閃存 文章 進(jìn)入閃存 技術(shù)社區(qū)
30萬次壽命 國產(chǎn)廠商綠芯推出超耐用SSD：10GB起步
- 隨著閃存從SLC、MLC向TLC、QLC升級(jí)，P/E寫入壽命越來越短，從之前的萬次以上減少到如今千次內(nèi)，好在對(duì)一些工控領(lǐng)域來說，廠商還會(huì)專門打造超耐用SSD，國產(chǎn)SSD廠商綠芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盤，擁有多達(dá)30萬次的P/E壽命。ArmourDrive EX系列硬盤有mSATA及SATA M.2 2242兩種規(guī)格，支持EnduroSLC技術(shù)，P/E壽命根據(jù)不同容量在60K、120K及300K之間——也就是最高30萬次，這個(gè)性能比早期的SLC閃存還要耐用，后
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國產(chǎn)閃存受阻：三星馬上就漲價(jià)！
- 在閃存領(lǐng)域突飛猛進(jìn)的長江存儲(chǔ)，還是遭到了美國的制裁，被列入“實(shí)體清單”，幾乎是同一時(shí)間，三星就開始漲價(jià)了！DigiTimes報(bào)道稱， 隨著長江存儲(chǔ)遭到制裁，部分PC廠商不得不暫停合作，而面對(duì)突然增加的市場(chǎng)需求，三星將其3D NAND閃存的報(bào)價(jià)提高了10％。當(dāng)然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機(jī)會(huì)獲得更多市場(chǎng)，但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商，今年第二季度份額為33％ ，雖然下跌了2.3個(gè)百分點(diǎn)但依然遙遙領(lǐng)先。 相比之下，SK
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SSD跌成白菜價(jià) 三星急忙出手：閃存逆市漲價(jià)10%
- 2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲(chǔ)芯片的價(jià)格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價(jià)了，2TB不到700元，但是這樣的價(jià)格也讓閃存廠商很難受，三星已經(jīng)開始出手逆轉(zhuǎn)價(jià)格，12月份閃存漲價(jià)10%。據(jù)電子時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息，雖然市場(chǎng)需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價(jià)格，其中3D NAND閃存價(jià)格漲幅高達(dá)10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購Intel閃存業(yè)務(wù)之后，SK海力士成立了
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TLC顆粒SSD的好日子不多了 廠商放言：必被QLC取代
- Intel把閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士后，后者孵化出名為Solidigm的消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)品牌，關(guān)系類似于美光和英睿達(dá)。日前在Tech Field Day 2022技術(shù)峰會(huì)上，Solidigm預(yù)覽了旗下第4代192層3D閃存芯片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）?？磥鞩ntel此前的QLC技術(shù)積累被SK海力士完全保留，后者還指出，雖然當(dāng)前出貨的閃存芯片80%都是TLC，但QLC遲早會(huì)取代它。顯然最重要的原因還是成本效應(yīng)，QLC顆粒存儲(chǔ)密度更高，也更容易做到大容量。
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業(yè)界首個(gè)！華為首發(fā)微存儲(chǔ)新品：1ms穩(wěn)定低時(shí)延
- 華為全聯(lián)接大會(huì)2022中國深圳站期間上， 華為發(fā)布業(yè)界首個(gè)面向數(shù)據(jù)中心Diskless架構(gòu)的微存儲(chǔ)——華為OceanStor Micro系列，打造綠色集約、安全可靠的數(shù)據(jù)中心 。據(jù)了解，華為OceanStor Micro微存儲(chǔ)本質(zhì)上是傳統(tǒng)盤框的智能化升級(jí)，以基于NOF+技術(shù)的高速網(wǎng)絡(luò)連接Diskless服務(wù)器，支持上層分布式軟件的透明訪問，實(shí)現(xiàn)計(jì)算和存儲(chǔ)資源獨(dú)立彈性擴(kuò)展，消除兩者的生命周期管理差異。華為閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域總裁黃濤詳細(xì)闡述了OceanStor Micro微存儲(chǔ)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念。他
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傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存
- 據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級(jí)SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級(jí)的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì)提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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為什么會(huì)有 80GB / 320GB 這樣 "非標(biāo)準(zhǔn)" 容量的存儲(chǔ)卡
- 在過去很長時(shí)間里，存儲(chǔ)卡的容量都是 2 的 N 次方，比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出現(xiàn)以后，市場(chǎng)上就出現(xiàn)了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格”。這背后的原因是什么？正式動(dòng)筆后，我發(fā)現(xiàn)這件事情并不是三言兩語能夠講清楚的……ET 會(huì)盡量剝離掉與大家關(guān)系不大的知識(shí)點(diǎn)，大家在閱讀時(shí)也可以忽略括號(hào)和 * 內(nèi)的部分?？破沾鎯?chǔ)卡、固態(tài)硬盤都以閃存顆粒（NAND Flash）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，而閃存顆粒本身是有擦寫次數(shù)限制的（即寫
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三星電子236層NAND閃存預(yù)計(jì)年內(nèi)開始生產(chǎn)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子，預(yù)計(jì)會(huì)在年內(nèi)開始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計(jì)劃在本月開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。韓國媒體在報(bào)道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報(bào)道來看，三星電子對(duì)即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們?cè)趫?bào)道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數(shù)增加60層后，他們計(jì)劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
