器 DRAM
集中火力攻FinFET 聯(lián)電確定不玩20納米
- 聯(lián)電將跳過20納米(nm)制程節(jié)點,全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發(fā)所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián)電已計劃在量產(chǎn)28納米后,直接跨過20納米節(jié)點,加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代,以與臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 聯(lián)電市場行銷處處長黃克勤表示,20納米制程帶來的效益將不如從40納米演進(jìn)至28納米的水準(zhǔn),且須導(dǎo)入雙重曝光(Double Patterning)方案,勢將增加一筆可觀花費,已使
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 20納米
聯(lián)電 擬赴廈門蓋8寸廠
- 晶圓代工廠聯(lián)電為搶食中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速成長商機,計劃與廈門和當(dāng)?shù)卣腺Y興建8寸晶圓廠,鎖定產(chǎn)能極缺的40到55納米制程技術(shù)。 聯(lián)電發(fā)言體系17日表示,日前董事會通過在3億美元(約新臺幣90億元)內(nèi)擬投資、參股或購買亞洲8寸或12寸晶圓廠后,公司經(jīng)營團(tuán)隊積極評估參股或設(shè)廠,大陸的確有很多高科技園區(qū)積極向聯(lián)電招攬投資,但聯(lián)電的一切程序,均會遵循政府法令進(jìn)行,目前沒有定案。 這將是聯(lián)電繼先前協(xié)助和艦到大陸設(shè)廠,2009年宣布100%合并和艦后,另一項赴大陸設(shè)立晶圓廠行動,也是2005年政府核準(zhǔn)
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 晶圓
聯(lián)電Q2營收季增14.85% 世界增11.9%
- 聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、世界先進(jìn)(5347-TW)今(10)日同步公告6月營收數(shù)據(jù),二者累計第2季營收分別增14.85%、11.9%。 聯(lián)電今天公告6月營收為107.61億元,較5月略減0.94%,年增11.15%,累計第2季營收319.048億元,較首季277.8億元季增14.85%,略優(yōu)于原預(yù)期的季增12%至14%。 聯(lián)電表示,市場整體需求熱絡(luò),營收成長仍在預(yù)期范圍內(nèi),蘇州和艦產(chǎn)能近滿載高于總體平均;另在3億美元(約新臺幣90.01億元)額度內(nèi)評估在亞洲地區(qū)投資晶圓廠擴(kuò)
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 晶圓
聯(lián)電Q2營收季增14.85% 世界增11.9%
- 聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、世界先進(jìn)10日同步公告6月營收數(shù)據(jù),二者累計第2季營收分別增14.85%、11.9%。 聯(lián)電今天公告6月營收為107.61億元,較5月略減0.94%,年增11.15%,累計第2季營收319.048億元,較首季277.8億元季增14.85%,略優(yōu)于原預(yù)期的季增12%至14%。 聯(lián)電表示,市場整體需求熱絡(luò),營收成長仍在預(yù)期范圍內(nèi),蘇州和艦產(chǎn)能近滿載高于總體平均;另在3億美元(約新臺幣90.01億元)額度內(nèi)評估在亞洲地區(qū)投資晶圓廠擴(kuò)大營運規(guī)模方面,仍在找尋
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 晶圓
IC需求緊俏 聯(lián)電8寸晶圓廠受惠
- 產(chǎn)能吃緊,聯(lián)電(2303)股價持續(xù)走強。根據(jù)國際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新公布資料,5月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比(B/B值)1.08,是連續(xù)五個月站在多空分界的1之上,分析師指出,這表示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)處于復(fù)蘇軌道,對聯(lián)電當(dāng)然有正面影響;另一方面,觀察同領(lǐng)域的臺積電股價維持高檔震蕩,也可看出正向產(chǎn)業(yè)趨勢。 就公司發(fā)展而言,聯(lián)電近期除了搶進(jìn)高階制程、與力旺結(jié)盟切入矽智財(IP)市場,更緊捉產(chǎn)能吃緊的8寸晶圓商機。 瑞銀臺灣證券半導(dǎo)體首席分析師程正樺指出,今年在各種智慧型手持裝
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 晶圓
聯(lián)電介紹
臺灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473