閃存 文章 進(jìn)入閃存 技術(shù)社區(qū)
三星為3G手機(jī)開發(fā)出大容量閃存芯片系統(tǒng)
- 韓國三星電子公司日前發(fā)布了一款針對(duì)3G手機(jī)設(shè)備的大容量閃存芯片產(chǎn)品，其內(nèi)部實(shí)際封裝了多顆閃存芯片，手機(jī)上的外部存儲(chǔ)卡插槽可能從此成為歷史。 據(jù)三星稱，這個(gè)嵌入式4GB多芯片系統(tǒng)被叫做moviMCP，它在一個(gè)單元上集成了多個(gè)存儲(chǔ)功能，消除了對(duì)外部擴(kuò)展槽的需求，因而可以為高度壓縮的手機(jī)節(jié)省更多空間。這個(gè)封裝包含了16Gb NAND閃存和一個(gè)控制器，一個(gè)為處理器提供支持的1Gb DRAM芯片和一個(gè)支持手機(jī)整體運(yùn)行的2Gb NAND芯片。 為不同類型的NAND
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英特爾與意法合營閃存或?yàn)閿[脫虧損
- 傳言可能退出NOR閃存市場(chǎng)的英特爾選擇了另一條道路。日前，它與意法半導(dǎo)體宣布，將組建一個(gè)新的合資公司，以共同經(jīng)營閃存業(yè)務(wù)。 之前，業(yè)內(nèi)一直猜測(cè)，在退出通訊處理器市場(chǎng)后，英特爾將會(huì)退出NOR閃存市場(chǎng)，以應(yīng)對(duì)來自PC芯片對(duì)手的沖擊。 新的合資公司的工廠將設(shè)立在瑞士與荷蘭，大約雇用8000名員工，主要生產(chǎn)制造NOR和NAND類型的閃存芯片產(chǎn)品。合資公司中，意法半導(dǎo)體擁有48.6%的較多股份，英特爾持有45.1%，另外一家美國企業(yè)擁有剩余股份。 這也是英特爾繼對(duì)手AMD之后的行動(dòng)。2003年，AMD與日本富士通整
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意法半導(dǎo)體與英特爾合建最大閃存公司
- 5月23日 據(jù)國外媒體報(bào)道，意法半導(dǎo)體及英特爾昨天發(fā)表聲明，計(jì)劃將各自虧損的閃存部門合并成一家新公司，這家新公司將成為全球最大的閃存制造公司。 該份聲明指出，意法半導(dǎo)體將持有新公司48.6%的股權(quán)并獲得新公司給予的4.68億美元；英特爾將持有45.1%股權(quán)，得到4.32億美元。一向以收購科技公司為目標(biāo)的公司FranciscoPartners將對(duì)這家新公司投資1.5億美元，并持有6.3%股權(quán)。合并后的公司年收入將達(dá)36億美元。 據(jù)報(bào)道，意法半導(dǎo)體CEO Bozotti
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聯(lián)電看準(zhǔn)CPU和閃存市場(chǎng)機(jī)會(huì) 有意多方出擊
- 為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品多樣化，臺(tái)灣晶圓廠聯(lián)華電子（UMC，簡稱聯(lián)電）有意利用自己的65納米和45納米技術(shù)進(jìn)軍CPU和NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)領(lǐng)域。聯(lián)電稱他們正在洽談一宗CPU生產(chǎn)協(xié)議，但對(duì)于出擊大容量閃存市場(chǎng)的問題則顯得出言謹(jǐn)慎。 聯(lián)電首席執(zhí)行官胡國強(qiáng)稱聯(lián)電“難以忽視”發(fā)展迅速的閃存市場(chǎng)，因此計(jì)劃在NAND、NOR和SRAM領(lǐng)域追逐訂單，但不會(huì)涉足DRAM（內(nèi)存）市場(chǎng)。胡國強(qiáng)不愿透露具體細(xì)節(jié)，但暗示聯(lián)電不會(huì)在目前激烈混戰(zhàn)的閃存產(chǎn)品市場(chǎng)涉足過深。 “NAND和NOR的價(jià)格起伏太大了，所以我們對(duì)此不得不深思熟慮，”胡國強(qiáng)
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SanDisk閃存繼續(xù)降價(jià) 56nm量產(chǎn)指日可待
- 今年第一季度NAND閃存出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價(jià)格也隨之大幅度下跌，這對(duì)新達(dá)公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元，而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%，去年則為28.4%。存儲(chǔ)卡平均容量達(dá)到了1231MB，年增長率為87%，季度增長率 為11%。而每MB平均價(jià)格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。 對(duì)于出現(xiàn)這種局面的原因，公司主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型
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閃存將取代硬盤 2010年20%筆記本電腦采用閃存
- 4月30日，據(jù)外電報(bào)道，速度更快、更安靜的筆記本電腦已經(jīng)問世，閃存取代了硬盤的位置，但其容量有限及價(jià)格昂貴，意味著這種新科技還無法普及到大眾市場(chǎng)。 “價(jià)格差異仍大?！比蜃畲蠊P記型電腦代工廠商--臺(tái)灣的廣達(dá)電腦總經(jīng)理王震華表示，“我不認(rèn)為未來3年閃存電腦將成主流?！贝送?，儲(chǔ)存容量是另一個(gè)問題。128GB是目前閃存的最大容量，使其難以與臺(tái)式PC的硬盤競(jìng)爭。 不過，有分析師認(rèn)為，普及的日子應(yīng)該不遠(yuǎn)了。閃存目前以每年五成的速度下跌，分析師預(yù)測(cè)到2010年，約有20%筆記本電腦采用閃存作為硬盤。Gartner在近
