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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 2nm!

          搶奪臺(tái)積電2nm代工訂單有多難?

          • 三星既沒有獲得客戶的大批量訂單,又在先進(jìn)制程上遭遇英特爾和臺(tái)積電的雙重打擊。
          • 關(guān)鍵字: NanoFlex  2nm  

          4nm→2nm,三星或升級(jí)美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)

          • 根據(jù)韓國媒體Etnews的報(bào)導(dǎo),晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù),從原計(jì)劃的4納米改為2納米,以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱,三星電子最快將于第三季做出最終決定。報(bào)導(dǎo)指出,三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年,2022年開始興建,計(jì)劃于2024年底開始分階段運(yùn)營。以三星電子DS部門前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說法表示,到2024年底,我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過,相較于三星泰勒市晶圓廠,英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥
          • 關(guān)鍵字: 4nm  2nm  三星  晶圓廠  制程節(jié)點(diǎn)  

          可量產(chǎn)0.2nm工藝!ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī):死胡同不遠(yuǎn)了

          • 6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī),同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右,也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33,對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm,再往后就得加入多重曝光,預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機(jī)升級(jí)到了
          • 關(guān)鍵字: ASML  光刻機(jī)  高NA EUV  0.2nm  

          Rapidus與IBM達(dá)成合作,瞄準(zhǔn)2nm

          • 近日,日本晶圓代工企業(yè)Rapidus與IBM宣布建立合作伙伴關(guān)系,建立2nm半導(dǎo)體學(xué)校芯片封裝的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)。通過此次合作,Rapidus將獲得IBM關(guān)于高性能半導(dǎo)體封裝技術(shù)的許可,并將共同開發(fā)該技術(shù)。圖片來源:Rapidus官網(wǎng)據(jù)了解,2021年,IBM對外公布全球首款2nm芯片原型。2022年12月,Rapidus與IBM達(dá)成戰(zhàn)略性伙伴關(guān)系,雙方共同推動(dòng)基于IBM突破性的2nm制程技術(shù)的研發(fā)。Rapidus董事長小池淳義表示,“繼2nm半導(dǎo)體的共同開發(fā)之后,關(guān)于芯片封裝的技術(shù)確立也與IBM簽訂了伙伴
          • 關(guān)鍵字: Rapidus  IBM  2nm  

          imec 宣布牽頭建設(shè)亞 2nm 制程 NanoIC 中試線,項(xiàng)目將獲 25 億歐元資金支持

          • IT之家 5 月 21 日消息,比利時(shí) imec 微電子研究中心今日宣布將牽頭建設(shè) NanoIC 中試線。該先進(jìn)制程試驗(yàn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)將獲得共計(jì) 25 億歐元(IT之家備注:當(dāng)前約 196.5 億元人民幣)的公共和私人捐款支持。NanoIC 中試線是歐洲芯片聯(lián)合企業(yè) Chip JU 指定的四條先進(jìn)半導(dǎo)體中試線項(xiàng)目之一,旨在彌合從實(shí)驗(yàn)室到晶圓廠的差距,通過小批量生產(chǎn)加速概念驗(yàn)證產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計(jì)與測試。除其主持的 NanoIC 中試線外, imec 還將參與先進(jìn) FD-SOI
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  2nm SoC  制程  

          瞄準(zhǔn)AI需求:臺(tái)積電在美第二座晶圓廠制程升級(jí)至2nm

          • 最新消息,臺(tái)積電官網(wǎng)宣布,在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計(jì)劃的3nm升級(jí)為更先進(jìn)的2nm,量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日,在臺(tái)積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂,最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計(jì)劃的3nm提升到2nm,臺(tái)積電CEO魏哲家在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上也作出了回應(yīng),他表示是為了支持AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求。在OpenAI訓(xùn)練
          • 關(guān)鍵字: AI  臺(tái)積電  晶圓  制程  2nm  3nm  

          臺(tái)積電年末試產(chǎn)2nm工藝!蘋果芯片又要遙遙領(lǐng)先了

          • 雖然目前來看2025年還早,但是隨著時(shí)間的推移,蘋果下一代芯片已經(jīng)在路上了。據(jù)報(bào)道,蘋果芯片供應(yīng)商臺(tái)積電正在制造2nm和1.4nm芯片方面取得進(jìn)展,這些芯片很可能用于未來幾代蘋果芯片——最早可能搭載于2025年秋發(fā)布的iPhone 17 Pro上。根據(jù)目前已知的消息,2nm和1.4nm芯片的量產(chǎn)時(shí)間顯然已經(jīng)確定。2nm節(jié)點(diǎn)將于2024年下半年開始試生產(chǎn),小規(guī)模生產(chǎn)將于2025年第二季度逐步推進(jìn)。值得注意的是,臺(tái)積電位于亞利桑那州的新工廠也將加入2nm生產(chǎn)的行列。而在更遠(yuǎn)期的2027年,臺(tái)灣的工廠將開始轉(zhuǎn)向
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  臺(tái)積電  2nm  

          iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺(tái)積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定

