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紫光國產(chǎn)64層3D閃存正式亮相：Xstacking堆棧 256Gb核心
- 在今天召開的2019中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開展出了旗下長江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到了256Gb。根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。在閃存芯片上，長江存儲(chǔ)去年就小規(guī)模量
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Note10 UFS 3.0閃存性能測試：讀取速度超1500Mb/s
- 昨天晚上，知名爆料博主@i冰宇宙公布了三星Note10的閃存性能測試數(shù)據(jù)。 根據(jù)測試數(shù)據(jù)，三星Note10的UFS 3.0 閃存速度表現(xiàn)十分亮眼，順序讀取速度為1486MB/s，順序?qū)懭胨俣冗_(dá)到了586MB/s，隨機(jī)4K讀取速度為179.16MB/s，隨機(jī)4K寫入速度為201.27MB/s。
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西數(shù)全閃存存儲(chǔ)陣列：400TB只是入門 2500TB很輕松
- 作為傳統(tǒng)機(jī)械硬盤巨頭，西部數(shù)據(jù)在閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域也已經(jīng)逐漸走在世界前列，尤其是在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。今天，西數(shù)又發(fā)布了入門級(jí)的NVMe全閃存存儲(chǔ)陣列系統(tǒng)“IntelliFlash N5100”。
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閃存市場遭遇意外，傳SSD廠商限量供貨、漲價(jià)15%
- ??? 從去年初到現(xiàn)在，全球NAND閃存市場已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。??? 關(guān)于NAND閃存的走勢，今年前兩個(gè)季度還是跌的，但是Q3季度就變得撲朔迷離了，除了旺季需求及產(chǎn)能削減兩大因素之外，最近還有兩起意外事件也引發(fā)了閃存市場動(dòng)蕩，而且都跟日本有關(guān)。??? 首先是東芝位于日本四日市的5座NA
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華為舉辦首屆閃存技術(shù)論壇，發(fā)布閃存創(chuàng)新理念
- 華為在北京舉辦了主題為“探討閃存未來發(fā)展之道，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)共贏”首屆華為閃存技術(shù)論壇，在業(yè)界首次提出面向應(yīng)用感知的存儲(chǔ)創(chuàng)新理念和未來SSD發(fā)展新形態(tài)。華為智能計(jì)算提出希望與廣大客戶、合作伙伴、Flash廠家、標(biāo)準(zhǔn)組織、高校、媒體等存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的上下游共聚，共同探討并引領(lǐng)閃存技術(shù)發(fā)展趨勢，持續(xù)提升應(yīng)用性能，滿足用戶需求?！ ∧壳埃鎯?chǔ)產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著翻天覆地的變化，隨著閃存新技術(shù)的發(fā)展與廣泛應(yīng)用，閃存行業(yè)正面臨著新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)! 本次會(huì)議重點(diǎn)展現(xiàn)了自研SSD閃存技術(shù)和應(yīng)用研究，并借本次技術(shù)論壇活動(dòng)，為行業(yè)提供一個(gè)技術(shù)生
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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