2nm! 文章 進(jìn)入2nm!技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電將砸 1 萬億擴(kuò)大 2nm 產(chǎn)能，目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)
- 6月6日消息，據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電將砸1萬億新臺(tái)幣（約2290億元人民幣）在臺(tái)中擴(kuò)大2nm產(chǎn)能布局，有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)。 臺(tái)積電總裁魏哲家在4月14日召開的法說會(huì)上表示，臺(tái)積電2nm預(yù)期會(huì)是最成熟與最適合技術(shù)來支持客戶成長，臺(tái)積電目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)。 臺(tái)積電將在2nm的節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺(tái)積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
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臺(tái)積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠
- 由于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能緊缺，臺(tái)積電此前宣布三年內(nèi)投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設(shè)新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現(xiàn)在連建筑用的磚塊都要搶購了。據(jù)《財(cái)訊》報(bào)道，這兩年芯片產(chǎn)能緊缺，但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚，連臺(tái)積電都得排隊(duì)搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點(diǎn)，重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右，是很多工廠及房產(chǎn)建設(shè)中都需要的材料。對(duì)臺(tái)積電來說，一方面它們自己建設(shè)晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們?cè)诋?dāng)?shù)啬硞€(gè)城市建設(shè)晶圓廠，往往還會(huì)
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英特爾與臺(tái)積電合作開發(fā)2nm工藝 2025年量產(chǎn)
- 此前有消息稱英特爾已經(jīng)拿了臺(tái)積電3nm一半產(chǎn)能，近日，則有消息稱英特爾現(xiàn)在又要跟臺(tái)積電合作開發(fā)2nm工藝。英特爾不僅可能會(huì)將3nm制程工藝交給臺(tái)積電代工，同時(shí)也開始跟臺(tái)積電討論合作開發(fā)2nm工藝。不過這一說法還沒有得到英特爾或者臺(tái)積電的證實(shí)，考慮到這是高度機(jī)密的信息，一時(shí)間也不會(huì)有官方確認(rèn)的可能。據(jù)悉，臺(tái)積電3nm的量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)2022年四季度啟動(dòng)，且首批產(chǎn)能被蘋果和英特爾均分。至于未來的2nm工藝，臺(tái)積電將在2nm節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，預(yù)計(jì)會(huì)在2025年
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三星高調(diào)宣布2025年投入2nm量產(chǎn)
- 韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調(diào)宣布，2025年投入2奈米量產(chǎn)，再度確認(rèn)將導(dǎo)入新一代環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)電晶體架構(gòu)，搶在臺(tái)積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產(chǎn)，劍指臺(tái)積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會(huì)中提到三星過去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎(chǔ)上導(dǎo)入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎(chǔ)，在2023年時(shí)要導(dǎo)入第二代的3奈米制程，并于2025年導(dǎo)入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規(guī)劃
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2nm工藝要上線？臺(tái)積電工廠環(huán)評(píng)被卡
- 芯研所消息，臺(tái)積電的2nm芯片工藝計(jì)劃上線，但是由于環(huán)評(píng)專案小組的初審，建廠計(jì)劃未能放行，還需要等8月31日之前補(bǔ)正后再審核。在全球先進(jìn)工藝量產(chǎn)上，臺(tái)積電一枝獨(dú)秀，5nm、3nm工藝已經(jīng)領(lǐng)先，再下一代工藝就是2nm了，會(huì)啟用全新GAA晶體管，技術(shù)升級(jí)很大，光是工廠建設(shè)就要200億美元。臺(tái)積電不過臺(tái)積電的2nm工廠建設(shè)計(jì)劃現(xiàn)在遇到了阻力。消息稱，新竹科學(xué)園區(qū)擬展開寶山用地第二期擴(kuò)建計(jì)劃，環(huán)保部門于25日下午召開環(huán)評(píng)專案小組第三次初審會(huì)議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關(guān)注，專案小組歷經(jīng)逾三小時(shí)審議后，最終仍
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歐盟半導(dǎo)體“不再幼稚”：10年內(nèi)產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝
- 半導(dǎo)體技術(shù)的重要性已經(jīng)無需多提，現(xiàn)在美國、中國、日本、韓國等國家和地區(qū)都在大力投資先進(jìn)半導(dǎo)體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現(xiàn)在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據(jù)報(bào)道，歐盟市場專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復(fù)以前的市場份額，以滿足行業(yè)的需求。他還提到，多年來歐盟在半導(dǎo)體制造業(yè)中的份額下降了，因?yàn)樵摰貐^(qū)過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會(huì)制定的計(jì)劃中，希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍，市場份額提升到20%，為此歐盟正在爭取歐洲地區(qū)先進(jìn)芯片制造商的支持，目前至少有22個(gè)
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里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片
- 藍(lán)色巨人出手就是王炸。 5月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?！ 『诵闹笜?biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?！ ?nm晶圓近照 換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管。 同時(shí)，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。 實(shí)際上，I
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臺(tái)積電最新進(jìn)展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世
- 全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個(gè)客戶，這就是他們的獨(dú)特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺(tái)積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來幾年也不會(huì)臺(tái)積電今年300億美元的資本預(yù)算中，約有80％將用于擴(kuò)展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認(rèn)為，到今年年底，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺(tái)積電的N5產(chǎn)能擴(kuò)大，擴(kuò)大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)（WSP
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全球沖刺2nm，臺(tái)積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝，這是為何？
- 前兩天，臺(tái)媒報(bào)道稱臺(tái)積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產(chǎn)4萬片的28nm產(chǎn)能，據(jù)悉，該計(jì)劃將于不久后正式啟動(dòng)，新產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2022年下半年開始逐步產(chǎn)出，并于2023年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)4萬片的目標(biāo)。當(dāng)臺(tái)積電傳來擴(kuò)增28nm產(chǎn)能的消息時(shí)，大部分人對(duì)此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺(tái)積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時(shí)候，它也應(yīng)該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進(jìn)的工藝，而卻不曾想臺(tái)積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實(shí)上，投資28nm工藝只是臺(tái)積電的計(jì)劃之一，而其從始至終
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臺(tái)積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級(jí)GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率
- 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺(tái)積電在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對(duì)手，明年面還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，接下來則是2nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃未來三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺(tái)積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預(yù)期的要好。實(shí)際上臺(tái)積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑?，F(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了測試載具設(shè)計(jì)、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺(tái)積電的說法，2nm工藝節(jié)點(diǎn)上，他們也會(huì)放棄FinFE
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臺(tái)積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢頭強(qiáng)勁
- 近期臺(tái)積電（TSMC）和蘋果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破?！ ∧壳笆謾C(jī)開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造，預(yù)計(jì)蘋果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問題?！ ?jù)Wccftech報(bào)道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺(tái)積電和蘋果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力，不過受益者可能不只是蘋果，還有英特爾。臺(tái)
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臺(tái)積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產(chǎn)
- 這幾年，天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電在新工藝進(jìn)展上簡直是開掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領(lǐng)先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進(jìn)展神速。根據(jù)最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對(duì)手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上，臺(tái)積
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臺(tái)積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒問題
- 一、臺(tái)積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進(jìn)度超前據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。據(jù)臺(tái)媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺(tái)積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度超前。據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)?？剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微
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臺(tái)積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管
- 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報(bào)道，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破：臺(tái)積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn)。目前，臺(tái)積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺(tái)積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對(duì)先前 FinFET 設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。臺(tái)積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計(jì)用于其晶體管而不
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