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IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲
- 分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。 IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后，對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。 “我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。” 資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
海力士半導(dǎo)體擬售28%股權(quán) 曉星集團(tuán)有購買意向
- 據(jù)外電報(bào)道，曉星集團(tuán)表示了收購海力士半導(dǎo)體的意向。 海力士股份管理協(xié)商會(huì)主管機(jī)構(gòu)的外換銀行表示，在受理海力士收購意向書(L01)截止的最后一天，只有一家企業(yè)提交了意向書。據(jù)了解，這家企業(yè)是曉星集團(tuán)。 外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括：公平交易委員會(huì)指定的企業(yè)集團(tuán)當(dāng)中，去年資產(chǎn)總額達(dá)到5萬億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團(tuán)中，資產(chǎn)總額達(dá)2萬億韓元以上的14家企業(yè)。 當(dāng)初估計(jì)，國內(nèi)至少會(huì)有4、5家企業(yè)會(huì)對(duì)收購海力士有興
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 存儲(chǔ)芯片
三星加大DDR3芯片產(chǎn)量緩解市場需求壓力
- 據(jù)報(bào)道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺(tái)北舉行的三星年度移動(dòng)解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產(chǎn)量，以緩解目前市場上DDR3芯片供應(yīng)短缺現(xiàn)狀。 Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預(yù)計(jì)，導(dǎo)致了DDR3供應(yīng)短缺。不過三星目前已經(jīng)加大了DDR3芯片生產(chǎn)量，以滿足市場的增長需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產(chǎn)的主要處理技術(shù)。 Oh-Hyun Kwon認(rèn)為，提高產(chǎn)量的方法并不只是多建幾家工廠，技術(shù)升級(jí)將是三星以后提高芯片產(chǎn)量的主要途徑。
- 關(guān)鍵字： 三星 40nm DRAM DDR3
Rambus聯(lián)合金士頓開發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”
- Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān)，不過這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù)，不過將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進(jìn)行了分塊處理，位于各個(gè)分塊內(nèi)部的芯片共享一個(gè)命令/地址端口，不過數(shù)據(jù)傳 輸部分則可通過各自獨(dú)立的傳輸通道進(jìn)行傳輸，傳輸?shù)奈粚捒蛇_(dá)64字節(jié)(512bit)，這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術(shù)
- 關(guān)鍵字： Rambus DRAM DDR3
三星芯片部總裁：全球芯片需求形勢好于預(yù)期
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子芯片部門總裁權(quán)五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形勢好于公司原來預(yù)期，因此三星電子正在提高芯片產(chǎn)量以滿足市場需求。 權(quán)五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫存以及政府的經(jīng)濟(jì)刺激政策。 在臺(tái)北的新聞發(fā)布會(huì)上，權(quán)五鉉舉例道個(gè)人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強(qiáng)勁。三星電子正在臺(tái)北舉行一個(gè)關(guān)于手機(jī)行業(yè)的論壇。 他表示，三星正在提高DDR3芯片的產(chǎn)量，預(yù)計(jì)將有助于結(jié)束市場供給短缺的現(xiàn)象。 權(quán)五鉉表示，此前由于制造商產(chǎn)能過度擴(kuò)張，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
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4大DRAM廠現(xiàn)金正流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線
- DRAM價(jià)格漲不停，1Gb容量DDR2價(jià)格直逼2美元，苦熬多時(shí)的臺(tái)系DRAM廠終于進(jìn)入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運(yùn)都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現(xiàn)金流出，但以整個(gè)臺(tái)塑集團(tuán)的DRAM事業(yè)來看，已進(jìn)入現(xiàn)金正流入狀態(tài)，下一步臺(tái)系DRAM業(yè)者的目標(biāo)是轉(zhuǎn)虧為盈。 4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺(tái)幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM
- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。 IBM表示，使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元只有一個(gè)單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。 IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時(shí)間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機(jī)功耗降低4倍，軟錯(cuò)誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。 IBM希望將3
- 關(guān)鍵字： IBM 32nm DRAM 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
