閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

3D閃存產(chǎn)能大提升！SSD停止?jié)q價(jià)

　　今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。　　而需求方面，手機(jī)、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)。　　不過(guò)，來(lái)自集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的最新報(bào)告稱，在明年，NAND閃存的市場(chǎng)將達(dá)到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中，供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9%，而需求側(cè)，增長(zhǎng)預(yù)計(jì)在37.7%。　　目前在3D閃存方面，三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利，已經(jīng)在Q3開始量產(chǎn)64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。　　據(jù)悉，在明年的所
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如何選擇最佳汽車應(yīng)用閃存

　　在過(guò)去幾年里，汽車應(yīng)用對(duì) NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂(lè)和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。尤其是在高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂(lè)等系統(tǒng)對(duì)NOR 閃存的市場(chǎng)需求迅猛增長(zhǎng)。　　高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)　　針對(duì)提高駕駛安全性的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的市場(chǎng)發(fā)展快速增長(zhǎng)。目前，大部分ADAS 應(yīng)用主要是基于
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NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲，NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

9月6日，深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國(guó)存儲(chǔ)·全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會(huì)議內(nèi)容整理了國(guó)內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲(chǔ)器市場(chǎng)信息。
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2017年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)950億美元

　　日前，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的、以“中國(guó)存儲(chǔ) 全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯?chǔ)等企業(yè)重量級(jí)嘉賓，一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)。峰會(huì)吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，參會(huì)觀眾超
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中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket正從價(jià)格基準(zhǔn)向品質(zhì)基準(zhǔn)擴(kuò)展

　　9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的以“中國(guó)存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本、?？荡鎯?chǔ)等企業(yè)重量級(jí)嘉賓，一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)?！　⊥瑫r(shí)，吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，當(dāng)天
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CFM：原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底

　　9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國(guó)存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)除了齊聚國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)。　　當(dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、
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Upthere之后西部數(shù)據(jù)又要收購(gòu)一家閃存公司

　　在宣布收購(gòu)云存儲(chǔ)服務(wù)提供商 Upthere 之后，西部數(shù)據(jù)(WD)緊接著在本周二宣布了又一個(gè)收購(gòu)目標(biāo) —— 閃存公司 Tegile Systems —— 不過(guò)西數(shù)并未透露這筆交易的金額。成立于 2010 年的 Tegile，主要為企業(yè)提供數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的閃存和持久性內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案。過(guò)去幾年，西數(shù)一直扮演者投資方的角色，并在今年 4 月份領(lǐng)投了 3300 萬(wàn)美元的 E 輪融資。　　Rohit Kshetrapal 指出，西數(shù)早已在多方面增強(qiáng)了該公司的業(yè)
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銀行債權(quán)人向東芝施壓：八月必須賣掉閃存業(yè)務(wù)

　　日本東芝公司已經(jīng)資不抵債，但是轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易，卻陷入了泥潭，讓債權(quán)人、日本政府等頗為著急。據(jù)外媒最新消息，東芝的主要債權(quán)人已經(jīng)向該公司施壓：必須在八月份完成閃存業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)讓。　　據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報(bào)道，東芝目前已經(jīng)是資不抵債的負(fù)資產(chǎn)企業(yè)，之前已經(jīng)從東京股票交易所主板摘牌，降級(jí)到了二板，如果明年財(cái)年結(jié)束時(shí)繼續(xù)資不抵債，東芝將徹底從股市上消失。　　據(jù)報(bào)道，東芝多家債權(quán)人銀行(也是長(zhǎng)期合作的銀行伙伴)已經(jīng)要求該公司在八月份完成轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易，只有這樣才能夠確保在明年三月底財(cái)年結(jié)束之前，完成全部交
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閃存持續(xù)缺貨到明年底！SSD、手機(jī)、電腦齊悲催

SSD還會(huì)持續(xù)漲價(jià)嗎?答案真的不讓消費(fèi)者省心。
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東芝公布2016財(cái)年財(cái)報(bào)：全年凈虧損88億美元低于分析師預(yù)期

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，原本在6月底就應(yīng)該公布的東芝2016財(cái)年財(cái)報(bào)，因東芝陷入困境而未能如期發(fā)布，在推遲了一個(gè)多月之后，東芝終于公布了2016財(cái)年的財(cái)報(bào)。　　在得到審計(jì)機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)之后，東芝在周四公布了2016財(cái)年的財(cái)報(bào)，財(cái)報(bào)顯示，在截至今年3月31日的2016財(cái)年，東芝的營(yíng)收為4.8萬(wàn)億日元(約合436億美元)，較2015財(cái)年降低了5.5%。　　由于美國(guó)核電業(yè)務(wù)減記，東芝2016財(cái)年虧損已是無(wú)法避免的事，而事實(shí)也的確如此。　　在近日公布的財(cái)報(bào)中，東芝2016財(cái)年的凈虧損為9657億日元(約合88
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打破壟斷國(guó)產(chǎn)閃存芯片之路有多遠(yuǎn)？

