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靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram） 文章 進(jìn)入靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）技術(shù)社區(qū)
SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析
- 同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、
- 關(guān)鍵字： 分析 應(yīng)用 網(wǎng)絡(luò) SRAM
基于SRAM的FPGA配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式解析方案
- 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優(yōu)越的性能表現(xiàn)，當(dāng)前采用FPGA 芯片的嵌入式系統(tǒng)數(shù)量呈現(xiàn)迅速增加的趨勢(shì)，特別是在需要進(jìn)行大規(guī)模運(yùn)算的通信領(lǐng)域。目前FPGA 配置數(shù)據(jù)一般使用基于SRAM 的存儲(chǔ)方式，掉電后數(shù)據(jù)消失，
- 關(guān)鍵字： SRAM FPGA 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 方式
一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 ...
- 關(guān)鍵字： 微控制器 在線仿真 開(kāi)發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM
Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)
- Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì),本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺(tái)和軟件架構(gòu)硬件平臺(tái)采
- 關(guān)鍵字： 優(yōu)化 設(shè)計(jì) 應(yīng)用程序 SRAM ColdFire 片內(nèi) Linux
使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)
- 使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
- 關(guān)鍵字： SoC 存儲(chǔ)器 設(shè)計(jì) ASIC 嵌入式 SRAM 工藝 實(shí)現(xiàn) 使用
富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作
- 富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta公司宣布，通過(guò)將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果會(huì)在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器，以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電
- 關(guān)鍵字： 富士通 SRAM
富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊
- 富士通半導(dǎo)體和SuVolta宣布，通過(guò)將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器，以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電壓又是決定功耗的重要因素
- 關(guān)鍵字： 富士通 SRAM
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）的理解，并與今后在此搜索靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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