2nm! 文章 進(jìn)入2nm!技術(shù)社區(qū)
里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片
- 藍(lán)色巨人出手就是王炸。 5月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?！ 『诵闹笜?biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。 2nm晶圓近照 換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管。 同時(shí)，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。 實(shí)際上，I
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臺(tái)積電最新進(jìn)展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世
- 全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個(gè)客戶，這就是他們的獨(dú)特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺(tái)積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來幾年也不會(huì)臺(tái)積電今年300億美元的資本預(yù)算中，約有80％將用于擴(kuò)展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認(rèn)為，到今年年底，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺(tái)積電的N5產(chǎn)能擴(kuò)大，擴(kuò)大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)（WSP
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全球沖刺2nm，臺(tái)積電和中芯國(guó)際卻發(fā)展成熟工藝，這是為何？
- 前兩天，臺(tái)媒報(bào)道稱臺(tái)積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產(chǎn)4萬片的28nm產(chǎn)能，據(jù)悉，該計(jì)劃將于不久后正式啟動(dòng)，新產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2022年下半年開始逐步產(chǎn)出，并于2023年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)4萬片的目標(biāo)。當(dāng)臺(tái)積電傳來擴(kuò)增28nm產(chǎn)能的消息時(shí)，大部分人對(duì)此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺(tái)積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時(shí)候，它也應(yīng)該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進(jìn)的工藝，而卻不曾想臺(tái)積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實(shí)上，投資28nm工藝只是臺(tái)積電的計(jì)劃之一，而其從始至終
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臺(tái)積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級(jí)GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率
- 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺(tái)積電在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對(duì)手，明年面還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，接下來則是2nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃未來三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺(tái)積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預(yù)期的要好。實(shí)際上臺(tái)積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑。現(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了測(cè)試載具設(shè)計(jì)、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺(tái)積電的說法，2nm工藝節(jié)點(diǎn)上，他們也會(huì)放棄FinFE
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臺(tái)積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢(shì)頭強(qiáng)勁
- 近期臺(tái)積電（TSMC）和蘋果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破?！ ∧壳笆謾C(jī)開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造，預(yù)計(jì)蘋果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問題?！ ?jù)Wccftech報(bào)道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺(tái)積電和蘋果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力，不過受益者可能不只是蘋果，還有英特爾。臺(tái)
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臺(tái)積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)
- 這幾年，天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電在新工藝進(jìn)展上簡(jiǎn)直是開掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領(lǐng)先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進(jìn)展神速。根據(jù)最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上，臺(tái)積
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臺(tái)積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒問題
- 一、臺(tái)積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進(jìn)度超前據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。據(jù)臺(tái)媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前。據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)。考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微
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臺(tái)積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管
- 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報(bào)道，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破：臺(tái)積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn)。目前，臺(tái)積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺(tái)積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對(duì)先前 FinFET 設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。臺(tái)積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計(jì)用于其晶體管而不
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臺(tái)積電2nm工藝2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率或達(dá)90%
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)。考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光（EUV）微顯
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臺(tái)積電正與一家主要客戶緊密合作 加快研發(fā)2nm工藝
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，為蘋果、AMD等眾多公司代工芯片的臺(tái)積電，近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列，他們的5nm工藝已在今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)，為蘋果等客戶代工最新的處理器。在5nm工藝投產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一步工藝研發(fā)的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm、2nm工藝，其中3nm工藝在最近兩個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上均有提及，臺(tái)積電CEO魏哲家透露正在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022下半年大規(guī)模投產(chǎn)。此前鮮有提及的2nm工藝，也有了消息。外媒的報(bào)道顯示，在昨日的臺(tái)積電2020年度全球技術(shù)論壇上，他們透露正在同一
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臺(tái)積電2nm工廠計(jì)劃建在新竹 已獲得建廠所需土地
- 8月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，5nm工藝在一季度大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝和2nm工藝，為盡快量產(chǎn)，相關(guān)的工廠也需要提前謀劃，同步跟進(jìn)。雖然3nm工藝還未投產(chǎn)，2nm工藝也還在研發(fā)階段，但臺(tái)積電已經(jīng)在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠。臺(tái)積電已開始謀劃2nm工藝工廠的消息，源自臺(tái)積電負(fù)責(zé)營(yíng)運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛。外媒在報(bào)道中表示，秦永沛透露臺(tái)積電計(jì)劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，建設(shè)工廠所需的土地目前已經(jīng)獲得。新竹是臺(tái)積電總部所在地，先進(jìn)工藝的工廠建在新竹也在
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臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。臺(tái)積電臺(tái)媒稱，三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過臺(tái)積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
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臺(tái)積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨(dú)步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開……在最新的2019年年報(bào)中,臺(tái)積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時(shí)今年還會(huì)加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺(tái)積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺(tái)積電從7nm工藝開始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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臺(tái)積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨(dú)步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開……在最新的2019年年報(bào)中,臺(tái)積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時(shí)今年還會(huì)加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺(tái)積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺(tái)積電從7nm工藝開始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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中國(guó)CPU芯片將實(shí)現(xiàn)彎道超車 中科院表示國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望破冰
- 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程，比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片，內(nèi)置了超過100億個(gè)晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，技術(shù)上的確實(shí)現(xiàn)了巨大突破，也是國(guó)產(chǎn)芯片里程碑式的意義。而繼華為之后，中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂
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