文章云里霧里的，但是一點(diǎn)沒(méi)錯(cuò)：國(guó)產(chǎn)化閃存顆粒，已刻不容緩。
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東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)進(jìn)展不順日政府看不下去全面介入

　　由于財(cái)務(wù)狀況惡化，日本東芝公司已經(jīng)被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經(jīng)越來(lái)越近，但是時(shí)至今日，轉(zhuǎn)讓閃存芯片業(yè)務(wù)的進(jìn)展卻并不順利。據(jù)外媒最新消息，面對(duì)東芝高管所表現(xiàn)出的領(lǐng)導(dǎo)無(wú)方，日本政府已經(jīng)全面介入到這一轉(zhuǎn)讓交易中。　　按照原定計(jì)劃，東芝準(zhǔn)備把閃存芯片業(yè)務(wù)以大約180億美元的價(jià)格，轉(zhuǎn)讓給一個(gè)美日韓聯(lián)合體，其中包括日本開發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)、美國(guó)貝恩資本、韓國(guó)海力士半導(dǎo)體，不過(guò)東芝的芯片業(yè)務(wù)合資伙伴西部數(shù)據(jù)，卻以海力士的涉足為由，提出了反對(duì)意見(jiàn)，并已經(jīng)述諸法律手段。　　有消息稱，由于和西部
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機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡閃存將取代HDD存儲(chǔ)市場(chǎng)？

　　如今，機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡，這讓西數(shù)、希捷兩大廠商不得不做戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型向SSD市場(chǎng)?！　”娝苤?，機(jī)械硬盤(HDD)曾是電腦不可或缺的部件，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)也非常激烈。最后，全球的機(jī)械硬盤被西部數(shù)據(jù)、希捷與東芝三家巨頭所壟斷，其他品牌都被并購(gòu)或直接淘汰。　　在這其中，東芝是最先轉(zhuǎn)型到固態(tài)硬盤領(lǐng)域的，今年年初，據(jù)外媒報(bào)道，東芝方面吐露將不再考慮生產(chǎn)15KHDD新品。　　再來(lái)看看希捷的情況，今年年初關(guān)閉蘇州工廠后，又低調(diào)的關(guān)閉了位于韓國(guó)的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機(jī)械硬盤。閃存市
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東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社開發(fā)出世界首款QLC 3D閃存

　　存儲(chǔ)器解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社今日宣布開發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結(jié)構(gòu)的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設(shè)備是首款采用4位元(四階存儲(chǔ)單元，QLC)技術(shù)的閃存設(shè)備，該技術(shù)使閃存設(shè)備的存儲(chǔ)容量較3位元(TLC)設(shè)備進(jìn)一步提高并推動(dòng)了閃存技術(shù)創(chuàng)新?！　《辔辉獌?nèi)存通過(guò)管理每個(gè)獨(dú)立存儲(chǔ)單元中的電子數(shù)目來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。實(shí)現(xiàn)QLC技術(shù)帶來(lái)一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，在相同電子數(shù)目下位元數(shù)目每增加一個(gè)，需要兩倍于TLC技術(shù)的精度。東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社利用其先
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東芝變賣閃存業(yè)務(wù)“跳票” 股東們表示很失望

　　本周，東芝的股東和業(yè)界都在等待一個(gè)巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個(gè)美日韓聯(lián)合體簽約，正式變賣閃存芯片業(yè)務(wù)，獲得急需的180億美元。　　然而在周三的股東大會(huì)上，東芝高管宣布了令人失望的消息。據(jù)法新社報(bào)道，東芝的“跳票”讓股東感到十分氣憤。　　東芝總裁綱川智周三表示，依然無(wú)法公布上一財(cái)年的財(cái)報(bào)，另外轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的談判依然沒(méi)有結(jié)束。　　在轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)方面，東芝已經(jīng)花費(fèi)了太多的時(shí)間，效率之低下令股東十分不滿。日本權(quán)威媒體日經(jīng)新聞本周曾報(bào)道，東芝已經(jīng)敲定了閃存業(yè)務(wù)的接手方
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]