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三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存
- 三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 2010年5月在三星會(huì)長(zhǎng)李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動(dòng)工。包含建筑物費(fèi)用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬片以上。 三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進(jìn)行閃存生產(chǎn)
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DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格或迎來短期上漲
- 存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)調(diào)研公司inSpectrum表示，盡管下滑趨勢(shì)依舊，但內(nèi)存和閃存芯片價(jià)格有望在中國(guó)十一長(zhǎng)假后迎來小幅回升。 來自交易市場(chǎng)的消息稱，在十一長(zhǎng)假結(jié)束前市場(chǎng)對(duì)DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長(zhǎng)假帶來的市場(chǎng)需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨，下周將進(jìn)行新一輪的存貨補(bǔ)充。 不過inSpectrum也認(rèn)為，由于零售渠道的根本需求依舊很弱，所以這種價(jià)格反彈只能是短期行為，不會(huì)持續(xù)太長(zhǎng)。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價(jià)格，這也影響了整個(gè)內(nèi)存芯片市場(chǎng)的價(jià)格走
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DRAM銷售將于后年衰退近三成
- 國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變，至2012年銷售恐將衰退近三成。 顧能表示，由于初期PC市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁和供應(yīng)減少，使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲，今年收益逼近420億美元，較預(yù)期獲利高出82.5%，出現(xiàn)戲劇性成長(zhǎng)和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變，2012年的銷售恐將衰退29%。 不過，快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)在智能型手機(jī)和平版媒體強(qiáng)勁的銷售帶動(dòng)下，收益至2013年皆會(huì)維持原有的成長(zhǎng)。
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基于閃存TMS320VC5409DSP并行引導(dǎo)裝載方法
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分析師認(rèn)為閃存熱 但是供應(yīng)鏈不配套
- 無疑2009年對(duì)于閃存市場(chǎng)是可怕之年。 要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測(cè)2010年全球閃存市場(chǎng)已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報(bào)告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報(bào)告，NOR及NAND市場(chǎng)都很熱。NOR市場(chǎng)由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場(chǎng)與2009年相比增長(zhǎng)33.4%，達(dá)215億美元。 這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。 Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場(chǎng)中有些購買者采
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基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)
- 摘要：提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡(jiǎn)單地使用大容量NAND Flash存儲(chǔ)器的方法。與一般方法相比，編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND Flash的讀、寫、擦除等時(shí)序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFl
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TIMC敗部復(fù)活 投入閃存產(chǎn)業(yè)再造
- 臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司TIMC，在整合DRAM受挫后，各界一度以為(宣明智)白忙一場(chǎng)，不過經(jīng)濟(jì)部通過TIMC與茂德、翔淮先進(jìn)光罩及晶豪科等公司合作，共同投入雙子星技術(shù)開發(fā)，讓TIMC敗部復(fù)活，TIMC表示，目前儲(chǔ)存型快閃記憶體產(chǎn)業(yè)主要還是掌握在美日韓手上，臺(tái)灣缺乏專利與自主技術(shù)，產(chǎn)業(yè)再造是業(yè)界必走的路。 由聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智主導(dǎo)的TIMC，當(dāng)初是應(yīng)政府救DRAM產(chǎn)業(yè)而籌設(shè)，但在籌設(shè)過程中，也獲得日商爾必達(dá)的善意回應(yīng)，但DRAM的合約價(jià)和市場(chǎng)價(jià)格，已在籌設(shè)過程中回到成本之上，業(yè)界從一天賠一棟帝寶回
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嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略
- 嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略,開發(fā)了一個(gè)基于閃存平臺(tái)的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設(shè)計(jì)、快速計(jì)算和跟蹤策略還可以延長(zhǎng)核心扇區(qū)使用壽命，保證系統(tǒng)啟動(dòng)可靠的服務(wù)。
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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