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分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達(dá)到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。 具體可參見下表。 ? “閃 存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
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LSI公布四季度及2012年全年業(yè)績
- LSI公司(NYSE：LSI)日前公布四季度業(yè)績以及截止至2012年12月31日的全年業(yè)績。
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NOR市場仍有可為 需找尋平衡點(diǎn)
- 近日Spansion公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對外宣稱推出45nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。這對在與NAND閃存競爭中處于下風(fēng)的NOR來說無疑是一大利好。這一技術(shù)對NOR閃存的市場發(fā)展會帶來怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場格局是否會發(fā)生變化成為業(yè)界關(guān)注熱點(diǎn)。 NOR技術(shù)仍在進(jìn)步 截至2020年，每個用戶擁有的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計將達(dá)到7臺左右，實現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無縫的設(shè)備間連接。在此過程中，閃存&ldqu
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 不過還是有個變通方法
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存儲器：唯持續(xù)獲利和研發(fā)方能立足
- 最近半導(dǎo)體廠商第三季度財報陸續(xù)出爐，可謂有人歡喜有人愁。Spansion公司第三季度銷售額為2.397億美元，毛利率為32.7%，這也是其連續(xù)8個季度持續(xù)嬴利，可謂走出去年被破產(chǎn)傳聞困擾的陰霾。Spansion如何在波動不止的市場中保持正增長，未來存儲器市場格局將如何演變?為此，《中國電子報》記者獨(dú)家專訪了Spansion首席執(zhí)行官兼董事會成員John Kispert。 貢獻(xiàn)來自NOR和新NAND閃存 談及Spansion增長的動力，John Kispert坦言，業(yè)績穩(wěn)定增長主要是因為NO
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宏力攜手同方穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米微縮版嵌入式閃存
- 提供卓越差異化技術(shù)的晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”)與國內(nèi)主要的智能卡設(shè)計公司之一，北京同方微電子有限公司(以下簡稱“同方微電子”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過2億顆，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國內(nèi)市場。 宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來0.38平方微米的閃存存儲單元面積顯著減小了近50%(小于
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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