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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電 分析師：對(duì)清庫(kù)存是重大利好
- 在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段，三星在韓國(guó)華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對(duì)于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲(chǔ)芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故，不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴(yán)重，對(duì)內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬(wàn)美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看，三星認(rèn)為事件影響不大，數(shù)百萬(wàn)美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
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三星存儲(chǔ)工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大？
- 北京時(shí)間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng)，并正在評(píng)估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲(chǔ)工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故，雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí)，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%，預(yù)計(jì)相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后，根據(jù)預(yù)計(jì)此次事故造成了
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1萬(wàn)億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%
- 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲(chǔ)，擴(kuò)展性非常好，在非易失性、
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內(nèi)存、固態(tài)硬盤價(jià)格扛不住了！漲起來
- 最近一段時(shí)間內(nèi)，大家有入手內(nèi)存和固態(tài)硬盤嗎？有購(gòu)買需求的小伙伴們可以入手了，因?yàn)閮?nèi)存和SSD都已經(jīng)開始漲價(jià)了。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達(dá)到6萬(wàn)片：或明年上馬128層
- 在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）于今年三季度官方宣布，開始量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片。外界預(yù)計(jì)，初期的月產(chǎn)能在5000片左右。來自業(yè)內(nèi)分析人士最新爆料稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D閃存芯片將在2020年底前把月產(chǎn)能提高到6萬(wàn)片。不過，接受采訪時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華未對(duì)產(chǎn)能數(shù)據(jù)予以確認(rèn)，表示暫不能透露詳情，包括下一代更先進(jìn)產(chǎn)品的研發(fā)計(jì)劃。有報(bào)道猜測(cè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能會(huì)跳過96層堆棧，預(yù)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達(dá)到6萬(wàn)片：明年上馬128層
- 在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開始投產(chǎn)64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，初期的月產(chǎn)能僅有5000片。最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D閃存芯片將在年底前將月產(chǎn)能提高到6萬(wàn)片。不過，接受采訪時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)副總裁、聯(lián)合CTO Cheng Weihua卻表示暫不能透露具體的數(shù)據(jù)詳情包括下一代更先進(jìn)產(chǎn)品的研發(fā)計(jì)劃。有報(bào)道指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)最早明年初投產(chǎn)128層堆棧3D閃存，可能會(huì)采用第二代Xtacking架
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紫光國(guó)微否認(rèn)整合長(zhǎng)江存儲(chǔ) 也無意進(jìn)入閃存芯片制造業(yè)務(wù)
- 隨著紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在8月底量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片已經(jīng)嶄露頭角，結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)率0%的尷尬。目前紫光集團(tuán)下面有多個(gè)公司設(shè)計(jì)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)，定位有沖突的可能，不過紫光國(guó)微已經(jīng)否認(rèn)了整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的可能性。日前在投資者互動(dòng)平臺(tái)上，有投資者詢問了紫光國(guó)微是否會(huì)整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)，但紫光國(guó)微方面表態(tài)謹(jǐn)慎，稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)設(shè)立時(shí)，為避免潛在的同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，紫光集團(tuán)承諾，在本公司未來規(guī)劃發(fā)展存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)務(wù)時(shí)，有權(quán)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合。鑒于紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，公司目前沒有計(jì)劃涉足存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)
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紫光國(guó)產(chǎn)64層3D閃存正式亮相：Xstacking堆棧 256Gb核心
- 在今天召開的2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開展出了旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到了256Gb。根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。在閃存芯片上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年就小規(guī)模量
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Note10 UFS 3.0閃存性能測(cè)試：讀取速度超1500Mb/s
- 昨天晚上，知名爆料博主@i冰宇宙公布了三星Note10的閃存性能測(cè)試數(shù)據(jù)。 根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)，三星Note10的UFS 3.0 閃存速度表現(xiàn)十分亮眼，順序讀取速度為1486MB/s，順序?qū)懭胨俣冗_(dá)到了586MB/s，隨機(jī)4K讀取速度為179.16MB/s，隨機(jī)4K寫入速度為201.27MB/s。
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西數(shù)全閃存存儲(chǔ)陣列：400TB只是入門 2500TB很輕松
- 作為傳統(tǒng)機(jī)械硬盤巨頭，西部數(shù)據(jù)在閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域也已經(jīng)逐漸走在世界前列，尤其是在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。今天，西數(shù)又發(fā)布了入門級(jí)的NVMe全閃存存儲(chǔ)陣列系統(tǒng)“IntelliFlash N5100”。
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閃存市場(chǎng)遭遇意外，傳SSD廠商限量供貨、漲價(jià)15%
- ??? 從去年初到現(xiàn)在，全球NAND閃存市場(chǎng)已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。??? 關(guān)于NAND閃存的走勢(shì)，今年前兩個(gè)季度還是跌的，但是Q3季度就變得撲朔迷離了，除了旺季需求及產(chǎn)能削減兩大因素之外，最近還有兩起意外事件也引發(fā)了閃存市場(chǎng)動(dòng)蕩，而且都跟日本有關(guān)。??? 首先是東芝位于日本四日市的5座NA
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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