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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 閃存

          ST推出新的汽車(chē)級(jí)32-Mbit NOR閃存

          •   ST推出一個(gè)新的符合汽車(chē)級(jí)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車(chē)儀表板系統(tǒng)、汽車(chē)多媒體和其它的需要快速訪問(wèn)大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)。   ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車(chē)用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度,該系列還將增加一個(gè)64-Mbit的NOR閃存IC,到2007年底,還將增加一個(gè)128-Mbit的NOR閃存。   采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝,M29W320可以在2.7V
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          閃存價(jià)格持續(xù)狂跌 SanDisk計(jì)劃裁員降薪

          •  由于NAND閃存芯片,全球最大的閃存卡制造商SanDisk近期傳出消息,計(jì)劃裁員10%。   同時(shí),SanDisk計(jì)劃調(diào)的所有的高管的薪水,其CEO Eli Harari將減薪20%。   SanDisk公司的CEO Eli Harari明確指出,由于新的晶元廠廠生產(chǎn)超過(guò)消費(fèi)者需求,導(dǎo)致閃存卡產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)能過(guò)剩。而為了維持市占率,SanDisk將繼續(xù)調(diào)價(jià)產(chǎn)品售價(jià)30%~40%,甚至低于去年Q4的價(jià)格水平。   不斷下降的閃存價(jià)格還影響到了SanDisk和M-syst
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          分析師:蘋(píng)果iPod年底前將全部采用閃存

          •   據(jù)news.com.com網(wǎng)站報(bào)道,Prudential Equity Group分析師Jesse Tortora發(fā)表的報(bào)告稱(chēng),作為重新設(shè)計(jì)這個(gè)產(chǎn)品的一部分,蘋(píng)果在2007年年底將把視頻iPod播放機(jī)改為閃存。iPod Nano和iPod Shuffle已經(jīng)采用了閃存。    閃存有許多好處。與硬盤(pán)不同,它沒(méi)有移動(dòng)的部件,不會(huì)因?yàn)槎秳?dòng)或者摔下來(lái)二發(fā)生故障。閃存能夠讓蘋(píng)果制作出體積更小的、更薄的iPod播放機(jī)。按照30GB的iPod計(jì)算,向閃存
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          分析師:蘋(píng)果iPod年底前將全部采用閃存

          •     到今年年底,蘋(píng)果可能計(jì)劃將其全部iPod數(shù)字音樂(lè)播放機(jī)改為閃存。    據(jù)news.com.com網(wǎng)站報(bào)道,Prudential Equity Group分析師Jesse Tortora發(fā)表的報(bào)告稱(chēng),作為重新設(shè)計(jì)這個(gè)產(chǎn)品的一部分,蘋(píng)果在2007年年底將把視頻iPod播放機(jī)改為閃存。iPod Nano和iPod Shuffle已經(jīng)采用了閃存。    閃存有許多好處。與硬盤(pán)不同,它沒(méi)有移動(dòng)的部件,不會(huì)因
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          東芝增產(chǎn)與三星決戰(zhàn)2008年閃存市場(chǎng)

          •   東芝繼在第四季度利用三星NAND型MLC制程閃存產(chǎn)能投產(chǎn)不順而在市場(chǎng)上四處活躍,全力為自己產(chǎn)品打造輿論優(yōu)勢(shì)后,日前再度放言將在后年將大量增加NAND型閃存產(chǎn)能,期待2008年的最終產(chǎn)能能夠比今年年底增長(zhǎng)2倍以上,此言一出引起業(yè)界一陣轟動(dòng),有業(yè)內(nèi)人士評(píng)論稱(chēng),大家都在擴(kuò)產(chǎn)備戰(zhàn),未來(lái)NAND型閃存供給情況將不可避免面臨過(guò)剩局面,產(chǎn)業(yè)利潤(rùn)很快會(huì)被稀釋。   根據(jù)東芝半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人室町正志表示,東芝期待在2008年年底產(chǎn)較今年年底增長(zhǎng)2倍多,達(dá)到月產(chǎn)30萬(wàn)片12寸晶圓的目標(biāo)。為了達(dá)成這個(gè)目標(biāo),東芝將投入大量資金全
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          新內(nèi)存芯片材料實(shí)現(xiàn)速度高于閃存千倍

