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高交會上東芝引領閃存技術走向
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- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好,在高交會電子展上展示的存儲技術和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術動向,也在引領未來閃存的發(fā)展趨勢。
- 關鍵字: 東芝 NAND 閃存 3D 201501
東芝:泄密了的閃存技術走勢
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術動向,也在引領未來閃存的發(fā)展趨勢。
- 關鍵字: 東芝 閃存 MLC MMC SLC BENAND
無NAND之地:閃存無法占領數(shù)據(jù)中心?
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- NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心?答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預測顯示,磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言,在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
- 關鍵字: NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 閃存
閃存存儲技術迅速走向成熟
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- 閃存技術在中國這幾年已經(jīng)獲得突飛猛進的發(fā)展,正在迅速走向成熟,之前阻礙閃存普及的價格門檻,正在逐步降低,未來閃存的可靠性會和價格一齊下降,但我們能夠通過系統(tǒng)軟件來更好地實現(xiàn)閃存的利用價值?! artner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾 2013年的中國閃存市場 Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾首先用數(shù)字說明2013年對于閃存來說絕對是一個不平凡的一年,首先閃存顆粒,Gartner的研究表明,每GB的價格成本下降41%,這是一個非常大的下降的
- 關鍵字: 閃存
數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代 閃存能否成棟梁
- 隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動終端和物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展,全球數(shù)據(jù)量每兩年翻倍的速度增長,人們選用的存儲介質(zhì)也發(fā)生了較大的變化,到2020年全球數(shù)據(jù)總量將達到44ZB。如此高速增長的數(shù)據(jù),采取什么樣的存儲更為愉快?閃存能否成為未來存儲的棟梁? 俗話說:以史為鑒,可以知興替?;仡欉^往,存儲行業(yè)從很久以前的磁帶存儲方式過渡到磁盤存儲方式,磁帶存儲沒有消亡,但磁盤占了主流。當前從磁盤存儲方式逐漸過渡到閃存方式,未來磁盤存儲不會消亡,但閃存勢必會占據(jù)
- 關鍵字: 閃存
PMC FlashTec NVRAM:抓住閃存細分市場需求
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- 當前,基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領域最大的熱點,市場上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門的閃存產(chǎn)品。大家公認閃存對于數(shù)據(jù)中心應用的加速效果十分明顯,無論是服務器內(nèi)部的固態(tài)硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領域得到驗證,尤其是隨著閃存成本價格穩(wěn)步下降,閃存在數(shù)據(jù)中心領域的應用趨勢必然加快。同時,隨著云計算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡、移動化四大趨勢的來臨,超大型數(shù)據(jù)中心用戶對于加速的需求更進一步,傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關鍵性應用需求,超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
- 關鍵字: Sandisk 閃存
干掉閃存 下代MRAM首次展示:快7倍
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- 近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場?! RAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
- 關鍵字: TDK 閃存
干掉閃存 - 下代MRAM首次展示:快7倍
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- 近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
- 關鍵字: 閃存 MRAM
市場報告:蘋果將在2015年購買全球25%閃存
- 根據(jù)臺灣市場研究公司Trendforce的最新報告,蘋果將在2015年購買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。 在iPhone和iPad中,蘋果通常會配備1GB運行內(nèi)存,而Mac配備的內(nèi)存可以高達16GB。在PC的世界中,使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運行速度更快,不過增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤替代。在移
- 關鍵字: 蘋果 閃存
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