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英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。 美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC 閃存組件體積更小，能量效益更高，能夠更理想的使用在目前的計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB，而SLC閃存組件的密度僅4GB。 英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示，我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存
- 東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場(chǎng)，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。
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閃存價(jià)格雪崩 廠商遭遇生死劫
- 前幾天，晚上8點(diǎn)剛下飛機(jī)的華南地區(qū)閃存芯片貿(mào)易商陳耀東，接到公司業(yè)務(wù)員緊急電話匯報(bào)：韓國三星1GB閃存芯片顆粒價(jià)格再度回降到6美元以內(nèi)，僅比512MB規(guī)格芯片的拿貨價(jià)格高出幾元人民幣?！皬?12MB改1G并不那么容易?！睒I(yè)務(wù)員提醒道：“一些客戶可能要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品電路板模具和操作軟件進(jìn)行修改，隱性成本反而提高”。 成本倒逼 閃存芯片作為制造U盤、MP3以及存儲(chǔ)卡的主要原材料芯片，占到全部成本的60%~70%。記者近日了解到，由于三星、現(xiàn)代等主力閃存革新生產(chǎn)工藝，1G規(guī)格閃存已全面切換為新制程工
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嵌入式閃存使“智能”汽車接口應(yīng)用得以實(shí)現(xiàn)
- 在SoC設(shè)計(jì)中，對(duì)共存元件特別是非易失存儲(chǔ)器進(jìn)行排列，可不是一件容易的事情，因?yàn)橛袕?fù)雜度要求，就會(huì)有潛在成本的上升。其決竅就是在確保最終 IC仍能提供有成本效益的取代方案的同時(shí)對(duì)各種元件加以集成。 現(xiàn)代汽車中日益增加的汽車電子元件已對(duì)汽車的空間和重量提出了挑戰(zhàn)。并且，在汽車電子集成的過程中，當(dāng)重量的問題通過使線束合理化得以改進(jìn)后，空間的限制仍然為主要的關(guān)注點(diǎn)。 因此，對(duì)于關(guān)注節(jié)省空間的工程師們來說
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英飛凌推出擁有10萬個(gè)讀/寫周期的8位閃存微控制器
- 英飛凌科技股份公司宣布推出一個(gè)8位嵌入式閃存微控制器（MCU）產(chǎn)品家族，該產(chǎn)品家族可用于高達(dá)+140
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韓國成功開發(fā)8納米級(jí)閃存元件
- 韓國科學(xué)技術(shù)院研究人員13日宣布，他們已成功開發(fā)出世界最小的8納米級(jí)三維非揮發(fā)性閃存元件。 據(jù)此項(xiàng)研究負(fù)責(zé)人、韓國科學(xué)技術(shù)院電子計(jì)算機(jī)系教授崔陽奎和納米綜合制造中心負(fù)責(zé)人李熙哲介紹，由這種8納米級(jí)閃存元件制成指甲大小的存儲(chǔ)芯片，就可儲(chǔ)存1000多部DVD電影。 據(jù)介紹，這種8納米級(jí)閃存元件有望開啟兆兆位(萬億比特)級(jí)內(nèi)存時(shí)代，并在10年后完全實(shí)現(xiàn)商用化。 韓國科學(xué)技術(shù)院計(jì)劃于今年6月12日在日本京都舉行的國際學(xué)術(shù)會(huì)議上公布相關(guān)研究成果。
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Spansion 發(fā)布 MirrorBit HD-SIM 解決方案開發(fā)計(jì)劃
- Spansion發(fā)布了其MirrorBit® HD-SIM™系列的產(chǎn)品開發(fā)計(jì)劃，該系列是Spansion下一代基于閃存的SIM卡解決方案。Spansion® HD-SIM解決方案能夠提供更高的靈活性、性能和存儲(chǔ)容量，幫助移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商、內(nèi)容和應(yīng)用提供商為其客戶提供全新的差異化服務(wù)。Spansion MirrorBit HD-SIM解決方案不僅能支持分發(fā)、存儲(chǔ)和訪問SIM卡上存儲(chǔ)的數(shù)字內(nèi)容，還能提供先進(jìn)的安全性能和加密功能，加強(qiáng)數(shù)字保護(hù)。 安全的MirrorBit HD
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ST推出新的汽車級(jí)32-Mbit NOR閃存
- ST推出一個(gè)新的符合汽車級(jí)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、工作溫度范圍-40℃到+125℃的32-Mbit閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品M29W320是為汽車儀表板系統(tǒng)、汽車多媒體和其它的需要快速訪問大量代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用專門設(shè)計(jì)。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的車用NOR閃存產(chǎn)品組合。到2007年第二季度，該系列還將增加一個(gè)64-Mbit的NOR閃存IC，到2007年底，還將增加一個(gè)128-Mbit的NOR閃存。 采用ST的最先進(jìn)的0.11µm閃存制造工藝，M29W320可以在2.7V到3
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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