1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
- DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價格平民化的趨勢，未來內(nèi)建高容量存儲器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
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施顏祥：處理TMC 著眼技術(shù)生根
- 臺灣新任“經(jīng)濟(jì)部長”施顏祥11日強(qiáng)調(diào)，成立TMC的時空環(huán)境在變，當(dāng)時規(guī)劃時全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴(yán)峻狀態(tài)，現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術(shù)生根臺灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。 施顏祥說，現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整，他會在下周聽取工業(yè)局簡報(bào)，了解TMC政策推動進(jìn)度與細(xì)節(jié)，再決定未來怎么做，原則上還是會以技術(shù)生根角度處理TMC的問題。 施顏祥臨危受命接下“經(jīng)濟(jì)部”重?fù)?dān)，未來不僅要面對TMC政策衍生的爭議，還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經(jīng)濟(jì)合作架
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全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢
- 盡管近期DRAM價格大幅反彈，但估計(jì)2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場。 DRAM價格雖已開始反彈，然復(fù)原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預(yù)計(jì)第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進(jìn)入獲利，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇，美光和爾必達(dá)2
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 40納米 晶圓代工
高盛：未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產(chǎn)業(yè)
- Window 7將在下個月上市，觸控面板成為主打商機(jī)。不過，今天高盛出具的產(chǎn)業(yè)報(bào)告卻是指出未來3~6個月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認(rèn)為，今年TFT LCD的價格在9月已經(jīng)到頂，因?yàn)?0月回補(bǔ)庫存結(jié)束。而在DRAM方面，據(jù)了解，國內(nèi)最早切入DDR3 NB的宏碁，目前搭載DDR3產(chǎn)品的出貨占五成。 臺灣NB大廠宏碁，在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB，該六款NB也都搭載2G DDR3，顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴(kuò)大。而優(yōu)群目前連接器方面已經(jīng)準(zhǔn)備因應(yīng)未來DDR3的
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40nm工藝帶來全新競爭力
- 全球能源問題的集中爆發(fā)，讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。與眾多先進(jìn)電源管理方案實(shí)現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比，制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。 市場研究機(jī)構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示，過去數(shù)十年來，集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色，未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時，專業(yè)
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三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓
- 韓國三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。 報(bào)導(dǎo)指出，三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報(bào)導(dǎo)指
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上半年臺灣四大內(nèi)存廠商共虧555億新臺幣
- 9月2日消息，據(jù)臺灣媒體報(bào)道，茂德昨公布今年上半年財(cái)報(bào)，稅后凈損109.78億元，僅次于力晶的稅后凈損180.61億元，四家DRAM廠上半年共虧555億元，平均每天虧損3.04億元。 茂德上半年?duì)I收僅35.5億元，比去年同期大幅衰退近八成，營業(yè)毛損124.2億元，毛利率負(fù)314%，較去年同期負(fù)56.4%大幅增加，營業(yè)虧損139.9億元，稅后凈損109.8億元，每股凈損1.51元。 茂德第二季營收21.37億元，營業(yè)毛損54.6億元，毛利率為負(fù)255%，營業(yè)虧損61.61億元，稅后凈損23.
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德州儀器有意1.725億美元收購奇夢達(dá)
- 據(jù)國外消息報(bào)道，法庭文件顯示，德州儀器計(jì)劃斥資1.725億美元收購奇夢達(dá)旗下申請破產(chǎn)的美國子公司。 眾所周知，德州儀器是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商,設(shè)計(jì)并生產(chǎn)模擬器件,數(shù)字信號處理(DSP)以及微控制器(MCU)半導(dǎo)體芯片,是模擬器件解決方案和數(shù)字嵌入及應(yīng)用處理半導(dǎo)體解決方案的專家，而奇夢達(dá)是全球第四大DRAM芯片制造商，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于PC;受產(chǎn)品價格劇跌和全球融資緊縮拖累，奇夢達(dá)于今年1月份申請破產(chǎn)。今年2月份，QimondaRichmond與奇夢達(dá)旗下另一子公司一同申請了破產(chǎn)保護(hù)。Qimond
