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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 聯(lián)電

          聯(lián)電使用Edwards環(huán)保型干式真空泵獲新加坡國家環(huán)境局基金

          • 全球領(lǐng)先的高精真空產(chǎn)品及尾氣處理系統(tǒng)制造商及相應(yīng)增值服務(wù)領(lǐng)先供應(yīng)商Edwards集團公司(納斯達克代碼:EVAC)日前宣布,聯(lián)電公司(UMC)(紐約證券交易所代碼:UMC/臺灣證券交易所代碼:2303)已經(jīng)收到一份來自新加坡國家環(huán)境局的基金。發(fā)放能效技術(shù)基金項目(GREET)激勵基金是因為聯(lián)電使用Edwards的環(huán)保型iXL120干式真空泵。
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          卡位14/16nm市場 晶圓廠加碼FinFET研發(fā)

          •   全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后,臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍圖與量產(chǎn)時程表,希冀藉此一新技術(shù),提供IC設(shè)計業(yè)者效能更佳的制造方案,搶占通訊與消費性電子IC制造商機。   鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來行動通訊市場的關(guān)鍵利器。為進一步提升晶片效能并縮小尺寸,各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構(gòu),預(yù)計明后年即可開花結(jié)果,并開始挹注營收貢獻。   在眾家晶圓廠中,
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          導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相

          •   聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù),預(yù)計效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。   聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,14nmFinFET制程技術(shù)將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。   聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中,勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實現(xiàn),而此
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          臺晶圓雙雄Q4營收恐衰5~10%

          •    瑞信證券出具最新半導(dǎo)體報告指出,晶圓代工廠8月營收表現(xiàn)亮眼,特別是臺積(2330)8月營收大幅優(yōu)于預(yù)期,而聯(lián)電(2303)則在低價智慧型手機拉貨帶動下,營收走高,世界先進(5347)也在驅(qū)動IC出貨拉升下,繳出亮眼成績單,不過,瑞信證券認為,晶圓代工廠營收第三季表現(xiàn)搶眼,第四季后仍將面臨兩個季度的庫存修正狀況,預(yù)估晶圓代工廠產(chǎn)能利用率落底時間將落在明年農(nóng)歷年。   瑞信證券表示,晶圓代工廠第三季的強勁營收成長并不代表第四季將沒有庫存修正,瑞信證券指出,在半導(dǎo)體庫存水位升高影響下,加上PC
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          趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)

          • 聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅,聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù),將采Via-Middle方式,在晶圓完成后旋即穿孔,再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)等標準組裝晶片。目前規(guī)畫于今年第四季邁入產(chǎn)品實測階段,并于2013年展開商用量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  3D IC  

          半導(dǎo)體代工 幾家歡喜幾家愁

          • 的變化,上有半導(dǎo)體代工工廠的境況也可謂是喜憂參半。作為一個國家科技實力的象征,很多半導(dǎo)體企業(yè)可以獲得來自政府的直接或間接投資,但如果一個國家有多家半導(dǎo)體代工企業(yè),那么相對弱勢的企業(yè)則很難得到來自政府的鼎力支持。另一方面,半導(dǎo)體代工行業(yè)是一項前期投資非常巨大且投資回報周期相對較長的行業(yè),資金鏈是否健康直接關(guān)系到企業(yè)能否繼續(xù)生存下去
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          臺積供應(yīng)吃緊 聯(lián)電產(chǎn)能滿載

          •   IC設(shè)計界傳出,臺積電的先進制程產(chǎn)品訂單出貨比(B/B)值上月已升破1,聯(lián)電產(chǎn)能趨于滿載,臺積電甚至在本季起針對特定制程啟動「產(chǎn)能配給」供應(yīng),對客戶的交貨期也從正常的四至六周拉長到十周以上,宣告半導(dǎo)體業(yè)旺季提前到來。   臺積電、聯(lián)電將分別在26、25日舉行法說會,屆時將發(fā)布第一季財報及第二季展望,但因目前處于財報緘默期,晶圓雙雄均表示目前無法評論接單狀況。   部分IC設(shè)計公司由于客戶端需求好轉(zhuǎn),拉貨力道加速,轉(zhuǎn)而向晶圓代工廠加碼下單。據(jù)了解,先進制程28奈米至成熟制程65奈米等均傳出供應(yīng)吃緊,
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          30年來頭一遭聯(lián)電痛失晶圓二哥寶座

          •   外電報導(dǎo),格羅方德(Globalfoundries)行銷副總諾恩(MicahelNoonen)發(fā)出豪語,公司去年第四季營收首度超越聯(lián)電,成為全球第二大晶圓代工廠。這是聯(lián)電近30多年來,首度失去晶圓代工二哥寶座,臺灣獨霸全球晶圓代工領(lǐng)域的地位面臨挑戰(zhàn)。   聯(lián)電16日不愿對競爭對手狀況置評。業(yè)界認為,臺積電、聯(lián)電聯(lián)手稱霸全球晶圓代工業(yè)多年,近年三星、格羅方德崛起,臺灣晶圓雙雄腹背受敵,格羅方德規(guī)模超越聯(lián)電,讓晶圓代工業(yè)版圖大洗牌,臺灣應(yīng)更審慎因應(yīng)「美韓夾擊」帶來的沖擊。   格羅方德是超微2009年
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          聯(lián)電2月營收75.23億元月減6.55%

