靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram） 文章 進(jìn)入靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）技術(shù)社區(qū)
富士通半導(dǎo)體與SuVolta攜手合作
- 富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。
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賽普拉斯推出32位總線寬度低耗異步SRAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長(zhǎng)電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
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賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長(zhǎng)電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
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QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì)
- QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì),為了滿足當(dāng)前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求，更新的靜態(tài)存儲(chǔ)器應(yīng)運(yùn)而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲(chǔ)器?！ ? QDR SRAM的
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QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM
- 北京訊，包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容，從而使網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器及聚合平臺(tái)制造商不必修改電路板設(shè)計(jì)，只需提高系統(tǒng)內(nèi)時(shí)鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能?！?/li>
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AM-OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片中內(nèi)置SRAM的設(shè)計(jì)
- 摘要：詳細(xì)描述了一種內(nèi)置于AM-OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片中的單端口SRAM電路的設(shè)計(jì)方法，提出了一種解決SRAM訪問時(shí)序沖突問題的仲裁算法。同時(shí)給出了基于0．18mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)的一款大小為320x240x18位的SRAM電路。通過
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Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)
- 據(jù)消息來源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來源還稱Intel“很快就會(huì)”對(duì)外公開展示一款基于這種22nm制程的處理器實(shí) 物。不過記者詢問Intel發(fā)言人后得到的答復(fù)則是:"我們不會(huì)對(duì)流言或猜測(cè)進(jìn)行評(píng)論。" 盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm制程SRA
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靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）介紹
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