據 iSuppli 公司，日本爾必達是第二季度全球 DRAM 市場明星，大幅提價導致其營業(yè)收入比第一季度勁增了 50%。
在五大 DRAM 供應商中，第二季度爾必達業(yè)績最好，營業(yè)收入從第一季度時的 4.97 億美元上升到 7.45 億美元。第二季度該公司 DRAM 的平均銷售價格(ASP)比第一季度提高了 32%，推動其業(yè)績明顯提升。
爾必達通過擴大面向移動與消費應用的專用 DRAM 銷售，大幅提高了營業(yè)收入與 ASP。這些專用 DRAM 價格高于通用產品，幫助爾必達取得了優(yōu)于競爭對手的業(yè)
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爾必達 DRAM DDR3
據市場研究公司iSuppli稱，2009年第二季度全球DRAM內存芯片的銷售收入達45億美元，比今年第一季度的34億美元增長了34%。今年第一季度全球DRAM內存芯片的銷售收入比去年第四季度下降了19%。不過，與去年同期相比，第二季度的DRAM內存芯片的銷售收入下降了33.5%。
日本內存芯片供應商Elpida Memory第二季度的DRAM內存銷售收入是7.45億美元，比第一季度的4.79億美元增長了50%，是所有DRAM內存芯片廠商中增長率最高的。第二季度DRAM內存芯片的平均銷售價格比第一
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三星 DRAM 內存芯片 DDR3
臺灣資訊工業(yè)策進會日前預計，今年臺灣半導體產值可達1.14萬億元，比去年衰退13%。同時，受惠于新興市場成長，部分領域的產值可能超過全球平均水準。
臺灣媒體引述資策會的分析稱，今年第一季度是臺灣半導體產業(yè)的景氣底限，在上下游業(yè)者同步快速調整庫存的情況下，第二季度的產業(yè)供應鏈恢復正常供需水準。受惠于下游系統(tǒng)產業(yè)回暖，目前半導體產業(yè)各項指標都出現回升跡象。
其中，臺灣晶圓代工產業(yè)產值約占全球產值的70%，今年第一、第二季度產值分別約為525億元、1000億元，第三季度將比第二季度增長15%以上
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半導體 DRAM
全球DRAM產業(yè)景氣回春，價格逐漸觸底反彈，促使原本減產的臺系DRAM廠紛復工生產，其中，華亞科和南亞科率先增產，力晶近期亦宣布全面取消無薪假，大家都想多生產一點，為2009年傳統(tǒng)旺季行情拼一拼。存儲器業(yè)者表示，力晶目前單月投片量已接近8萬片，但其中有50%是晶圓代工生意，標準型存儲器的量還不多。
力晶2008年10月在DRAM價格過低，虧損劇烈的情況下，率先宣布減產，之后引發(fā)其它DRAM廠包括爾必達(Elpida)、南亞科、華亞科、海力士(Hynix)、茂德等陸續(xù)跟進，在供給逐漸減少的情況下，
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力晶 DRAM DDR3
DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)、顯示和背光對于上網本來說是較耗電的部分?，F在在芯片組上Intel、VIA和AMD公司均已提出將推出大幅降低功耗的產品，因此后續(xù)改為采用較省電的DDR3以及LED背光方式能夠使上網本更節(jié)能。
由于本身相關芯片均比筆記本電腦的功率需求低，所以上網本相對有較高的電池使用時間?，F在的電源方案與筆記本電腦應該是相同的設計思路，未來的電源設計可能會有一些改變，但還需要市場的認同。
我們可以提供PWMIC(電源管理集成電路)、LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和MOSFET。這些
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Intel DRAM DDR3 LED背光
根據配備各種存儲器的電子終端等的產量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為，1990年代曾經拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。
按8Gbit產品換算，NAND需求規(guī)模將達到400億個
《日經市場調查》的調查結果顯示，按8Gbit產品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
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三星 DRAM NAND
臺灣芯片產業(yè)正走在十字路口上，今天的決定可能影響業(yè)界未來多年的方向與活力。
目前臺灣的DRAM公司太多，又都債臺高筑，政府急于整合DRAM產業(yè)，因而創(chuàng)設臺灣記憶體公司(TMC)，推動整合。政府也終于處理迫切需要改變的半導體大陸投資政策。
民間半導體業(yè)者也做好改變的準備，張忠謀回任臺積電董事長，準備領導臺積電進軍大陸市場。聯電也把自己和大陸和艦半導體的關系正?；?，準備迎接即將來臨的改變。
臺積電與聯電深知下一階段的成長機會在大陸，也深知如果要成為大陸半導體領導廠商，必須做好全力打進市場
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臺積電 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產，爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導入40納米制程，將成為美光旗下第1個導入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出，雖然現在多家DRAM廠開始復工生產，但多是采用落后制程生產，也很難募得新資金升級機器設備，因此不認為全球DRAM產業(yè)供需會因此惡化。
美光表示，2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前
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Samsung 40納米 DRAM
隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠產能相當吸引人，不會像奇夢達倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。
現階段TMC還未有產能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
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美光 DRAM NAND
三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內存芯片工廠進行升級改造，這一過程中將裁員500人。
三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。
今年早些時候，三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當地擁有兩家工廠，分別生產DRAM內存芯片和NAND閃存芯片。
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三星 內存芯片 DRAM NAND
“2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產保護而進行的戰(zhàn)略調整。
Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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Spansion DRAM 閃存
臺灣新成立DRAM公司——臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場的計劃正進入沖刺階段，臺灣半導體封測廠矽品周四表示，董事會通過將投資TMC普通股，金額10-20億臺幣，為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。
矽品發(fā)言人江百宏表示，“決定投資主要是看好TMC與日本爾必達的合作模式，而且這是政府支持的產業(yè)再造計劃。”
TMC公司人士則是不予置評。
為了整合臺灣DRAM產業(yè)，“經濟部”在今年3月便宣布主導成立TMC，由
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TMC DRAM
耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。
耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。
“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
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存儲器 DRAM 閃存 FeDRAM
爾必達和Numonyx已經推遲它們的代工計劃達6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產，如今要推遲到2010年的上半年。
盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達注資，可是對于存儲器制造商爾必達最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達還不可能如奇夢達同樣的命運，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經濟剌激，因為從長遠看能生存下來可能是個奇跡。
前些時候爾必達CEO己經把爾必達的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質疑為什么要支持
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爾必達 DRAM 50nm 40nm
DDR3需求暢旺，市場缺口本季仍無法滿足，南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量，搶食商機。
在英特爾CULV平臺帶動需求下，DDR3價格走勢凌厲。根據集邦科技(DRAMe change)報價，1Gb DDR3現貨價格已從第二季末的1.5美元附近，近期已站穩(wěn)2.15美元以上，本季以來漲幅逾43%。
盡管DDR2最近也開始展開漲價行情，但現貨價仍在1.45美元附近，DDR3與DDR2仍有近五成的價差，價格優(yōu)勢帶動下，將有助推升業(yè)者營運。
在DDR3效應推升下，市調機構
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力晶 DRAM DDR3 CULV
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