閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

Q2三星NAND Flash市占率43.9%

　集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%，穩(wěn)居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴充計劃，加上大廠們新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期，因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量僅維持與第一季相當(dāng)水平，不過受惠于產(chǎn)品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落

閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢，這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。　　DRAM報價一片漲聲　　根據(jù)內(nèi)存交易機構(gòu)DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。　　DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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手機與MP3 NAND Flash 市場需求過半

集邦科技表示，手機及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash產(chǎn)能最多的前兩大終端裝置，合計使用的NAND Flash將占市場需求端的一半以上，達52.1%，將是左右NAND Flash市場供需的關(guān)鍵。集邦科技指出，手機將是今年NAND Flash最大應(yīng)用市場，所占比重達27.3%，MP3/PMP播放器次之，約占24.8%；其中MP3/PMP播放器市場，iPod全球市占率超過一半以上，Apple因而是影響市場供需的關(guān)鍵廠商。至于手機市場方面，由于NAND&n
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MP3、手機、DSC成NAND Flash應(yīng)用金三角

　　NAND型快閃存儲器(Flash)終端需求快速擴散，從過去由數(shù)碼相機(DSC)獨霸應(yīng)用端型態(tài)，近期已轉(zhuǎn)變成MP3播放器、手機、DSC金三角撐起一片天局面，3者合計占NAND Flash應(yīng)用達80%，隨身碟應(yīng)用則緊追在后；值得注意的是，自2007年第3季起，由于插卡式手機快速普及，使得手機占NAND Flash應(yīng)用比重已正式超過MP3播放器。　　目前NAND Flash應(yīng)用主要包括DSC、MP3播放器、手機、隨身碟和其它應(yīng)用，其中，DSC、MP3播放器、手機等3項領(lǐng)域共占
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Nand Flash合約價大漲模塊廠樂透

集邦科技最新報告指出，伴隨需求持穩(wěn)放大，加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡，NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象，七月上旬NANDFLASH合約報價，SLC大漲15％至30％之多％。集邦認(rèn)為，依照當(dāng)前掌握數(shù)據(jù)觀察，整體NAND Flash需求將在第三季超過供給，下半年NAND Flash將供不應(yīng)求，第三季、第四季供給缺口各約0.3％、1.5％。模塊廠勁永指出，F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌，因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響，五月份下旬價格才開始緩步
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iPhone銷售將影響NAND Flash市場供需

NAND flash方面，由于iPhone內(nèi)部使用的NAND flash顆粒是以三星（Samsung）的產(chǎn)品為主，所以三星的NAND flash營收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預(yù)估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬支左右，而2008年iPhone的出貨量將占全球手機市場的1%左右，到達1200萬支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同，則iPhone耗用NAND flash的數(shù)量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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全球NAND Flash供貨將拉警報

　　NAND型閃存(Flash)供應(yīng)端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴(yán)重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應(yīng)下游客戶端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力，被迫將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)進至50nm主流制程，加上為供應(yīng)蘋果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無力滿足下游客戶訂單需求，因此，業(yè)界紛預(yù)期2007年下半全球NA
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美光對NAND Flash發(fā)布警告

　　全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示，目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當(dāng)快速且先進，但微影技術(shù)無法跟上NAND Flash廠發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設(shè)備商技術(shù)竟遠落后NAND Flash大廠數(shù)年，幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展，還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商，自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。　　近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠，加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅

根據(jù)國外媒體報導(dǎo)， NAND閃存市場上的競爭業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產(chǎn)量，并且準(zhǔn)備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭，也在準(zhǔn)備因應(yīng)市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應(yīng)用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動作頻仍，市場領(lǐng)導(dǎo)供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家

NAND閃存產(chǎn)業(yè)風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，變化相當(dāng)快速，原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓（Kingston）苦苦追趕，飽受價格大跌之苦，然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后，SanDisk成為了閃存存儲卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓，到終端成品制造一條鞭掌握的模式，在缺貨時期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價格大跌、終端需求疲弱不振的影響，財報出現(xiàn)了赤字，SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元，每股剛好損益平衡，第二季度受到了NAND閃
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”

根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的，并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價和收益率的悲哀狀況了。與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失，該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。經(jīng)濟學(xué)101法則需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
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Spansion在2006年手機閃存市場中占據(jù)領(lǐng)先地位

iSuppli稱，手機市場銷量的強勁上揚推動NOR閃存供應(yīng)商Spansion在2006年全球無線手機閃存市場中據(jù)于領(lǐng)先地位，并提升了其在全球閃存市場的排名。 2006年Spansion面向手機市場的NOR型閃存銷量增加到18億美元，較2005年的14億美元提高了35%。增長幅度是全球手機閃存市場增幅（2006年達到61億美元，較2005年的52億上升了16.4%）的兩倍以上。 2006年，Spansion的市場份額增加到29.9%，較2005年的25.8%有所上升。從而使Spansion在全球閃存市場排名
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華邦推出業(yè)界首顆四通道SPI串行閃存器件

華邦電子有限公司日前正式宣布推出業(yè)界首顆四通道SPI串行閃存器件。容量為16Mbit的W25Q16SpiFlash是第一顆屬于W25Q系列的產(chǎn)品，這一系列將提供單/雙/四通道SPI輸入輸出格式，使用成本低廉的8引腳封裝，容量為8Mbit到64Mbit。在推出W25Q系列產(chǎn)品之前，串行閃存器件通常用于存儲非易失性代碼，系統(tǒng)通電后，代碼將從閃存器件下載到SDRAM中，這一過程稱為代碼映射(code-shadowing)?，F(xiàn)在，微處理器可以通過使用高
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三星調(diào)高閃存價格帶動內(nèi)存價格上升

業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。　　在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。來自內(nèi)存模具廠的消息稱三星對MLC結(jié)構(gòu)的8GB、16GB和32GB
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嵌入式系統(tǒng)中閃存設(shè)備IO軟件的設(shè)計與實現(xiàn)

1、引言隨著嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大，系統(tǒng)復(fù)雜性也在不斷提高。閃存作為廣泛使用的嵌入式存儲設(shè)備，其管理技術(shù)和訪問方式經(jīng)歷了一個由開發(fā)員直接控制到由操作系統(tǒng)的I/O軟件間接控制的過程。然而目前現(xiàn)有的這些閃存管理方案都不能提供一種方便、統(tǒng)一且移植性好的I/O軟件接口，增加了嵌入式產(chǎn)品的研發(fā)周期。因此，本文旨在針對一般的嵌入式應(yīng)用，設(shè)計并實現(xiàn)一種更合理的閃存I/O軟件。該軟
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]