          •   北京時(shí)間12月12日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團(tuán)隊(duì)近日表示,已開(kāi)發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內(nèi)存的材料;與當(dāng)前常用的閃存相比,相變內(nèi)存運(yùn)行速度高于前者500~1000倍,能耗也將大幅度降低。    據(jù)悉該新型材料為復(fù)合半導(dǎo)體合金。IBM納米科學(xué)部門(mén)資深經(jīng)理斯派克
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          ST針對(duì)PC BIOS應(yīng)用推出4 KB存儲(chǔ)段粒度的16-Mbit頁(yè)式可擦除串行閃存

          • 意法半導(dǎo)體(ST)針對(duì)PC BIOS應(yīng)用推出4 KB存儲(chǔ)段粒度的16-Mbit頁(yè)式可擦除串行閃存  最高50MHz SPI兼容總線,快速頁(yè)式擦除,標(biāo)準(zhǔn)引腳,M25PE16是參數(shù)代碼存儲(chǔ)的最佳解決方案 意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: STM)宣布,M25PE系列頁(yè)式可擦除串行閃存產(chǎn)品新增一個(gè)段粒度4-Kbyte的16-Mbit存儲(chǔ)器芯片,該產(chǎn)品是PC BIOS應(yīng)用以及光驅(qū)、數(shù)字錄音機(jī)、網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品以及機(jī)頂盒(STB)等消費(fèi)電子存儲(chǔ)應(yīng)用的最佳選擇。作為
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          英飛凌32位芯片卡閃存微控制器喜獲2006年最佳硬件創(chuàng)新類(lèi)Sesames大獎(jiǎng)

          • 英飛凌科技股份有限公司(FSE/NYSE:IFX)日前宣布,英飛凌32位安全芯片卡閃存微控制器家族喜獲2006年最佳硬件類(lèi)Sesames大獎(jiǎng)。獲獎(jiǎng)消息是在巴黎Cartes展會(huì)開(kāi)幕前夕公布的。      如今已走過(guò)11個(gè)年頭的Sesames大獎(jiǎng)旨在表彰芯片卡行業(yè)的杰出創(chuàng)新和應(yīng)用成就。積極投身芯片卡行業(yè)的國(guó)際評(píng)審團(tuán)從參與10項(xiàng)Sesames大獎(jiǎng)角逐的203家公司中挑選出最終的獲獎(jiǎng)?wù)?。?jiǎng)項(xiàng)類(lèi)別包括“最佳硬件”、“最佳軟件”和“最佳應(yīng)用”等等。英飛凌32位芯片卡閃存微控制器
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          閃存太貴消費(fèi)電子產(chǎn)品增長(zhǎng)將推動(dòng)硬盤(pán)猛增

          • 據(jù)外電報(bào)道,專(zhuān)業(yè)人士近日指出,雖然遇到閃存這類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)性技術(shù)的挑戰(zhàn),但在2010年之前,硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器將仍然是不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)者電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件。    In-State公司近日發(fā)表研究報(bào)告稱(chēng),隨著消費(fèi)者用電子產(chǎn)品繼續(xù)成為增長(zhǎng)速度最快的應(yīng)用之一,全球硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器出貨數(shù)量將從2005年的3.8億臺(tái)增至2010年的7.48億臺(tái),    In-State公司分析師Ehier說(shuō):盡管硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)小到足以裝進(jìn)絕大多數(shù)便攜消費(fèi)者電子設(shè)備,但競(jìng)爭(zhēng)性?xún)?chǔ)存解決方案,比如日益增長(zhǎng)的閃存能力,在繼續(xù)威脅硬盤(pán)市場(chǎng)。&
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          Spansion推出全球首款每單元四比特閃存