摩根士丹利：計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場已復(fù)蘇
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，投資銀行摩根士丹利在周一表示，在經(jīng)歷了三年的衰退之后，計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場已開始復(fù)蘇，預(yù)計(jì)此次復(fù)蘇將會(huì)持續(xù)兩年的時(shí)間。 摩根士丹利分析師韓亙(Keon Han)在周一的報(bào)告中指出，DRAM芯片銷售在2010年將會(huì)達(dá)到224億美元，較今年的184億美元增長21%。在摩根士丹利分析師上調(diào)了三星電子、海力士和三家臺(tái)灣芯片制造商的股價(jià)預(yù)期之后，韓國和臺(tái)灣芯片股周一普遍出現(xiàn)上漲。 瑞薩科技在周一表示，該公司計(jì)劃在下月上調(diào)芯片售價(jià)。瑞薩科技此舉表示，芯片制造商正在走出去年供給過剩以及虧損
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茂德科技將與臺(tái)灣記憶體合作研發(fā)生產(chǎn)芯片
- 華爾街日報(bào)報(bào)道，臺(tái)灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)發(fā)言人曾邦助(Ben Tseng)周五稱，公司將與臺(tái)灣記憶體公司(Taiwan Memory Company)在芯片研發(fā)和生產(chǎn)方面進(jìn)行合作。 曾邦助告訴道瓊斯通訊社(Dow Jones Newswires)稱，茂德科技計(jì)劃于10月份取消無薪假期，部分原因是與臺(tái)灣記憶體的合作需要公司逐步恢復(fù)產(chǎn)能。此前受芯片供應(yīng)過剩影響，茂德科技已連續(xù)9個(gè)季度虧損。 受芯片行業(yè)持續(xù)低迷影響，自去年11月份以來，茂德科技的雇員每月都
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南亞科技9月下半月將把芯片價(jià)格上調(diào)10%
- 9月18日消息 據(jù)華爾街日報(bào)導(dǎo)報(bào)，南亞科技發(fā)言人白培霖周五稱，因個(gè)人電腦銷售旺盛，繼續(xù)帶動(dòng)DRAM芯片需求，公司將把9月下半月的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)(DRAM)芯片價(jià)格較上半月上調(diào)10%。 白培霖表示，公司幾乎已經(jīng)達(dá)成了下半月的所有交易，由此可見需求之旺盛。南亞科技每月與個(gè)人電腦制造商進(jìn)行兩次DRAM芯片價(jià)格談判。 白培霖還稱，南亞科技9月上半月將DRAM芯片價(jià)格較8月末上調(diào)了15%，公司目前的芯片平均售價(jià)約為2美元，高于其現(xiàn)金成本。 但白培霖稱，南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
- 關(guān)鍵字： 南亞科技 DRAM
DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊
- 2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺(tái)面，且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。 近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM NAND
全球IC市場V形反彈已啟動(dòng) 增長勢頭將延續(xù)至2011年
- 市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。 爆炸式的增長率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。 “IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND MPU 模擬電路
三星電子半導(dǎo)體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元大關(guān)
- 三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門可望再創(chuàng)2年9個(gè)月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。 三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營業(yè)利益4.01兆韓元，其中半導(dǎo)體部門營業(yè)利益為1.78兆韓元，通訊部門則是1.257兆韓元，占公司整體營業(yè)利益大半。三星半導(dǎo)體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營業(yè)利益2.15兆韓元，占整體單季營業(yè)利益(3.773兆韓元
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM LCD
海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈
- 韓國半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 據(jù)業(yè)界預(yù)測，2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營運(yùn)呈現(xiàn)虧損。 分析指出，海力士營運(yùn)改
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 50納米
南科：資金陸續(xù)到位 制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度無虞
- 景氣轉(zhuǎn)好，近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過，合約DRAM大廠南科150億元(新臺(tái)幣，下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過，加上6月時(shí)私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案，南科銀彈滿滿，轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程進(jìn)度已經(jīng)無虞。 日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加，原應(yīng)在8月結(jié)案，順延到9月上旬，金額也由最初預(yù)定的300億元規(guī)模，被聯(lián)貸銀行團(tuán)超額認(rèn)購到422億元，最后以400億元結(jié)案。顯見隨景氣轉(zhuǎn)好，銀行團(tuán)原本緊縮的態(tài)度，也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案，預(yù)計(jì)將在9月底登場。據(jù)銀行端消息透露，最晚第四季就
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM 68納米
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