閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

西部數(shù)據(jù)宣布完成閃存業(yè)務(wù)分拆計(jì)劃

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月24日，NAND Flash廠商西部數(shù)據(jù)（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對(duì)閃存業(yè)務(wù)的分拆計(jì)劃。圖片來源：西部數(shù)據(jù)據(jù)悉，分拆后的閃存業(yè)務(wù)將重新以獨(dú)立的閃迪（Sandisk）公司名義運(yùn)營(yíng)，由原西部數(shù)據(jù)CEO David Goeckeler轉(zhuǎn)任閃迪CEO，而西部數(shù)據(jù)則將再次專注于機(jī)械硬盤HDD業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數(shù)據(jù)以190億美元的高價(jià)收購了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨(dú)立業(yè)務(wù)部門。不過在2022年，存
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)大廠閃存西部數(shù)據(jù)

兩項(xiàng)閃存技術(shù)革新，美光、鎧俠各有動(dòng)作

DeepSeek等AI模型驅(qū)動(dòng)之下，存儲(chǔ)器市場(chǎng)備受青睞。長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，AI等熱潮將推動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)需求上漲，高容量存儲(chǔ)需求有望為NAND Flash（閃存）市場(chǎng)提供新的增長(zhǎng)動(dòng)力。這一過程中，少不了技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)品迭代。值得一提的是，為了提升存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，一些存儲(chǔ)廠商之間正在進(jìn)行技術(shù)共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術(shù)迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術(shù)：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
關(guān)鍵字：閃存美光鎧俠

從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對(duì)現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲(chǔ)配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運(yùn)行效率等方面更進(jìn)一步。現(xiàn)代應(yīng)用需要更先進(jìn)的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)和先進(jìn)的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
關(guān)鍵字：閃存 MRAM FPGA 萊迪思

NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

據(jù)報(bào)道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。當(dāng)前，存儲(chǔ)器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑，這一趨勢(shì)使得供應(yīng)商對(duì)2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀態(tài)度。長(zhǎng)期的價(jià)格疲軟無疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤(rùn)空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時(shí)，N
關(guān)鍵字： NAND 閃存三星 SK海力士

NAND價(jià)格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價(jià)格已連續(xù)四個(gè)月下跌，為應(yīng)對(duì)這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進(jìn)而穩(wěn)定價(jià)格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國(guó)本土的NAND產(chǎn)量以及中國(guó)西安工廠的開工率，韓國(guó)另一大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士也計(jì)劃削減產(chǎn)量。
關(guān)鍵字： NAND 三星閃存美光 SK海力士

應(yīng)對(duì)降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲(chǔ)卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過類似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時(shí)
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存存儲(chǔ)卡 U盤晶圓 SK海力士鎧俠西部數(shù)據(jù) 美光長(zhǎng)江存儲(chǔ)

TrendForce：預(yù)計(jì) Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調(diào) 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴(kuò)大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動(dòng)能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預(yù)期，采購策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現(xiàn)季減 3% 至
關(guān)鍵字： NAND 閃存存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析

第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級(jí)。全新的BiCS FLASH無論在存儲(chǔ)密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲(chǔ)器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲(chǔ)限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備提供了更多潛在可能。技
關(guān)鍵字： BiCS FLASH 閃存 flash 鎧俠

閃存大廠鎧俠IPO又進(jìn)一步

近日，媒體報(bào)道鎧俠已申請(qǐng)于今年10月在東京交易所進(jìn)行IPO。鎧俠預(yù)計(jì)籌資規(guī)模將達(dá)到5億美元，如若IPO順利進(jìn)行，那么其有望成為2024年日本最大規(guī)模的IPO。知情人士透露，鎧俠可能在接下來的幾周內(nèi)啟動(dòng)其IPO流程，至于IPO的具體細(xì)節(jié)仍在討論之中，可能會(huì)根據(jù)市場(chǎng)環(huán)境的變化而有所調(diào)整。該公司的估值預(yù)計(jì)將超過1.5萬億日元（合103億美元）。資料顯示，鎧俠于2018年6月從日本東芝集團(tuán)獨(dú)立出來，2020年鎧俠獲準(zhǔn)在東京證券交易所上市，不過后來該公司以市場(chǎng)前景不明朗為由推遲上市。
關(guān)鍵字：閃存鎧俠 IPO

消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
關(guān)鍵字： NAND 閃存三星電子

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
關(guān)鍵字： NAND 閃存泛林集團(tuán)

通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
關(guān)鍵字： DRAM 閃存三星海力士

Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對(duì)比，Omdia 認(rèn)為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達(dá) 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
關(guān)鍵字： QLC NAND 閃存

美光：預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響

IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國(guó)證券交易委員會(huì) SEC 遞交 8-K 重大事項(xiàng)公告，預(yù)計(jì)本月初的臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個(gè)位數(shù)百分比”的影響。美光在臺(tái)灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺(tái)中兩座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報(bào)告，地震導(dǎo)致當(dāng)時(shí)桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報(bào)廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長(zhǎng)期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn)，但得
關(guān)鍵字： DRAM 閃存美光

毫米波傳感器支持的閃存型號(hào)

本應(yīng)用手冊(cè)介紹了德州儀器 (TI) 毫米波傳感器支持的閃存型號(hào)。
關(guān)鍵字：德州儀器 TI 毫米波傳感器閃存

共573條 1/39 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]