靜態(tài)隨機存儲器（sram） 文章 進入靜態(tài)隨機存儲器（sram）技術(shù)社區(qū)
全球存儲及觸摸感應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商賽普拉斯簽約世強合力開拓中國成長型新市場
- 前不久，全球高性能、混合信號、可編程解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商賽普拉斯(Cypress)簽下中國本土最具實力的分銷商世強(Sekorm)，由后者負責(zé)其全線產(chǎn)品包括PSoC®可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應(yīng)解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等在中國區(qū)的分銷業(yè)務(wù)。 賽普拉斯全球分銷高級總監(jiān)Kamal Haddad表示很高興找到了值得信賴的分銷伙伴一起開拓市場，中國市場對賽普拉斯非常重要，世強將在開拓新市場的同時，直接支持新的設(shè)計，擴展客戶基礎(chǔ)并建立持續(xù)的合作關(guān)系。 賽普拉斯198
- 關(guān)鍵字： Cypress Sekorm PSoC SRAM
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計與實現(xiàn)
- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實時顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對大量數(shù)據(jù)進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結(jié)構(gòu)特點很好地適應(yīng)了這些要求，是傳統(tǒng)RAM無法達到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴展，這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制，來
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賽普拉斯加強在中國和韓國的分銷力量 增加五家新代理商
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，已經(jīng)與中國及韓國的五家新代理商達成協(xié)議。即日起，中國的大豆科技、世強和利爾達，韓國的HB公司和STC公司將加入賽普拉斯的銷售隊伍。這些分銷合作伙伴將銷售賽普拉斯的全線產(chǎn)品，包括PSoC?可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應(yīng)解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等。 賽普拉斯全球分銷高級總監(jiān)Kamal Haddad說：“我們很高興和這些值得信賴的合作伙伴一起拓展我們的分銷渠道。中國和韓國市場對于賽普拉斯來說非常重要，這五個合作伙伴將協(xié)助我們將各類產(chǎn)品滲透到新增的65個分
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賽普拉斯發(fā)布異步SRAM
- 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準(zhǔn)的數(shù)據(jù)可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設(shè)計并節(jié)省電路板空間。該器件可確保工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費電子和汽車等應(yīng)用領(lǐng)域里的數(shù)據(jù)安全。 背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內(nèi)容，丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯誤校正動作，無需用戶干預(yù)，因而具有業(yè)界最佳的軟錯誤(S
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賽普拉斯推出QDR-IV SRAM用于下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
- 靜態(tài)隨機存取存儲器市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，量產(chǎn)業(yè)界首款四倍速(QDR?-IV?)SRAM。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM有144和72-Megabit?(Mbit)兩種容量，可滿足下一代交換機和路由器的100-400?Gigabit線卡對隨機傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM是市場上性能最高的標(biāo)準(zhǔn)網(wǎng)絡(luò)存儲器解決方案。 對于不斷提升的線卡和交換速率來說，RTR(每秒完整隨機存取次數(shù))是存儲器性能的重要指標(biāo)。提升線卡速率的瓶
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基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
東芝產(chǎn)出從深度休眠模式快速喚醒的極低泄漏SRAM
- 東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)今天宣布，該公司已經(jīng)開發(fā)出適用于低功耗微控制器備用RAM的極低泄漏65納米靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)，它可以實現(xiàn)從深度休眠模式快速喚醒。 東芝于2月11日在2014年美國電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)國際固態(tài)電路會議上公布了這一進展，此次大會在加州舊金山舉行。 可穿戴式設(shè)備、醫(yī)療保健工具和智能電表等低功耗系統(tǒng)對較長的電池放電時間存在強勁需求。降低這些系統(tǒng)所使用微控制器的功耗存在許多挑戰(zhàn)，隨著工藝的升級換代，泄漏電流的
- 關(guān)鍵字： 東芝 SRAM
靜態(tài)隨機存儲器（sram）介紹
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