          •   聯(lián)電8日公布內(nèi)部自行結(jié)算2月營收為新臺幣75.23億元,月減6.55%,并為近33個月來單月營收新低。聯(lián)電說明,2月受工作天數(shù)減少影響,應(yīng)為第1季營運谷底,3月隨著工作天數(shù)增加,業(yè)績應(yīng)可順利回升。   聯(lián)電表示,自結(jié)2月業(yè)績較上月80.51億元減少6.55%,主要是元月有客戶急單挹注,而2月受工作天數(shù)減少影響。而隨市場需求符合預(yù)期,2月應(yīng)為第1季營運谷底,3月隨著工作天數(shù)增加,業(yè)績應(yīng)可順利回升。據(jù)聯(lián)電法說資料預(yù)估,今年第一季營收將較去年第4季244.3億元小幅下滑5%以內(nèi),隨1-2月營收累計約155
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          聯(lián)電與世界先進公布去年第四季度營收

          •   晶圓代工廠聯(lián)電本月9日公布去年12月營收達81.05億元,第4季營收244.25億元,季減3%;世界先進12月營收達10.52億元,第4季營收為33.08億元,季減14.6%。兩家晶圓代工廠第4季營收均優(yōu)于市場預(yù)期,主要是受惠于急單涌入及新臺幣貶值。臺積電于10日公布12月營收,市場初估與11月的358.59億元相當(dāng)。   聯(lián)電12月營收達81.04億元,較11月微增0.5%,第4季營收達244.25億元,僅較第3季的251.86億元減少3%,優(yōu)于市場普遍預(yù)估的季減5%。聯(lián)電第4季接單平穩(wěn),11月及
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          聯(lián)電8月營收82.01億元 月減6.91% 創(chuàng)2年來新低

          •   聯(lián)電近日公布自結(jié)8月營收,為新臺幣82.01億元,月減6.91%,并為2年多來的單月營收新低。聯(lián)電表示,全球經(jīng)濟的不確定性升高,影響顧客對公司的投片量,但營收衰退幅度仍在早先預(yù)期范圍內(nèi)。   聯(lián)電表示,內(nèi)部自行結(jié)算8月營收為新臺幣82.01億元,較去年同期減少24.67%,較上個月減少6.9%。營收衰退幅度仍在早先預(yù)期范圍內(nèi)。
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          聯(lián)電第二季營收增長乏力 預(yù)計第三季度下滑11~13%

          •   晶圓代工大廠聯(lián)電日前舉行財報會,第2季每股獲利0.26元,針對第3季財測數(shù)字,聯(lián)電預(yù)估營收減少11~13%、營業(yè)利益率至1~3%、產(chǎn)能利用率下滑至71~73%,低于市場預(yù)期;執(zhí)行長孫世偉表示,2011年是晶圓代工產(chǎn)業(yè)近10年來首度在第3季出現(xiàn)負成長現(xiàn)象,若只是庫存消化,或許1季時間可以解決,但關(guān)鍵問題出在終端需求和全球經(jīng)濟動蕩,因此針對第4季景氣,還需要再觀察一段時間。
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          聯(lián)電與Cypress攜手打造65納米SONOS閃存技術(shù)

          •   聯(lián)電與Cypress 27日宣布采用新的65納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon;硅-氧-氮化硅-氧-硅)閃存技術(shù),已成功產(chǎn)出有效硅芯片(working silicon),預(yù)計將于第3季正式問世;聯(lián)電不但會采用此新制程為Cypress生產(chǎn)次世代PSoC可編程系統(tǒng)單芯片、nvSRAM和其他產(chǎn)品,也可在Cypress授權(quán)協(xié)議下,將此技術(shù)提供其他公司使用。  
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  SONOS閃存  

          智能手機需求不佳為上游廠商敲警鐘

          •   花旗環(huán)球證券分析師GlenYeung指出,智慧型手機業(yè)者對半導(dǎo)體廠第三季的投片量不佳,將使半導(dǎo)體大廠第三季營收陷入嚴重困境(Inbig trouble)。   花旗環(huán)球追蹤供應(yīng)鏈發(fā)現(xiàn),即使智慧型手機大廠蘋果與宏達電,也缺乏強力拉貨力道,因此供應(yīng)鏈廠商如聯(lián)電第三季的營收表現(xiàn)也被大幅下修,季增率原本預(yù)期為20%,現(xiàn)在降為3%。 
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  智能手機  

          聯(lián)電擬先拿下大陸和艦30%股權(quán)日后再全數(shù)購回

          •   聯(lián)電本周三將舉行股東會,由于聯(lián)電先前合并和艦條件,因大股東意見不同及未符合主管機關(guān)規(guī)定下破局,聯(lián)電這次重新修訂預(yù)計先取得和艦3成股權(quán),日后再全數(shù)購回,議案將在股東會討論,預(yù)料將成為今年股東會焦點。   
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  晶圓  
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          聯(lián)電介紹

          臺灣聯(lián)電集團總部設(shè)在臺灣,集團旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據(jù)"經(jīng)濟部中央標準局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細 ]

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