3d ic設(shè)計(jì) 文章進(jìn)入3d ic設(shè)計(jì)技術(shù)社區(qū)

臺積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開，除表揚(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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英特爾傳分拆IC設(shè)計(jì)與晶圓代工可能對臺積電不利

英特爾公司（Intel Corporation）8月1日公布新一季財(cái)報(bào)后，股價(jià)出現(xiàn)崩盤式狂跌，面臨存亡危機(jī)。美國財(cái)經(jīng)媒體近期引述知情人士說法，英特爾公司為了挽回局面，正在和投行討論各種可行方案，其中甚至包括分拆IC設(shè)計(jì)與晶圓代工部門。但有臺灣網(wǎng)友對此表示，美國政府應(yīng)無法讓臺積電加大對晶圓代工的市占率。根據(jù)美國財(cái)經(jīng)媒體報(bào)導(dǎo)，有知情人士表示，英特爾正處于56年歷史中最艱難的時(shí)期，目前正在與高盛、摩根史丹利等投行討論諸多潛在解決方案，分拆IC設(shè)計(jì)與晶圓代工也列入選項(xiàng)當(dāng)中。據(jù)了解，目前各方案都尚在初期討論階段，還
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過一半（即561個(gè)）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場

●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具，能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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IC設(shè)計(jì)倚重IP、ASIC趨勢成形

半導(dǎo)體制程進(jìn)入2奈米，擷發(fā)科技董事長楊健盟指出，IC設(shè)計(jì)難度陡增，未來硅智財(cái)、ASIC角色將更加吃重，協(xié)助IC設(shè)計(jì)以SoC方式因應(yīng)AI新世代。楊健盟分析，過往IDM分拆晶圓代工之典范，將在IC設(shè)計(jì)上發(fā)生，AI時(shí)代IC設(shè)計(jì)大者恒大趨勢成形。擷發(fā)科技已獲國際芯片大廠AI芯片外包訂單，楊健盟認(rèn)為，現(xiàn)在芯片晶體管動(dòng)輒百億個(gè)，考驗(yàn)IC設(shè)計(jì)業(yè)者研發(fā)量能。大量采用基礎(chǔ)、接口IP使研發(fā)能力更能專注前段設(shè)計(jì)，海外大廠甚至將后段交由ASIC業(yè)者，未來倚重IP、ASIC趨勢只會更加明顯。中國臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在邏輯先進(jìn)制程、先
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中國臺灣AI關(guān)鍵組件的發(fā)展現(xiàn)況與布局

就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關(guān)鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運(yùn)算、內(nèi)存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構(gòu)穩(wěn)定運(yùn)算處理的要角，更是使用者體驗(yàn)?zāi)芊駜?yōu)化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業(yè)者也已做好準(zhǔn)備，準(zhǔn)備在這些領(lǐng)域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐中國臺灣IC設(shè)計(jì)有商機(jī)對整個(gè)AI運(yùn)算來說，最關(guān)鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強(qiáng)大的CPU與GPU技術(shù)供貨商，但在AI ASIC芯片設(shè)計(jì)服務(wù)與IP供應(yīng)方面，則是擁有不少的業(yè)者，而且其中不乏領(lǐng)頭羊的先進(jìn)業(yè)者。在AI ASIC芯片設(shè)計(jì)方面，
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擷發(fā)科技COMPUTEX 2024展示先進(jìn)"AI設(shè)計(jì)技術(shù)服務(wù)"和"全套IC設(shè)計(jì)解決方案"

AI人工智能的應(yīng)用，是全球科技產(chǎn)業(yè)最重要的議題，而創(chuàng)新IC設(shè)計(jì)更是先進(jìn)AI芯片的決勝關(guān)鍵。重新定義IC設(shè)計(jì)可能性的擷發(fā)科技 (Microip Inc.)，將于2024年COMPUTEX臺北國際計(jì)算機(jī)展中，展示應(yīng)用級別的先進(jìn)"AI設(shè)計(jì)技術(shù)服務(wù)"與"全套IC設(shè)計(jì)解決方案"。擷發(fā)科技董事長楊健盟帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)于COMPUTEX 2024 展示先進(jìn)"AI設(shè)計(jì)技術(shù)服務(wù)"和"全套IC設(shè)計(jì)解決方案"擷發(fā)科技董事長楊健盟表示："20
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西門子推出 Solido IP 驗(yàn)證套件，為下一代 IC 設(shè)計(jì)提供端到端的芯片質(zhì)量保證

●? ?西門子集成的驗(yàn)證套件能夠在整個(gè)IC設(shè)計(jì)周期內(nèi)提供無縫的IP質(zhì)量保證，為IP開發(fā)團(tuán)隊(duì)提供完整的工作流程西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出 Solido? IP 驗(yàn)證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動(dòng)化簽核解決方案，可為包括標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲器和 IP 模塊在內(nèi)的設(shè)計(jì)知識產(chǎn)權(quán) (IP) 提供質(zhì)量保證。這一全新的解決方案提供完整的質(zhì)量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設(shè)計(jì)視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認(rèn)證，能夠提升完整芯
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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2023年全球前十大IC設(shè)計(jì)業(yè)者營收合計(jì)年增12%，NVIDIA首度奪冠

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球前十大IC設(shè)計(jì)業(yè)者營收合計(jì)約1,676億美元，年增長12%，關(guān)鍵在于NVIDIA（英偉達(dá)）帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)向上，其營收年成長幅度高達(dá)105%，Broadcom（博通）、Will Semiconductor（上海韋爾半導(dǎo)體）及MPS（芯源系統(tǒng)）年?duì)I收微幅成長，而其他企業(yè)則受景氣下行沖擊、庫存去化影響，年?duì)I收衰退。展望2024年，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，除了IC庫存去化已恢復(fù)到健康水位，受惠于AI熱潮帶動(dòng)，各大云端服務(wù)業(yè)者（CSP）持續(xù)擴(kuò)大建設(shè)大語言
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運(yùn)效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營收
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