閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

干掉閃存下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。　　MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)?！　DK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR&n
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閃存供應(yīng)商SanDisk第三季度凈利潤(rùn)同比降5%

　　10月17日，美國(guó)閃存供應(yīng)商SanDisk今天發(fā)布了2014財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，由于重組和收購(gòu)導(dǎo)致成本增長(zhǎng)9%，SanDisk第三季度凈利潤(rùn)同比下滑5%。由于業(yè)績(jī)未達(dá)分析師預(yù)期，SanDisk股價(jià)在盤后交易中下跌3%。　　在截至9月28日的今年第三季度，SanDisk凈利潤(rùn)為2.627億美元，合每股收益1.09美元，上年同期凈利潤(rùn)為2.769億美元，合每股收益 1.18美?元;不計(jì)入一次性支出，SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時(shí)，第三季度SanDisk營(yíng)收為17.5億
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。　　MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。　　TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲(chǔ)技術(shù)的原型。
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市場(chǎng)報(bào)告：蘋果將在2015年購(gòu)買全球25%閃存

　　根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司Trendforce的最新報(bào)告，蘋果將在2015年購(gòu)買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。　　在iPhone和iPad中，蘋果通常會(huì)配備1GB運(yùn)行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達(dá)16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運(yùn)行速度更快，不過(guò)增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤替代。在移
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中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
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SanDisk宣布11億美元收購(gòu)Fusion-io

　　北京時(shí)間6月16日晚間消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11億美元現(xiàn)金收購(gòu)閃存設(shè)備制造商Fusion-io Inc(FIO)。　　根據(jù)交易條款，SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元，較該股上周五收盤價(jià)溢價(jià)21%。　　SanDisk預(yù)計(jì)此項(xiàng)交易將于其第三財(cái)季完成，并將幫助提高其下半財(cái)年調(diào)整后每股盈利。　　Fusion-io位于美國(guó)鹽湖城，主要為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)閃存產(chǎn)品和軟件;Sandisk位于加州
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東芝開(kāi)始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開(kāi)始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內(nèi)率先提供此產(chǎn)品[2]。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速M(fèi)IPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實(shí)現(xiàn)了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。　　傳輸速度的加快可縮短各
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TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

　　據(jù)悉，TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)將于2014年8月開(kāi)始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過(guò)采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。　　目前，在消費(fèi)用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預(yù)計(jì)M.2的采用也會(huì)得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢(shì)是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時(shí)，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過(guò)了10年。　　因此，考
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Spansion 對(duì)旺宏電子發(fā)起另外兩項(xiàng)專利訴訟

　　行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對(duì)旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項(xiàng)專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴(kuò)大的存儲(chǔ)產(chǎn)品中，在過(guò)往以及當(dāng)前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。　　涉案的四項(xiàng)專利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
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美光在上海加大研發(fā)，實(shí)現(xiàn)“中國(guó)設(shè)計(jì)”

　　2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國(guó)的前景，因?yàn)橹袊?guó)“十二五”計(jì)劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?！　∧壳懊拦庠谏虾Ｓ袃蓚€(gè)設(shè)計(jì)中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計(jì)，比如開(kāi)發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室，旨在與客戶實(shí)現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開(kāi)發(fā)各種解決方案。此外美光
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LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展

　　全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級(jí)PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用快速增長(zhǎng)?！　SI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計(jì)用于對(duì)磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲(chǔ)環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個(gè)SAS/SATA連接接口。相對(duì)于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍?！　SI?&nb
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英特爾固態(tài)盤：不斷創(chuàng)新滿足用戶需求

　　在今天開(kāi)幕的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲(chǔ)器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob?Crooke就當(dāng)今固態(tài)盤(SSD)的市場(chǎng)狀況、發(fā)展趨勢(shì)以及英特爾固態(tài)盤業(yè)務(wù)的策略進(jìn)行了全面剖析。　　日益增長(zhǎng)的固態(tài)盤市場(chǎng)需求　　從1987年至今，非易失性存儲(chǔ)器也早已從NOR時(shí)代切換到了NAND時(shí)代，閃存產(chǎn)品的容量更是從MB時(shí)代進(jìn)入了TB時(shí)代?！笆紫?，我們很高興地看到，固態(tài)盤在市場(chǎng)需求方面，將保持高速成長(zhǎng)的勢(shì)頭，”?
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Spansion 與 ISSI 簽署授權(quán)協(xié)議

　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商?Spansion?公司與先進(jìn)存儲(chǔ)與Integrated?Silicon?Solution?公司日前共同宣布，雙方已簽署授權(quán)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議ISSI?將能夠獲得?Spansion?的專利組合，以開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)特殊閃存產(chǎn)品?！　SSI?閃存業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)部副總裁?Manjunatha?V.?Kashi?表示：“對(duì)于能夠與Spansion&n
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一種采用分離柵極閃存單元實(shí)現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測(cè)試結(jié)構(gòu)

　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲(chǔ)器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲(chǔ)器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP應(yīng)用的理想選擇，其架構(gòu)和許多增強(qiáng)功能可改善芯片集成度、IP使用率和測(cè)試時(shí)間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測(cè)方案。
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]