閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

SANDISK嵌入式固態(tài)硬盤采用全新SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)

全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商SanDisk公司（NASDAQ：SNDK）今日宣布，在其郵票大小的嵌入式固態(tài)硬盤系列SanDisk iSSD產(chǎn)品線中采用全新的SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)。一直致力于維護(hù)串行ATA （SATA）技術(shù)的質(zhì)量和完整性以及推廣工作的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織SATA-IO也于今日發(fā)布了此項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)。
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閃存將取代磁盤成為新型存儲(chǔ)嗎

　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開(kāi)始預(yù)測(cè)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤。他們的基本論點(diǎn)是，因?yàn)楣虘B(tài)盤(SSD)是基于集成電路的，所以他們的價(jià)格遵循摩爾定律，然而作為一種不可靠的機(jī)械裝置的硬盤卻并非如此。
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閃存將取代磁盤成為新型存儲(chǔ)嗎？

　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開(kāi)始預(yù)測(cè)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤，磁盤成為新型的磁帶，而磁帶變成老舊的磁帶，甚至是死亡。雖然沒(méi)有什么比不再用聽(tīng)到磁頭劃過(guò)盤片的聲音更好的事了，但是我認(rèn)為這些評(píng)論者可能有點(diǎn)樂(lè)觀了，就像是時(shí)尚人士預(yù)測(cè)深褐色會(huì)成為一種新的黑顏色一樣。
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數(shù)碼產(chǎn)品普及閃存將引領(lǐng)存儲(chǔ)潮流

　　隨著數(shù)碼產(chǎn)品，如智能手機(jī)和單反數(shù)碼相機(jī)等的高速發(fā)展和普及，人們對(duì)體積小容量大的閃存類產(chǎn)品需求越來(lái)越大。在很多時(shí)候，閃存品質(zhì)的好壞甚至直接影響到了數(shù)碼產(chǎn)品性能的發(fā)揮和數(shù)據(jù)的安全。近日，全球閃存領(lǐng)導(dǎo)品牌SanDisk閃迪中國(guó)區(qū)銷售總監(jiān)郭文利先生造訪昆明，記者對(duì)其進(jìn)行了采訪，就閃存市場(chǎng)的發(fā)展和閃迪中國(guó)市場(chǎng)策略進(jìn)行了溝通。
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第一季度NAND閃存領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭(zhēng)奪頭號(hào)排名的競(jìng)爭(zhēng)加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(zhǎng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！?/li>
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武漢力源代理銷售Greenliant產(chǎn)品

　　武漢力源信息技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱武漢力源)，日前與節(jié)能、高可靠性和安全性存儲(chǔ)器和固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域首屈一指供應(yīng)商Greenliant簽署了代理協(xié)議。根據(jù)雙方的協(xié)定,作為Greenliant的授權(quán)目錄分銷商, 武漢力源將在中國(guó)地區(qū)推廣和銷售Greenliant全部的NANDrive嵌入式固態(tài)存儲(chǔ)器(SSD)、NAND閃存控制器和特殊閃存產(chǎn)品。
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三星因?qū)＠謾?quán)向飛索賠償1.5億美元

　　飛索半導(dǎo)體(Spansion)與三星電子就專利訴訟達(dá)成和解，未來(lái)5年三星將向飛索半導(dǎo)體支付1.5億美元。根據(jù)雙方的協(xié)議，飛索半導(dǎo)體和三星簽訂了7年交叉專利授權(quán)。飛索同意以3000萬(wàn)美元收購(gòu)三星的破產(chǎn)債權(quán)，如果被法院批準(zhǔn)，飛索將被允許撤銷165-185萬(wàn)股股票。　　
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制，提供更好的讀寫(xiě)速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
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Spansion公司發(fā)布2011年第一季度財(cái)報(bào)

　　行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年3月27日第一財(cái)季的運(yùn)營(yíng)成果。由于公司重組后實(shí)行的新會(huì)計(jì)計(jì)量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時(shí)提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國(guó)GAAP凈銷售額為2.929億美元，經(jīng)營(yíng)虧損70萬(wàn)美元，凈虧損1410萬(wàn)美元。公司美國(guó)非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.944億美元，調(diào)整后運(yùn)營(yíng)收入3850萬(wàn)美元，調(diào)整后凈收入為2510萬(wàn)美元。
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帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn)

帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn),MCU(微控制器)在過(guò)去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數(shù)和數(shù)模外設(shè)、內(nèi)存大小及讀寫(xiě)次數(shù)等方面呈指數(shù)發(fā)展。我們專注于帶有非易失性嵌入式存儲(chǔ)器的MCU(我們?cè)赨SB閃存驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器等內(nèi)擁有閃存)，從首批帶有一次性編
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4月上旬閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月新高

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來(lái)的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。　
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Intel鎂光新加坡閃存合資廠舉辦正式開(kāi)業(yè)儀式

　　Intel與鎂光的閃存合資企業(yè)IMFT在新加坡的新閃存工廠近日舉辦了正式開(kāi)業(yè)儀式。這間工廠耗資近30億美元，員工人數(shù)有望達(dá)到1200人。這間工廠從去年中期開(kāi)始已經(jīng)在生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，目前正在提升該產(chǎn)品的產(chǎn)量，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候該廠將能開(kāi)足馬力進(jìn)行生產(chǎn)?！?/li>
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英特爾稱其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星

　　英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù)，英特爾稱利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。　　英特爾的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案部門的總經(jīng)理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的楷模，因?yàn)槲覀儗?huì)在制程技術(shù)上持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界轉(zhuǎn)換至越來(lái)越微小的技術(shù)?！?/li>
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NAND閃存市場(chǎng)或?qū)ⅰ氨辣P”

　　在2011年的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細(xì)節(jié)。　　在一段時(shí)間內(nèi)，由于手機(jī)、平板電腦和固態(tài)存儲(chǔ)等產(chǎn)品市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，NAND閃存廠商一直有著驚人的增長(zhǎng)速度。　　
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全新Spansion閃存產(chǎn)品為嵌入式應(yīng)用提供突破性能

　　Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已經(jīng)擴(kuò)大業(yè)內(nèi)最快速的NOR閃存產(chǎn)品系列，從而為新一代汽車、消費(fèi)電子和游戲等應(yīng)用注入強(qiáng)勁創(chuàng)新力。Spansion GL-S系列針對(duì)快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)、提升互動(dòng)性和啟動(dòng)性能而開(kāi)發(fā)，使得電子設(shè)備在按鍵后幾乎能夠立即啟動(dòng)，提供最快的交互用戶體驗(yàn)。這次擴(kuò)大的GL-S系列密度范圍包括128Mb至2Gb，相比同類競(jìng)爭(zhēng)NOR產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)提升最高達(dá)45%。　　Spansion GL-S系列產(chǎn)品是基于獲得高度成功的、針對(duì)交互游戲應(yīng)用的2Gb GL-S產(chǎn)品，該產(chǎn)品已于2
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]