閃存 文章 進(jìn)入閃存 技術(shù)社區(qū)
Spansion公司發(fā)布2011年第一季度財(cái)報(bào)
- 行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年3月27日第一財(cái)季的運(yùn)營成果。由于公司重組后實(shí)行的新會(huì)計(jì)計(jì)量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時(shí)提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國GAAP凈銷售額為2.929億美元，經(jīng)營虧損70萬美元，凈虧損1410萬美元。公司美國非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.944億美元，調(diào)整后運(yùn)營收入3850萬美元，調(diào)整后凈收入為2510萬美元。
- 關(guān)鍵字： Spansion 閃存
帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn)
- 帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn),MCU(微控制器)在過去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數(shù)和數(shù)模外設(shè)、內(nèi)存大小及讀寫次數(shù)等方面呈指數(shù)發(fā)展。我們專注于帶有非易失性嵌入式存儲(chǔ)器的MCU(我們在USB閃存驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器等內(nèi)擁有閃存)，從首批帶有一次性編
- 關(guān)鍵字： MCU優(yōu)點(diǎn) 閃存 雙組 帶有
全新Spansion閃存產(chǎn)品為嵌入式應(yīng)用提供突破性能
- Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已經(jīng)擴(kuò)大業(yè)內(nèi)最快速的NOR閃存產(chǎn)品系列，從而為新一代汽車、消費(fèi)電子和游戲等應(yīng)用注入強(qiáng)勁創(chuàng)新力。Spansion GL-S系列針對(duì)快速數(shù)據(jù)訪問、提升互動(dòng)性和啟動(dòng)性能而開發(fā)，使得電子設(shè)備在按鍵后幾乎能夠立即啟動(dòng)，提供最快的交互用戶體驗(yàn)。這次擴(kuò)大的GL-S系列密度范圍包括128Mb至2Gb，相比同類競爭NOR產(chǎn)品性能優(yōu)勢提升最高達(dá)45%。 Spansion GL-S系列產(chǎn)品是基于獲得高度成功的、針對(duì)交互游戲應(yīng)用的2Gb GL-S產(chǎn)品，該產(chǎn)品已于2
- 關(guān)鍵字： Spansion 閃存 嵌入式應(yīng)用
2011年NAND閃存銷售額將進(jìn)一步增長
- 據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲(chǔ)媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長38%。預(yù)計(jì)今年銷售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計(jì)2011年增長72%，達(dá)到193億GB。 盡管增長勢頭強(qiáng)勁，但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化。考慮到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過度投資擴(kuò)大生產(chǎn)，風(fēng)險(xiǎn)可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時(shí)供應(yīng)可能超過需求。預(yù)計(jì)201
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存標(biāo)準(zhǔn)
- JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì), 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)日前宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn) - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會(huì)上，該標(biāo)準(zhǔn)制定取得的重大進(jìn)展。該標(biāo)準(zhǔn)旨在成為智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)電子設(shè)備所使用的基于閃存的最先進(jìn)的存儲(chǔ)規(guī)范。UFS標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)宗旨是為了滿足不斷提高的設(shè)備性能需求。其最初所支持的數(shù)據(jù)吞吐速率是每秒300兆字節(jié)，并支持指令排隊(duì)功能，以便提高隨機(jī)讀寫速度。該標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)將在未來3個(gè)月內(nèi)完成。
- 關(guān)鍵字： 閃存 JEDEC
閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
閃存 電路
閃存 相關(guān)帖子
閃存 資料下載
閃存 專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473