閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價格環(huán)比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價
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西部數(shù)據(jù)發(fā)布公告：今年年底前完成閃存和硬盤業(yè)務(wù)分拆

IT之家 3 月 6 日消息，西部數(shù)據(jù)近日發(fā)布公告，宣布分拆硬盤和閃存業(yè)務(wù)上取得了重大進展，并會按期在 2024 年年底前完成分拆，并公布了分拆之后亮相業(yè)務(wù)的主要負(fù)責(zé)人。圖源：西部數(shù)據(jù)IT之家于 2023 年 10 月報道，西部數(shù)據(jù)由于鎧俠合并未果，宣布分拆為兩家獨立上市公司，專注于硬盤和閃存市場。西部數(shù)據(jù)表示分拆兩項業(yè)務(wù)，能更好地執(zhí)行創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)，利用獨特的增長機會，擴大各自的市場領(lǐng)導(dǎo)地位，并通過不同的資本結(jié)構(gòu)更有效地運營。西部數(shù)據(jù)在新聞稿中表示，本次拆分已取得重大進展，包括全球法律實體
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日本東芝正式退市

據(jù)日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長 18%

IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)集邦咨詢公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計營收 134.8 億美元，環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價態(tài)度明確，預(yù)估第四季 DRAM 合約價上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌，三大原廠營收皆有所成長
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三季度全球 DRAM 銷售額達 132.4 億美元，連續(xù)兩個季度環(huán)比增長

11 月 30 日消息，據(jù)外媒報道，從去年下半年開始，受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動下，DRAM 這一類存儲產(chǎn)品的價格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達到了 132.4 億美元，環(huán)比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個季度環(huán)比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
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存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內(nèi)存邁入 20GB 時代

IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預(yù)計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
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OptiFlash存儲器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)

在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機械鎖后，用戶可以通過手機應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進行控制，同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下，人們對存儲器的要求不斷提高，這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中，存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外，MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢（包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當(dāng)出現(xiàn)無線更新的需求時，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲，上述的這
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越便宜越?jīng)]人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌

11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應(yīng)情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場恢復(fù)正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應(yīng)商積極減產(chǎn)，導(dǎo)致整個行業(yè)價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
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傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕

IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經(jīng)濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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三星明年將升級NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

據(jù)媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進行設(shè)備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購的TEL設(shè)備是用于整個半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
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要漲價？內(nèi)存、閃存同時需求大漲

這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤產(chǎn)品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢最新研究報告，預(yù)計在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場在2023年已經(jīng)處于低谷，價格也來到相對低點，因此預(yù)計在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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三星計劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層

IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報道，三星電子計劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過 300 層。報道稱，這將使三星的進度超過 SK 海力士 —— 后者計劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片。▲ 圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個 3D NAND 堆棧，然后在第一個堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個堆棧。
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鎧俠宣布運營兩個新研發(fā)設(shè)施，加強閃存和SSD研發(fā)能力

6月1日，鎧俠宣布開始運營兩個新的研發(fā)設(shè)施——位于橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強公司在閃存和固態(tài)硬盤（SSD）方面的研發(fā)能力。未來，神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴大其評估閃存和SSD產(chǎn)品的能力，從而提高整體產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域尖端基礎(chǔ)研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進的潔凈室。除了下一代存儲技術(shù)，鎧俠還從事其
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]