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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

          海力士謀劃72層堆疊閃存:單顆輕松1TB

          •   如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高,迫使廠商們不得不持續(xù)改進技術(shù),尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。   2015年,SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2),單晶粒容量128Gb(16GB)。   2016年,SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3,閃存類型改成TLC,重點單晶粒容量256Gb(32GB),而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。   2017年,我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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          工序失衡!2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價繼續(xù)蔓延

          •   從2016年下半年開始,內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚,2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延,而且一整年都未必會有改觀。     據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài),今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃,全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外,群聯(lián)公司董事長潘建成也強調(diào),NAND閃存因為進入3D世代,制程良率無法提升,預計將缺貨一整年。   日前,金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時,針對DRAM內(nèi)存市場進行了分析,他表示,目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃
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          長江存儲和美光科技展開合作談判 涉及到閃存以及內(nèi)存技術(shù)授權(quán)

          •   中國半導體廠商近來加大了海外收購、合作的力度。早前行業(yè)內(nèi)曾經(jīng)傳言,中國紫光集團可能會收購美國閃存、內(nèi)存制造巨頭美光科技公司,但是傳言并未有下文。日前,紫光旗下公司證實,正在和美光進行有關(guān)技術(shù)授權(quán)、成立合資公司的談判。   據(jù)報道,作出上述表態(tài)的是中國長江存儲公司的副董事長丁文武。長江存儲是紫光集團旗下設立在武漢的企業(yè),董事長正是紫光集團掌門人趙偉國。   日前在合肥的一次會議上,丁文物對于記者表示,目前長江存儲公司正在和美光科技公司進行談判,涉及到閃存以及內(nèi)存技術(shù)的授權(quán),但是還沒有達成協(xié)議。這位高
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          三星最賺錢業(yè)務將被中國企業(yè)吃掉?

          • 伴隨著中國增加閃存投資,其和三星的閃存市場份額差距正在縮小,而技術(shù)上中國在過去10年時間里培養(yǎng)了一批人才,積累了一定技術(shù),在技術(shù)上迅速縮小與三星的差距。
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          SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

          • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸,最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell),原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到MLC(Multi-Level Ce
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          Spansion 起訴旺宏電子侵犯其專利權(quán)

          • 2013年 08 月 15 日,中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)今日宣布起訴臺灣旺宏電子股份有限
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          LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯技術(shù)

          • LSI SandForce詳細介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯方法,稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會上披
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          Spansion完成對富士通微控制器和模擬業(yè)務部門收購

          • 2013年 08月02日,中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)今天宣布已經(jīng)完成對富士通半導體有限
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          LSI閃存解決方案提升虛擬機密度和性能

          • LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出集成VMware虛擬化軟件支持的LSI® Nytro™ XD應用加速存儲解決方案。該款帶VMware支持的Nytro XD解決方案可將PCIe®閃存
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          四種閃存設計優(yōu)劣點分析

          • 由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢,在過去一年里,閃存的普及率開始飆升。不過,我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中,我
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          最快NOR閃存+突破性接口,Spansion帶用戶體驗“極

          • 新春過后不久,Spansion又帶來了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于該新接口的產(chǎn)品家族HyperFlash™ NOR閃存設備。據(jù)悉,搭載了
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          東芝要做64層3D閃存:三星48層情何以堪?

          •   三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名,而且已經(jīng)堆到了驚人的48層,工藝精良,不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》報道,東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存,比三星多三分之一!   7月15日,東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式,并透露將在此生產(chǎn)48層堆疊閃存,并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內(nèi)量產(chǎn)。   這種閃存的成本和價格會比較高,但是因為容量可以做的更大,平均價格反而會更便宜,可用于從智能手機、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領(lǐng)域,初期主要供應持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。
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          東芝3D閃存芯片:存儲容量將提高三成

          •   目前,越來越多的智能手機廠商,開始大幅度提高手機閃存的容量,市場對于閃存的需求和技術(shù)要求越來越高。據(jù)悉,日本東芝和韓國三星電子在閃存技術(shù)上存在激烈競爭,而東芝領(lǐng)先了一局,該公司即將大規(guī)模生產(chǎn)3D閃存。        手機內(nèi)存越配越高   據(jù)日本經(jīng)濟新聞周六報道,本財年內(nèi)(明年三月底之前),東芝公司將會投產(chǎn)最新一代的3D閃存,這將領(lǐng)先于閃存老對手三星電子。   眾所周知的是,東芝因為財務丑聞,公司運營陷入了艱難境地,東芝也希望自己占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢的閃存業(yè)務,能夠提振全公司的表現(xiàn)。
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          逆天閃存設備 居然能將數(shù)據(jù)保存至少百年

          •   據(jù)俄羅斯“衛(wèi)星”消息,俄羅斯經(jīng)濟與社會項目創(chuàng)新與發(fā)展社發(fā)布消息稱,俄羅斯Raidix公司將與日本松下共同開發(fā)能將數(shù)據(jù)保存至少100年的創(chuàng)新閃存設備。   目前,所有的閃存設備對數(shù)據(jù)的保存可以被認為是暫時的,它們可以無錯誤地保存數(shù)據(jù)5到10年,在此之后則需要將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到新的閃存中。   日俄雙方公司均認為,合作應該是互利的。松下公司將向俄方提供自己處理“冷保存”(訪問頻率不高)數(shù)據(jù)的freeze-ray技術(shù),同時,Raidix公司的工作是將&ldquo
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          華為閃存技術(shù),不止快人一步

          •   云計算、大數(shù)據(jù)、移動互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預測,到2020年,全球移動寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上,增加20億移動寬帶用戶,全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場規(guī)模將高達2000億美元。   華為在2016全球聯(lián)接指數(shù)中預測,2020年,數(shù)字經(jīng)濟時代將全面來臨,屆時,大數(shù)據(jù)分析將無處不在,想象一下,數(shù)十億計的智能電話、數(shù)百萬智能汽車、數(shù)百萬智能無人機、數(shù)百萬智能機器人在我們的身邊運轉(zhuǎn),遍布的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等技術(shù)將給人們的生活帶來巨大的改變和驚喜。   數(shù)據(jù)同樣在企業(yè)中蔓延,IDC預測,202
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          閃存 介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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