          • Spansion推出 MirrorBit® Quad技術(shù)——全球首款每單元四比特閃存  Spansion™ MirrorBit Quad 技術(shù)將與來(lái)自媒體存儲(chǔ)事業(yè)部的解決方案共同 為電子設(shè)備拓展創(chuàng)新的閃存產(chǎn)品 Spansion (Nasdaq: SPSN)演示了業(yè)界首款每單元四比特閃存技術(shù)的工作芯片。該芯片由其位于得克薩斯州奧斯汀的Fab 25制造。Spansion™ Mir
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          Micron35億美金押寶NAND閃存

          •    美國(guó)半導(dǎo)體廠商Micron美光表示,他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資,以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。     產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為,美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存,一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景,另外,美光也希望借此在和三星電子、東芝等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢(shì)地位。    美光之前和Intel合資成立IM Flash公司,目前的主營(yíng)業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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          Spansion將CryptoFlash集成到處理器中

          • Spansion宣布將Discretix CryptoFlash集成到針對(duì)手機(jī)的Spansion安全處理器中  Spansion 宣布,Discretix的CryptoFlash™ 安全技術(shù)將集成到Spansion的安全處理器中,用于基于閃存的手機(jī)安全解決方案。Discretix位于以色列的尼坦亞,在針對(duì)閃存和便攜式產(chǎn)品方面,是嵌入式安全解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商。 Spansion基于內(nèi)存的手機(jī)安全解決方案適用于各類(lèi)手機(jī)市場(chǎng),能夠保護(hù)珍貴的個(gè)人信息、內(nèi)容和
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          飛思卡爾推出Power Architecture™技術(shù)MCU

          •   飛思卡爾半導(dǎo)體在微控制器(MCU)技術(shù)領(lǐng)域再次取得突破,進(jìn)一步推動(dòng)了下一代傳動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)和其它汽車(chē)控制應(yīng)用的創(chuàng)新步伐。該公司的旗艦產(chǎn)品MPC55xx 汽車(chē)控制系列的基礎(chǔ)是Power Architecture™技術(shù),現(xiàn)在新增了一款MPC5566 ——首款集成了3兆閃存的32位MCU。        MPC5566微控制器在當(dāng)今業(yè)界的MCU上嵌入了最大的閃存容量。通過(guò)滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用對(duì)更大嵌入式內(nèi)存的不斷增長(zhǎng)的需求,MPC5566能幫助
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          意法車(chē)用32-Mbit閃存演繹更高存取性能

          •  新技術(shù)給 M58BW32F帶來(lái)多項(xiàng)重要功能, 包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護(hù)機(jī)制 意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一個(gè)新的專(zhuān)門(mén)為汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)的升級(jí)版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因?yàn)槟軌蛟谄?chē)的全程溫度范圍內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行高速存取操作,所以特別適合汽車(chē)客戶(hù)對(duì)傳動(dòng)系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求,同時(shí)還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車(chē)系統(tǒng)。 新產(chǎn)品M58BW32F采用先進(jìn)的0.11微米制造技術(shù),汲取了ST在獨(dú)立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年
          • 關(guān)鍵字: 32bit  32-bit  LBGA80封裝  ST  單片機(jī)  高速存取  汽車(chē)  汽車(chē)電子  嵌入式  嵌入式系統(tǒng)  閃存  意法半導(dǎo)體  封裝  汽車(chē)電子  

          三星8GB60納米閃存 用于便攜式播放設(shè)備

          •    三星在一個(gè)月內(nèi)將NAND的容量提高了四倍。     三星宣布,公司開(kāi)發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設(shè)備。這種新的高容量多級(jí)單元(MLC )閃存是基于60納米的制造工藝,與70納米的產(chǎn)品相比,60納米工藝可以讓產(chǎn)量提高25%。     有了這種最新的技術(shù),三星能夠向消費(fèi)者提供8GB 內(nèi)存的解決方案,它采用兩個(gè)4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。  
          • 關(guān)鍵字: 60納米  便攜式播放  三星  閃存  
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          閃存 介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě),這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]

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