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對DRAM價格樂觀 力晶停止紓困
- 力晶在DRAM價格強勁回文件下,將恢復(fù)財務(wù)自主能力,力晶董事會2日通過,從明年開始停止紓困,全力正?;謴?fù)營運,可望從明年起針對銀行正常還款。力晶對第四季價格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預(yù)期,今年第四季將有機會轉(zhuǎn)虧為盈。 力晶昨日領(lǐng)先各大DRAM廠,率先公布10月營收,由于產(chǎn)能滿載,加上DRAM價格回文件,該公司10月營收達42.39億元(新臺幣,以下同)、較9月大增28%,創(chuàng)下今年以來新高,預(yù)估11月、12月營收將會維持持續(xù)成長的動能。 力晶指出,在政府政策與銀行團大力支持之下,透過
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臺系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點
- 受惠DRAM價格谷底翻身,臺系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小,合計力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺幣175億元,累計前3季虧損731億元,其中茂德虧損最多,華亞科虧損金額最小,展望第4季,DRAM價格持續(xù)走強越過2.5美元后,頗有朝3美元的實力,各廠全產(chǎn)能投片后,可望力拼單月?lián)p益兩平,其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈,力晶董事長黃崇仁也表示,若報價維持在2.5美元水平,第4季也有機會擠身獲利之林。 DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時受到供過于求嚴(yán)重失衡的影響,虧損嚴(yán)重到一度將存儲器
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Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
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福布斯:亞洲芯片商前景樂觀 下滑趨勢將結(jié)束
- 據(jù)國外媒體報道,數(shù)家亞洲大型芯片廠商財報預(yù)期顯示,本季度有望實現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈,芯片下滑趨勢或?qū)⒔Y(jié)束。 三星電子本月初表示,其季度利潤有望超市場預(yù)期,分析師對其預(yù)期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。 投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform),將三星目標(biāo)股價由84萬韓元調(diào)高至90萬韓元。該投行在研究報告中稱,因三星上半年收益強勁,預(yù)計其股價將持續(xù)上漲。周一,三星股價在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
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宣明智:DRAM年年都要過冬 該做的就做
- 盡管上周南亞科及華亞科法說會時,公司對于DRAM市場多抱持樂觀看法,不過臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)董事長宣明智26日上午參觀臺灣寬頻通訊展時卻表達保守看法,認為DRAM年年都要過冬,對DRAM景氣沒有那么樂觀,針對DRAM產(chǎn)業(yè)再造合并時機已過,他則表示,該做的就做。 對于近期DRAM價格回穩(wěn),宣明智認為價錢回到成本以上是好事情,2008年在大家盲目競爭情況下,DRAM價格殺到低于變動成本,目前DRAM市場價位回升,也頗為合理,宣明智表示,希望能大家都夠抓住機會,掌握未來競爭條件,這樣才能讓整
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TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金
- 力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息,對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無疑是一枚深水炸彈,不論就技術(shù)自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上,TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物,從條件論而言,“經(jīng)濟部"很難直接拒絕TFC計劃,尤其是現(xiàn)在臺灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術(shù)來源爾必達(Elpida)在日本政府資金介入后,傳出不讓臺灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳,力晶在此時拿出TFC計劃,就算不能獲得政府補助,也達到破壞TIMC的目的,臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去,在各廠底
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今年第二三季度DRAM內(nèi)存芯片業(yè)強勁復(fù)蘇
- 市場研究公司iSuppli稱,今年第二、三季度DRAM內(nèi)存芯片銷售額和價格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄,這表明市場正在復(fù)蘇,這一趨勢將至少持續(xù)到明年。 據(jù)國外媒體報道稱,iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示,第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%,第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱,這些數(shù)字表明DRAM市場確實在復(fù)蘇中,價格的持續(xù)增長是DRAM內(nèi)存芯片走出低迷的又一個跡象。 iSuppli表示,過去兩個季度終結(jié)了DRAM內(nèi)存芯片銷
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iSuppli:DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)
- 研究機構(gòu)iSuppli表示,第2、第3季DRAM銷售額與價格連續(xù)增長的幅度,至少創(chuàng)下5年來之最。該機構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市,2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。 據(jù)國外媒體報道,根據(jù)iSuppli初步預(yù)測,第3季全球DRAM銷售額季增35%,第2季則增長34%;全球DRAM平均售價上漲21%,同樣超越第2季增幅的19%。 iSuppli表示,就全年銷售額來看,全球DRAM市場自2007年起連續(xù)衰退后,今年雖有第2、第3季的支撐,但由于首季表現(xiàn)太差,2009全年仍將下滑12.9%。 2007年全球DRA
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內(nèi)存市場價量普漲,存儲廠商轉(zhuǎn)虧為盈
- 最近幾個月來,DRAM價格連連上漲,同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色,但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢,下面小編就給大家來個深度分析,給你講講這里面的道道。 9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元,較上個月多出了近 13%。D
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北卡羅萊納州立大學(xué)開發(fā)出1TB小型內(nèi)存技術(shù)
- 北卡羅萊納州立大學(xué)的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片,它可以加大目前DRAM內(nèi)存芯片的容量50倍,理論上可以實現(xiàn)一個指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。 學(xué)校的材料科學(xué)與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂,混合金屬和陶瓷來完成了數(shù)據(jù)存儲容量的改變,新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米,最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點和讀取方式,目前通過使用脈沖層,研究人員就能夠?qū)崿F(xiàn)對過程的控制。 Jagdish Narayan認為,原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn),而且價格并不比
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南亞科、華亞科沖刺50納米 明年資本支出逾600億新臺幣
- 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小,并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進制程,其中,南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程,首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功,目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程,屆時將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片,趕搭DDR3主流列車;華亞科則預(yù)計2010年第1季50納米制程量產(chǎn),2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程,南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達640億元,主要用于50納米制程。 南亞科和華亞科第3季營運表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn),對于先
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南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景
- 隨著DRAM價格開始反彈,南亞科和華亞科財報虧損金額大幅減少,南亞科發(fā)言人白培霖指出,11月DRAM合約價可持續(xù)成長,更看好PC市場因為Vista因素,累計整整3年未換機的能量,加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出,將在2010年出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況,甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代,當(dāng)時1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元,達到史上最高紀(jì)錄。 白培霖指出,2009年DRAM合約價從8月開始,每個月以成長20%的速度往上調(diào),11月DRAM合約價可持續(xù)成長近2個月DDR3幾乎是持平,主要漲幅
- 關(guān)鍵字: 南亞科 DRAM DDR3
力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元
- “經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期,卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件,形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company),并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局,反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示,2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash,且100%為自有技術(shù),比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術(shù)扎根條件,未來力晶
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臺DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案錯良機? 要求“經(jīng)濟部”退場聲浪大
- 10月20日是臺“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」送件的最后期限。立法院經(jīng)濟委員會關(guān)切DRAM前途的立委19日幾乎一致要求,在政府國發(fā)基金還未投資之前,“經(jīng)濟部”的DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案應(yīng)趕快煞車,或「下車」、「了斷」。 “經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」迄今只有聯(lián)電榮譽董事長宣明智主導(dǎo)的臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC),以整合爾必達(Elpida)、茂德的營運計畫書送至“經(jīng)濟部”,外傳整合華邦電失利的南
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