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2011年NAND閃存銷售額將進一步增長
- 據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄，增長38%。預(yù)計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計2011年增長72%，達到193億GB。 盡管增長勢頭強勁，但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化?？紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過度投資擴大生產(chǎn)，風險可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時供應(yīng)可能超過需求。預(yù)計201
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產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存標準
- JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會, 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導標準制定機構(gòu)日前宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲器標準 - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會上，該標準制定取得的重大進展。該標準旨在成為智能手機與平板電腦等移動電子設(shè)備所使用的基于閃存的最先進的存儲規(guī)范。UFS標準的開發(fā)宗旨是為了滿足不斷提高的設(shè)備性能需求。其最初所支持的數(shù)據(jù)吞吐速率是每秒300兆字節(jié)，并支持指令排隊功能，以便提高隨機讀寫速度。該標準預(yù)計將在未來3個月內(nèi)完成。
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三星半導體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存
- 三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導，三星預(yù)計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 2010年5月在三星會長李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動工。包含建筑物費用等將階段性投入12兆韓元進行建設(shè)。三星半導體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準，每月最大產(chǎn)能可達20萬片以上。 三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進行閃存生產(chǎn)
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DRAM內(nèi)存芯片價格或迎來短期上漲
- 存儲芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示，盡管下滑趨勢依舊，但內(nèi)存和閃存芯片價格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。 來自交易市場的消息稱，在十一長假結(jié)束前市場對DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨，下周將進行新一輪的存貨補充。 不過inSpectrum也認為，由于零售渠道的根本需求依舊很弱，所以這種價格反彈只能是短期行為，不會持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價格，這也影響了整個內(nèi)存芯片市場的價格走
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]
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