靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram） 文章 進(jìn)入靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）技術(shù)社區(qū)
賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件
- RAM業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速? (QDR?) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM 系列產(chǎn)品中的最新成員。這些新的存儲(chǔ)器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產(chǎn)品線，最高容量可達(dá)144Mbit，速度最快可達(dá)550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術(shù)最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領(lǐng)了“綠色”網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)應(yīng)用的新潮流。
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基于位線循環(huán)充電SRAM模式的自定時(shí)電路設(shè)計(jì)
- 隨著集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續(xù)增長，使得高性能和低功耗設(shè)計(jì)已成為芯片設(shè)計(jì)的主流。在微處理器和SoC中，存儲(chǔ)器占據(jù)了大部分的芯片面積，而且還有持續(xù)增加的趨勢(shì)。這使存儲(chǔ)器中的字線長度和位線長度不斷增加，增加了延時(shí)和功耗。因此，研究高速低功耗存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)集成電路的發(fā)展具有重要意義。對(duì)SRAM存儲(chǔ)器的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行研究，在多級(jí)位線位SRAM結(jié)構(gòu)及工作原理基礎(chǔ)上，以改善SRAM速度和功耗特性為目的，設(shè)計(jì)了基于位線循環(huán)充電結(jié)構(gòu)的雙模式自定時(shí)SRAM，其容量為8K×32 b。
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基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)
- 基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì), 1 前言 針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。 2 硬件設(shè)計(jì) 這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
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SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用
- 同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)
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賽普拉斯推出全球首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應(yīng)時(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲(chǔ)服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。 CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時(shí)間可達(dá)12ns。器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48-B
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分析美光沖得那么快能堅(jiān)持多久？
- 編者點(diǎn)評(píng)：存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。它的特點(diǎn)起伏大，幾乎每十年有一次大的變動(dòng)及盈利一年要虧損2-3年。另一個(gè)是反映半導(dǎo)體制造工藝能力水平，通常新建生產(chǎn)線會(huì)采用SRAM工藝來通線及會(huì)盡可能的采用最先進(jìn)工藝技術(shù)。另外存儲(chǔ)器的產(chǎn)值約占半導(dǎo)體的23%，但其投資會(huì)占到半導(dǎo)體的40-60%。盡管看似供求市場決定它的周期變化, 非常簡單,然而實(shí)際上操作很難。所以韓，美包括臺(tái)灣地區(qū)都不會(huì)輕易退出此領(lǐng)域。中國是全球最大的半導(dǎo)體市場, 從長遠(yuǎn)戰(zhàn)略看不該缺席存儲(chǔ)器。 美光公司報(bào)道它的季度業(yè)績由虧損3億美元轉(zhuǎn)變到盈利9
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瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)
- 瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時(shí)，以更小的面積實(shí)現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號(hào)：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達(dá)到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認(rèn)了其工作性能。主要用于實(shí)現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。 在So
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靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）的理解，并與今后在此搜索靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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