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1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
DRAM錢(qián)坑 臺(tái)塑集團(tuán)進(jìn)退兩難
- 聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智暗指臺(tái)塑集團(tuán)可以出面集成臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無(wú)法評(píng)論此事;存儲(chǔ)器業(yè)界則認(rèn)為，臺(tái)塑集團(tuán)雖然資金實(shí)力雄厚，但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問(wèn)題，沒(méi)有技術(shù)和專(zhuān)利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投錢(qián)集成，也未必拼得過(guò)韓廠(chǎng)，而臺(tái)塑集團(tuán)這幾年DRAM產(chǎn)業(yè)投資并沒(méi)有得到等值回報(bào)，或許茂德財(cái)務(wù)狀況圓滿(mǎn)解決后，有非常劃算的機(jī)會(huì)可取，臺(tái)塑才會(huì)考慮與美光(Micron)合作切入，否則光是投錢(qián)集成，臺(tái)塑意愿恐怕不大。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)塑 DRAM
存儲(chǔ)器3Q景氣 NAND Flash略?xún)?yōu)于DRAM
- 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)。
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速
- 最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。
- 關(guān)鍵字： Inotera DRAM
存儲(chǔ)器3Q景氣NAND Flash略?xún)?yōu)于DRAM
- 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)?！?/li>
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。 雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
- 關(guān)鍵字： DRAM 50納米
傳世界先進(jìn)有意投資茂德中科12吋廠(chǎng)
- 茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠(chǎng)有興趣，近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)幣100億元，想買(mǎi)茂德12吋廠(chǎng)，且推測(cè)背后應(yīng)是獲得臺(tái)積電默許，主要系因驅(qū)動(dòng)IC未來(lái)采12吋廠(chǎng)生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢(shì)，世界先進(jìn)可趁此機(jī)會(huì)撿便宜。不過(guò)，茂德和世界先進(jìn)對(duì)此事都予以否認(rèn)?！?/li>
- 關(guān)鍵字： 茂德中科 DRAM
力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)
- 力成科技積極自?xún)?nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買(mǎi)下茂德廠(chǎng)房以作為實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠(chǎng)也在3月動(dòng)土，預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)以開(kāi)發(fā)新技術(shù)為主，包括晶圓級(jí)封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計(jì)開(kāi)發(fā)時(shí)程約1年，屆時(shí)新竹廠(chǎng)正好開(kāi)始啟用，新產(chǎn)品效益可望適時(shí)于2012~2013年發(fā)酵?！?/li>
- 關(guān)鍵字： 封裝 DRAM
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