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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌
- 九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫(kù)存增加壓力。 根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。 據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出，韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。 雖然許多內(nèi)存庫(kù)存商8月期間已經(jīng)減少其采購(gòu)，最新的報(bào)價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。 據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國(guó)公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國(guó)公司、Hynix美國(guó)公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國(guó)公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國(guó)公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國(guó)公司、東芝美國(guó)電子部件公司、
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東芝與SanDisk合資閃存工廠 計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)晶圓
- 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場(chǎng)地內(nèi)。 東芝于2006年8月開(kāi)始興建上述工廠，預(yù)計(jì)在2007年12月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬(wàn)片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi)，F(xiàn)ab 4項(xiàng)目的投資額預(yù)計(jì)達(dá)3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬(wàn)片。Fab
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東芝與SanDisk合資閃存工廠 計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)晶圓
- 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場(chǎng)地內(nèi)。 東芝于2006年8月開(kāi)始興建上述工廠，預(yù)計(jì)在2007年12月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬(wàn)片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi)，F(xiàn)ab 4項(xiàng)目的投資額預(yù)計(jì)達(dá)3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬(wàn)片。Fab 4在開(kāi)始階段將采用56納
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閃存將大規(guī)模入侵PMP市場(chǎng)
- iSuppli分析指出，在2011年，配置閃存的PMP的出貨量將從2006年的590萬(wàn)臺(tái)增長(zhǎng)到1.502億臺(tái)，增長(zhǎng)25.5倍。配置閃存的PMP2007年的出貨量將達(dá)到5480萬(wàn)臺(tái)，幾乎是2006年的9倍。PMP是指能夠播放視頻并且配置合適的彩色顯示屏的MP3播放機(jī)。同時(shí)，配置硬盤(pán)的PMP的出貨量將以更溫和的速度增長(zhǎng)。2011年配置硬盤(pán)的PMP的出貨量將從2007年的2930萬(wàn)臺(tái)增長(zhǎng)到3530萬(wàn)臺(tái)。NAND閃存成本已經(jīng)下降到MP3音樂(lè)播放機(jī)廠商能夠增加足夠的容量支持視頻內(nèi)容的程度。視頻比音頻需要更多的存儲(chǔ)容
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瑞薩科技發(fā)布帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU
- 瑞薩科技公司宣布，作為帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7個(gè)家族30款新產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族適用的應(yīng)用包括電源控制和電機(jī)控制，采用32引腳封裝，而R8C/2H和R8C/2J采用20引腳封裝。樣品將于2007年8月28日開(kāi)始在日本交付。 R8C/Tiny系列MCU全部帶有片上閃存，并結(jié)合了高性能與易用性。增加的30款新產(chǎn)品將R8C/Tiny系列中的產(chǎn)品總數(shù)增加到268個(gè)。通過(guò)增加適用于如電源控制和電機(jī)控制
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三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存 公司市場(chǎng)份額猛增
- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷(xiāo)售額達(dá)到14億美元，比第1季度的12億美元增長(zhǎng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內(nèi)存/存儲(chǔ)系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強(qiáng)勁主要是按容量計(jì)算增長(zhǎng)11%，出貨量增加歸功于擴(kuò)大蘋(píng)果iPhone和iPod等消
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歐盟批準(zhǔn)英特爾與意法半導(dǎo)體合并閃存業(yè)務(wù)
- 英特爾和意法半導(dǎo)體（STMicro）合并雙方閃存部門(mén)的計(jì)劃周一獲得了歐盟委員會(huì)的批準(zhǔn)。該合并計(jì)劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。 這筆交易將有助于合并后的公司實(shí)現(xiàn)規(guī)模化運(yùn)營(yíng)，解決閃存產(chǎn)品激烈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，并可以使兩家公司擺脫這個(gè)給他們的利潤(rùn)率帶來(lái)重壓的業(yè)務(wù)。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。 根據(jù)交易條款，意法半導(dǎo)體將向新成立的公司出售其閃存資產(chǎn)，英特爾將出售其N(xiāo)OR閃存資產(chǎn)及資源。做為交換，英特爾將得到合資企業(yè)45.1%的股權(quán)及4.32億美元現(xiàn)金，意法半導(dǎo)
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PISMO顧問(wèn)委員會(huì)發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)
- 致力于簡(jiǎn)化系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)驗(yàn)證和測(cè)試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì)近日宣布，PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過(guò)審批。這一針對(duì)目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴(kuò)展版為芯片組和存儲(chǔ)供應(yīng)商增加了 MMC存儲(chǔ)接口支持，從而滿(mǎn)足手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品中存儲(chǔ)豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì)于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計(jì)者可以方便地在不同廠商提供的開(kāi)發(fā)平臺(tái)上測(cè)試多種存
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盤(pán)點(diǎn)2006全球NOR閃存供應(yīng)商top 5
- 2006年Spansion取代英特爾成為最大NOR閃存供應(yīng)商 市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前公布了2006年全年及第四季度五家最大NOR閃存供應(yīng)商的初步排名。 2006年全球NOR閃存供應(yīng)商排名 “盡管2006年NOR市場(chǎng)擴(kuò)張，但這年供應(yīng)商的日子并不好過(guò)?！眎Suppli的資深分析師Mark DeVoss表示?！半m然2006年不象2005年那樣糟糕，但市場(chǎng)形勢(shì)仍然嚴(yán)峻。2005年總體NOR銷(xiāo)售額下降了15.5%，市場(chǎng)形勢(shì)依然嚴(yán)峻，所有
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三星調(diào)高閃存價(jià)格 帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上升
- 在三星向外界透露位于韓國(guó)的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對(duì)NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升。 業(yè)界預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報(bào)價(jià)。 在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊
- NAND Flash供需出現(xiàn)進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導(dǎo)致市場(chǎng)產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價(jià)部份，由于廠商仍存在過(guò)度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚(yáng)。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線(xiàn)全部停止運(yùn)轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄。現(xiàn)階段Samsung與市場(chǎng)上仍有一定庫(kù)存量，9月份實(shí)際供給
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NAND閃存迎來(lái)大發(fā)展 新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點(diǎn)
- 據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱(chēng)，閃存將“接管”整個(gè)世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會(huì)”上說(shuō)，一方面，NAND閃存正在打跨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤(pán)失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對(duì)1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤(pán)構(gòu)成了威脅。 他說(shuō)，NAND下一個(gè)大市場(chǎng)將是視頻，明年，市場(chǎng)上將會(huì)出現(xiàn)配置了更多閃存的相機(jī)和拍照手機(jī)。明年，市場(chǎng)上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。 在未來(lái)的5-7年內(nèi)，NAND還將開(kāi)始取代DRAM。由于技
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NAND缺貨潮空襲 存儲(chǔ)卡小廠幾乎倒一半
- 2007年NAND Flash價(jià)格走勢(shì)戲劇化，但對(duì)下游廠商而言，可謂是幾家歡樂(lè)幾家愁，一線(xiàn)快閃記憶卡大廠樂(lè)得NAND Flash價(jià)格止跌反彈，終止長(zhǎng)達(dá)1年的慘淡經(jīng)營(yíng)時(shí)期；然對(duì)于產(chǎn)業(yè)中的二、三線(xiàn)記憶卡廠而言，這波NAND Flash價(jià)格大漲的行情，反而不是什么好消息。因?yàn)樾S的拿貨能力有限，當(dāng)上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線(xiàn)大廠都不見(jiàn)得拿得到足夠的貨源時(shí)，等于是宣判小廠正式出局！ 業(yè)界表示，這波NAND Flash價(jià)格上漲除了是蘋(píng)果(Ap
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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