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日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利
- 根據(jù)Digitimes的研究報(bào)告顯示，日本前三大半導(dǎo)體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財(cái)年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤(rùn)已經(jīng)提高。 其中，東芝今年第一季度NAND閃存營(yíng)業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元)，達(dá)到2010年第一季度以來(lái)的最高水平。NAND閃存營(yíng)業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)連續(xù)三個(gè)季度增長(zhǎng)。 瑞薩電子今年第一季度營(yíng)業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達(dá)到1739億日元。然而，在連續(xù)七個(gè)季度的經(jīng)營(yíng)虧
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MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲(chǔ)器的分配
- MAXQ架構(gòu)是一種基于標(biāo)準(zhǔn)Harvard結(jié)構(gòu)、功能強(qiáng)大的單周期RISC微控制器，程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)總線相互獨(dú)立。這種組織 ...
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生產(chǎn)商過(guò)多 NOR閃存前景黯淡
- 據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，NOR閃存市場(chǎng)2013年一定會(huì)再度面臨挑戰(zhàn)。該市場(chǎng)中廠商眾多，都在爭(zhēng)食一張日益萎縮的大餅。 今年NOR營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元下降到34.1億美元左右，這將只是2004年93億美元峰值的40%。雖然該產(chǎn)業(yè)一直積極建立多存儲(chǔ)(multimemory)策略以提高業(yè)務(wù)多元化和改善NOR前景，但未來(lái)的營(yíng)業(yè)收入前景仍然令人泄氣。 尤其是，在一個(gè)已經(jīng)比較分散和不斷萎縮的市場(chǎng)中竟然有16家以上的NOR廠商，全部廠商都繼續(xù)成長(zhǎng)和共存似乎不太可
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NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)下降
- 據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，NOR閃存前景不妙。在智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域，NOR已經(jīng)輸給NAND閃存。 今年NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。與10年前的輝煌時(shí)期相比，近幾年NOR營(yíng)業(yè)收入水平相形見(jiàn)絀。2004年光景最好的時(shí)候，NOR營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出了90億美元的最高記錄。 2013年NOR營(yíng)業(yè)收入將進(jìn)一步降至34.1億美元，2014年降到32.5億美元，2015和2016年略有回升，然后2017年降到32.7億美元，
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NAND閃存去年第四季度意外增長(zhǎng)
- 據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個(gè)第四季度的下滑局面。 2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元?jiǎng)旁?7%。從兩個(gè)方面來(lái)看，這種環(huán)比增長(zhǎng)具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營(yíng)業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢(shì)，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營(yíng)業(yè)收入記錄。 三星電子占總體營(yíng)業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入為202億美元，
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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