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          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
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	靜態(tài)隨機存儲器（sram）
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          靜態(tài)隨機存儲器（sram） 文章
                  進入靜態(tài)隨機存儲器（sram）技術(shù)社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          汽車TFT彩屏儀表開發(fā)技巧
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：本文基于飛思卡爾的MPC5606S芯片，介紹了MPC5606S針對TFT彩屏控制的顯示器控制模塊(DCU)，且對于TFT彩屏上的各種動畫效果，進行逐一解析如何在MPC5606S上實現(xiàn)。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MPC5606S  DCU  TFT  汽車儀表  SRAM  201310                          
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          MPU還是MCU，不是一個簡單選擇的問題
          
                                                            
            
                    	
          • 當為你的下一個設(shè)計方案選擇正確的核心處理器件時，你應(yīng)該考慮哪些因素呢?本文將對MPU和MCU做些對比分析，并以此對器件的選擇給出一些指導(dǎo)性建議和意見。
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          • 關(guān)鍵字：
                        MCU  MPU  ARM  DMIPS  SRAM                          
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          DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總
          
                                                            
            
                    	
          • 問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？　　答：名詞解釋如下　　DRAM--------動態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  SRAM  SDRAM                          
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          基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 交換矩陣是核心路由器的重要組成部分，為了避免來自不同輸入端口的信元同時發(fā)往同一個輸出端口，需要在輸入端口設(shè)置緩沖區(qū)，即輸入排隊交換結(jié)構(gòu)。基于靜態(tài)隨機存儲器完成了交換矩陣輸入端口虛擬輸出隊列(VOQ)的設(shè)計，該設(shè)計可以降低核心路由器交換芯片的面積，提高輸入端口緩沖區(qū)信元的響應(yīng)速率，并通過DE-115開發(fā)板完成對設(shè)計的驗證。
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          • 關(guān)鍵字：
                        交換矩陣  輸入端口  VOQ  SRAM                          
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          東芝開發(fā)嵌入式SRAM低功耗技術(shù)智能手機
          
                                                            
            
                    	
          • 　　東芝公司已經(jīng)宣布了一項新的突破，應(yīng)用于嵌入式硬件的智能手機和移動產(chǎn)品市場。東芝公司已經(jīng)宣布成功研究了一個新的低功耗的嵌入式SRAM技術(shù)。新技術(shù)有望延長智能手機和其他設(shè)備的電池壽命。東芝表示，新的技術(shù)通過功率計算器和數(shù)字化控制減少設(shè)備運行溫度從常溫到高溫時的損耗，以路的主電源和備用電源的長時間運行。
　　在25°C，這項新技術(shù)在設(shè)備運行時可節(jié)省約85%的損耗，而在設(shè)備待機時間可以節(jié)省約27%的的損耗。東芝公司已經(jīng)在2013年在舊金山國際固態(tài)電路會議上展示這項新技術(shù)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        東芝  嵌入式  SRAM                          
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          基于FPGA的SRAM自測試研究
          
                                                            
            
                    	
          • 引言

            　　SRAM有高速和不用刷新等優(yōu)點，被廣泛用于高性能的計算機系統(tǒng)。由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的提高以及存儲系統(tǒng)多方面的需要，存儲器件日益向高速、高集成方向發(fā)展，在使系統(tǒng)功能強大的同時，也增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性
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          • 關(guān)鍵字：
                        FPGA  SRAM  自測試                            
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          基于CMOS圖像傳感器的視頻采集系統(tǒng)設(shè)計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 提出了一種采用Altera公司CycloneⅡ系列的FPGA作為主控芯片，采用OV7670這款CMOS圖像傳感器作為視頻信號源并采用SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)作為數(shù)據(jù)緩存的實用方案，實現(xiàn)了對圖像傳感器寄存器配置、圖像傳感器輸出信號采集、圖像數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換、圖像數(shù)據(jù)緩存及最終在VGA顯示器上進行圖像顯示的一系列過程。該視頻采集系統(tǒng)設(shè)計能夠很好地滿足實時圖像的輸出需求。
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          • 關(guān)鍵字：
                        視頻采集  OV7670  FPGA  SRAM  VGA                          
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          SRAM外部數(shù)據(jù)存儲器擴展實驗
          
                                                            
            
                    	
          • 一、實驗?zāi)康?．掌握89C51單片機擴展外RAM的方法2．了解靜態(tài)RAM使用方法二、實驗說明MCS-51型單片機內(nèi)有1 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        SRAM  數(shù)據(jù)存儲器  擴展實驗                          
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          賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口
          
                                                            
            
                    	
          • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        賽普拉斯  NAND  SRAM                          
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          RTN的SRAM誤操作進行觀測并模擬的方法簡介
          
                                                            
            
                    	
          • 瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在ldquo
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SRAM  RTN  模擬  方法                            
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          Cortex—M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究
          
                                                            
            
                    	
          • 引言    目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程 ...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Cortex-3  SRAM  自檢測                          
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          詳解s3c44b0 cpu 8K cache SRAM的初始化
          
                                                            
            
                    	
          • 關(guān)于s3c44b0的cpu內(nèi)部8Kcache SRAM的初始化問題。主要是因為cpu_init()調(diào)用了icache_enable()函數(shù)，而該函數(shù) ...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        s3c44b0  SRAM  初始化                          
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          Microchip推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應(yīng)。通過四路SPI或SQI協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。

　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        Microchip  SRAM                          
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          SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑
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          • 關(guān)鍵字：
                        SRAM  SoC  低電壓                            
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          采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計,1 前言　針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進設(shè)計的方法，并給出了部分VHDL程序?！　? 硬件設(shè)計　　這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲  設(shè)計  數(shù)據(jù)  大容量  FPGA  SRAM  采用                          
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          靜態(tài)隨機存儲器（sram）介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條靜態(tài)隨機存儲器（sram）!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對靜態(tài)隨機存儲器（sram）的理解，并與今后在此搜索靜態(tài)隨機存儲器（sram）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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