靜態(tài)隨機(jī)存儲器(sram) 文章 進(jìn)入靜態(tài)隨機(jī)存儲器(sram)技術(shù)社區(qū)
賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL (更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能,從而充分滿足電信、計算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
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QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM
- 北京訊,包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容,從而使網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器及聚合平臺制造商不必修改電路板設(shè)計,只需提高系統(tǒng)內(nèi)時鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能?!?/li>
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Finfet+平面型架構(gòu)混合體:傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)
- 據(jù)消息來源透露,Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié),據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu),而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來源還稱Intel“很快就會”對外公開展示一款基于這種22nm制程的處理器實 物。不過記者詢問Intel發(fā)言人后得到的答復(fù)則是:"我們不會對流言或猜測進(jìn)行評論。" 盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm制程SRA
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靜態(tài)隨機(jī)存儲器(sram)介紹
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