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TMC成立 DRAM四大陣營競爭態(tài)勢即將成型
- 近期爾必達(dá)(Elpida)陸續(xù)發(fā)布與臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)相關(guān)的訊息，似乎也意味TMC正式營運(yùn)的日子已越來越近。市調(diào)機(jī)構(gòu)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)表示，TMC成立后，全球DRAM產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入TMC/爾必達(dá)、臺塑集團(tuán)/美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)等四大聯(lián)盟相互競爭的態(tài)勢。 爾必達(dá)社長(土反)本幸雄日前于股東會中指出，TMC對爾必達(dá)的出資比重預(yù)估將為9.5%;爾必達(dá)預(yù)計(jì)于2009年度 (2009年4月～2010年3月)內(nèi)以第三者配額增資的方式自TMC取得200
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旺宏計(jì)劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報(bào)道，臺灣旺宏計(jì)劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)廠雪上加霜。 旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴(kuò)廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計(jì)劃，已向臺灣當(dāng)局遞交文件，申請進(jìn)駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計(jì)年底前動工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 為配合旺宏建廠計(jì)
- 關(guān)鍵字： 旺宏 DRAM 60納米 芯片
臺灣旺宏計(jì)劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報(bào)道，臺灣旺宏計(jì)劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)廠雪上加霜。 旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴(kuò)廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計(jì)劃，已向臺灣當(dāng)局遞交文件，申請進(jìn)駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計(jì)年底前動工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 為配合旺宏建廠計(jì)
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 內(nèi)存芯片
PC成長力道不足 DRAM反彈不表示產(chǎn)業(yè)回春
- 報(bào)告指出，分析2009年DRAM產(chǎn)品應(yīng)用，NB的應(yīng)用需求有29%，加上桌上型的個人計(jì)算機(jī)，兩者合計(jì)高達(dá)53%，在未來PC成長率不易大幅度成長下，近期雖DRAM價格明顯反彈，仍不表示產(chǎn)業(yè)就此正式回春。 2008年DRAM價格由金融風(fēng)暴造成「庫存換現(xiàn)金、不計(jì)成本」現(xiàn)象，2008年第四季最低1Gb現(xiàn)貨價0.49美元，合約價0.81美元，而近期DDR2 1Gb現(xiàn)貨價已達(dá)1.52美元，合約價1.34美元，合約價已經(jīng)上漲了1.6倍之多。 分析2009年DRAM產(chǎn)品應(yīng)用，NB的應(yīng)用需求有29%，加上桌上
- 關(guān)鍵字： PC DRAM
評論:DRAM產(chǎn)業(yè)再造 應(yīng)著重外部效益
- 為解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)所面臨的困境，政府提出產(chǎn)業(yè)再造方案，希望能夠藉此進(jìn)行產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，擺脫以往脆弱的營運(yùn)模式，提升產(chǎn)業(yè)未來的國際競爭力。惟近來半導(dǎo)體需求逐漸回溫，DRAM市場價格也漸有起色，遂有政府應(yīng)見好就收、趕緊退場的意見浮出，究竟廠商是否可藉此價格回升的機(jī)會渡過難關(guān)?政府是否應(yīng)該急流勇退?值得進(jìn)一步探討。 基本上DRAM市場價格主要還是由供需的狀況來決定。根據(jù)調(diào)查，目前DRAM整體總產(chǎn)能仍然過剩，市場需求的提升，能否導(dǎo)致價格回穩(wěn)，須視主要DRAM大廠產(chǎn)能開出的情況而定。若大廠維持目前產(chǎn)能利
- 關(guān)鍵字： Qimonda DRAM
奇夢達(dá)資產(chǎn)四分五裂 德儀、爾必達(dá)、華邦分食
- 德國DRAM廠奇夢達(dá)(Qimonda)進(jìn)入破產(chǎn)程序后，由于找不到買主接手存儲器事業(yè)，旗下資產(chǎn)陸續(xù)被處分出售，繼日前繪圖卡存儲器(GDDR)技術(shù)售予爾必達(dá)(Elpida)和華邦之后，奇夢達(dá)在美國Richmond的子公司也可望售予德州儀器(TI) 來生產(chǎn)類比IC產(chǎn)品，奇夢達(dá)終究躲不過分拆出售的命運(yùn)，也意味奇夢達(dá)確定走入歷史。 奇夢達(dá)在2009年初申請破產(chǎn)保護(hù)，然由于旗下自己研發(fā)的46奈米制程Buried Wordline技術(shù)已開發(fā)成功，原本要再大陸找尋新的投資者進(jìn)駐，然之后卻傳出破局，在找不到新買主
- 關(guān)鍵字： 奇夢達(dá) DRAM 存儲器 GDDR
日韓擴(kuò)產(chǎn) DDR3漲勢受阻
- 消息指出，韓國DRAM大廠三星(Samsung)、海力士(Hynix)計(jì)劃本月底大幅提高DDR3產(chǎn)能，此動作恐削緩目前DDR3供不應(yīng)求的力道，短期價格上漲恐出現(xiàn)阻力，使得上周五最新現(xiàn)貨報(bào)價已落破2美元。 此外，日本大廠爾必達(dá)(Elpida)也計(jì)劃將位于廣島的主力生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)生產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)9月起DDR3的月產(chǎn)量將自現(xiàn)行的2到3萬片倍增至7.5萬片。 臺灣力晶上周五亦開始全面停止無薪假，且擴(kuò)大投片搶攻DDR3市場。 業(yè)界表示，DRAM廠爭相擴(kuò)大DDR3產(chǎn)出，供給與需求面逐漸取得平衡
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM DDR3
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