          • 4月11日消息,根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺(tái)積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解,臺(tái)積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始,而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是,臺(tái)積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺(tái)積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn),這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺(tái)積電最新的工藝制程很可能會(huì)由蘋果率先采用。按照臺(tái)積電的量產(chǎn)時(shí)間表,iPhone 17 Pro將成為首批
          • 關(guān)鍵字: iPhone 17 Pro  臺(tái)積電  2nm  1.4nm  工藝  

          Marvell宣布與臺(tái)積電合作2nm生產(chǎn)平臺(tái)

          • 據(jù)Marvell(美滿電子)官方消息,日前,Marvell宣布與臺(tái)積電擴(kuò)大合作,共同開發(fā)業(yè)界首款針對加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的2nm芯片生產(chǎn)平臺(tái)。據(jù)悉,Marvell將與臺(tái)積電協(xié)作提升芯片性能和效率,投資于互連和高級(jí)封裝等平臺(tái)組件,從而降低多芯片解決方案的成本,加快相關(guān)芯片上市時(shí)間。Marvell首席開發(fā)官 Sandeep Bharathi 表示,未來的人工智能工作負(fù)載將需要在性能、功率、面積和晶體管密度方面取得顯著的進(jìn)步。2nm 平臺(tái)將使 Marvell 能夠提供高度差異化的模擬、混合信號(hào)和基礎(chǔ) IP,以構(gòu)建能
          • 關(guān)鍵字: 美滿  Marvell  臺(tái)積電  2nm  

          2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響!三星2nm時(shí)間表公布

          • 2月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星計(jì)劃明年在韓國開始2nm工藝的制造,并且在2047年之前,三星將在韓國投資500萬億韓元,建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠,將進(jìn)行2nm制造。據(jù)悉,2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破,它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹W鳛槿亲畲蟮母偁帉κ?,臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié),臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái),引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。臺(tái)積電推出的采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程技術(shù),在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%,在相
          • 關(guān)鍵字: 2nm  半導(dǎo)體  三星  

          三星與臺(tái)積電據(jù)悉都將從2025年開始投入2nm制程量產(chǎn)

          • 2月5日消息,三星與臺(tái)積電據(jù)悉都將從2025年開始投入2nm制程量產(chǎn)。此前,韓國政府1月中旬表示,三星公司計(jì)劃到2047年在首爾南部投資500萬億韓元建設(shè)“超大集群”半導(dǎo)體項(xiàng)目,將重點(diǎn)生產(chǎn)先進(jìn)產(chǎn)品,包括使用2nm工藝制造的芯片。
          • 關(guān)鍵字: 三星  臺(tái)積電  2nm  

          臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)

          • 臺(tái)積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后,研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝,計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備,以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。臺(tái)積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利,最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱,位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程,并正在進(jìn)行無塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設(shè)備安裝工作,相關(guān)動(dòng)線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片,中科二期則視需求狀況預(yù)定
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  2nm  制程  晶圓廠  GAA  

          英特爾拿到首臺(tái)2nm光刻機(jī) 重回領(lǐng)先地位?

          • 12月21日,荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML通過社交媒體宣布,其首套高數(shù)值孔徑極紫外(High-NA EUV)光刻機(jī)正從荷蘭Veldhoven總部開始裝車發(fā)貨,將向英特爾進(jìn)行交付。數(shù)值孔徑(NA)是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo),直接決定了光刻的實(shí)際分辨率和最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  2nm  光刻機(jī)  EUV  ASML  臺(tái)積電  

          日本佳能:我們能造2nm芯片!不需要ASML光刻機(jī)

          • 日本光刻機(jī)大廠佳能(Canon)在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓印(Nanoprinted lithography,NIL)設(shè)備FPA-1200NZ2C之后,佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫近日在接受采訪時(shí)再度表示,該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟一條道路,使得生產(chǎn)先進(jìn)芯片的技術(shù)不再只有少數(shù)大型半導(dǎo)體制造商所獨(dú)享。納米壓印技術(shù)并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上,而是更類似于印刷技術(shù),直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次,就可以在特定的位置
          • 關(guān)鍵字: 佳能  2nm  晶圓  印刷  

          臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)

          • IT之家 12 月 14 日消息,臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì)議(IEDM)的小組研討會(huì)上透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí),臺(tái)積電重申,2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。圖源 Pexels根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片,臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。IT之家注意到,目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù),但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn),N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  2nm  晶圓代工  
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