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金士頓推出DataTraveler Max閃存盤新品
- 中關(guān)村在線消息，金士頓于近日發(fā)布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤新品。其特點(diǎn)是采用了USB 3.2 Gen 2方案，具有高達(dá)1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫入速度。此外該系列閃存盤采用了帶橫紋的伸縮頭設(shè)計(jì)，能夠在收納時(shí)更好地保護(hù)USB接頭。金士頓表示，DataTraveler Max系列高性能閃存盤設(shè)計(jì)之初就充分考慮到了便攜性和便利性，黑/紅外殼可一眼分辨其接口，并帶有掛繩孔和LED狀態(tài)指示燈。容量方面，DataTraveler Max系
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西部數(shù)據(jù)推出模塊化高性能存儲(chǔ)解決方案,助力創(chuàng)作者創(chuàng)意呈現(xiàn)
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上發(fā)布了旗下閃迪?及閃迪大師品牌的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括模塊化固態(tài)硬盤系統(tǒng)以及全新升級(jí)的UHS-I SD?和microSD?存儲(chǔ)卡，旨在為世界各地的內(nèi)容創(chuàng)作者和專業(yè)人士提供更好的支持。無論是在工作室內(nèi)創(chuàng)作影視大片，還是在戶外現(xiàn)場(chǎng)拍攝素材片段，全新發(fā)布的解決方案將為內(nèi)容創(chuàng)作者帶來高性能、可擴(kuò)展且極具可靠性的解決方案，助力他們實(shí)現(xiàn)無限可能。西部數(shù)據(jù)消費(fèi)者解決方案高級(jí)副總裁Jim Welsh表示：“閃迪大師品牌致力于為追尋理想不斷前行的人提供高品質(zhì)的存儲(chǔ)解
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西部數(shù)據(jù)擴(kuò)充旗下WD_BLACK SSD產(chǎn)品組合,滿足各類游戲玩家的多樣化需求
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上宣布：旗下專為游戲玩家打造的WD_BLACK品牌再度擴(kuò)充產(chǎn)品組合，推出WD_BLACK? SN850X NVMe? SSD和WD_BLACK P40 游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤兩款新品，旨在進(jìn)一步提升玩家游戲體驗(yàn)，為玩家升級(jí)PC和主機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)提供更多選項(xiàng)。AMD（超威半導(dǎo)體）企業(yè)科研理事兼計(jì)算與圖形首席技術(shù)官Joe Macri表示：“AMD很高興能與西部數(shù)據(jù)持續(xù)開展深度合作，為玩家提供卓越的游戲體驗(yàn)。隨著游戲變得更加讓人身臨其境，玩家們也越來越青睞
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西部數(shù)據(jù)全新定制化SSD產(chǎn)品,助力混合工作模式,發(fā)掘數(shù)據(jù)價(jià)值
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上推出了全新的西部數(shù)據(jù)?PC SN740 NVMe? SSD，旨在滿足當(dāng)今混合辦公趨勢(shì)的獨(dú)特需求，為用戶帶來更佳的計(jì)算體驗(yàn)。西部數(shù)據(jù)公司閃存業(yè)務(wù)部門消費(fèi)級(jí)及企業(yè)級(jí)SSD副總裁Eric Spanneut表示：“過去幾年，混合和遠(yuǎn)程辦公模式已成為企業(yè)的‘新常態(tài)’，這也推動(dòng)了PC出貨量的顯著增長。工作習(xí)慣和辦公場(chǎng)所的改變，為我們帶來了巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。我們致力于為企業(yè)級(jí)和商用PC 的OEM廠商提供輕薄的存儲(chǔ)解決方案，在保證低能效的前提下，提供強(qiáng)大的性
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西部數(shù)據(jù)公司推出全新大容量SSD產(chǎn)品 支持大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心的高性能表現(xiàn)
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上宣布：公司新款Ultrastar? NVMe? PCIe? 4.0 SSD正在向部分超大規(guī)?？蛻艚桓稑悠贰；谖鞑繑?shù)據(jù)強(qiáng)大的垂直整合優(yōu)勢(shì)，新款SSD旨在提供大規(guī)模的高性能產(chǎn)品支持，同時(shí)降低公有云部署的TCO。如今，云基礎(chǔ)設(shè)施逐漸往分布式架構(gòu)發(fā)展，為不斷增長的 “即服務(wù)“ 產(chǎn)品提供了彈性、可擴(kuò)展性和可預(yù)測(cè)性。將存儲(chǔ)與計(jì)算分離，使大容量數(shù)據(jù)中心NVMe SSD 成為熱門的細(xì)分品類——可提高存儲(chǔ)利用率，增加數(shù)據(jù)中心機(jī)柜密度，以適應(yīng)虛擬化和多租戶環(huán)
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西部數(shù)據(jù)推出22TB CMR和26TB ULTRASMR HDD,賦能云市場(chǎng)蓬勃發(fā)展新時(shí)代
- 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上宣布正在向部分超大規(guī)模云服務(wù)商合作伙伴提供22TB1和26TB UltraSMR HDD樣品，通過進(jìn)一步擴(kuò)大其在面密度技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，幫助客戶降低總體擁有成本（TCO），實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)價(jià)值。西部數(shù)據(jù)擁有豐富的HDD產(chǎn)品組合以及在面密度技術(shù)領(lǐng)域的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，一直處于存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展革新的核心位置。借助創(chuàng)新的OptiNAND?技術(shù)、能量輔助磁記錄 (ePMR)、三階尋軌定位系統(tǒng) (TSA)、氦氣封裝（HelioSeal?）以及全新的UltraSMR技術(shù)，西部
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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