3d chiplet 文章進(jìn)入3d chiplet技術(shù)社區(qū)

?迎接Chiplet模塊化生態(tài) 中國臺(tái)灣可走虛擬IDM模式

隨著3D-IC與異質(zhì)整合的技術(shù)逐步成熟，半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)也進(jìn)入了新的轉(zhuǎn)折，不僅難度大幅提高，同時(shí)成本也水漲船高，這對(duì)當(dāng)前的IC設(shè)計(jì)業(yè)者產(chǎn)生了不小的壓力。對(duì)此，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈將需要一個(gè)新的營運(yùn)模式，來應(yīng)對(duì)眼前這個(gè)新時(shí)代的芯片設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。對(duì)此，CTIMES【東西講座】特別舉行「虛擬IDM：群策群力造芯片」的講題，并邀請(qǐng)工研院電子與光電系統(tǒng)研究所副所長駱韋仲博士親臨，剖析何謂虛擬IDM，而工研院又將如何與中國臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作，一同建立虛擬IDM的模式。對(duì)于虛擬IDM這個(gè)名詞，駱韋仲解釋，之所以會(huì)虛擬IDM的發(fā)想
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極速智能,創(chuàng)見未來 2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì)順利召開

高性能計(jì)算和人工智能正在形成推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的雙翼。面對(duì)摩爾定律趨近極限的挑戰(zhàn)，3DIC Chiplet先進(jìn)封裝異構(gòu)集成系統(tǒng)越來越成為產(chǎn)業(yè)界矚目的焦點(diǎn)。這種創(chuàng)新的系統(tǒng)不僅在Chiplet的設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等方面帶來了許多突破，同時(shí)也催生了全新的Chiplet EDA平臺(tái)，共同為創(chuàng)造下一代數(shù)字智能系統(tǒng)賦能。芯和半導(dǎo)體，作為國內(nèi)首家推出“3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析全流程”EDA平臺(tái)的EDA公司，在10月25日上海舉辦了2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì)，總規(guī)模超過600人。大會(huì)以“極速智能，
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2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì) | AI, HPC, Chiplet生態(tài)聚會(huì)

2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì)以“極速智能，創(chuàng)見未來”為主題，以“系統(tǒng)設(shè)計(jì)分析”為主線，以“芯和Chiplet EDA設(shè)計(jì)分析全流程EDA平臺(tái)”為旗艦，包含主旨演講和技術(shù)分論壇兩部分，主題涵蓋芯片半導(dǎo)體與高科技系統(tǒng)領(lǐng)域的眾多前沿技術(shù)、成功應(yīng)用與生態(tài)合作方面的最新成果。
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測(cè)量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測(cè)的
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3D ToF相機(jī)于物流倉儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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(2023.10.7)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞2023.9.28-2023.10.61. 英特爾決戰(zhàn)2nm，4年追趕5代制程，與臺(tái)積電維持競(jìng)合關(guān)系明年底，英特爾將推進(jìn)至18Ａ制程，挑戰(zhàn)臺(tái)積電2nm制程，并將用于2025年推出的服務(wù)器處理器產(chǎn)品上。英特爾認(rèn)為，屆時(shí)將用比超微更佳的制程奪回市場(chǎng)。臺(tái)積電則預(yù)計(jì)于2025年量產(chǎn)2nm制程芯片?；粮裥嬗⑻貭栂乱淮瞥?0Ａ將在明年上半年推出。A代表埃米，一埃米是10分之1nm，20Ａ代表的即是2nm制程。由于電晶體的體積極小，因此，英特爾將改采用GAA（閘極全環(huán)電晶體）技術(shù)設(shè)計(jì)的新型電晶體「Ri
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IP 廠商想要抬高「天花板」

Arm 成功上市，上市當(dāng)天股價(jià)飆升近 25%。
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英特爾展示全球首款基于UCIe連接的Chiplet CPU

英特爾 CEO 帕特·基辛格：英特爾正在開創(chuàng)人工智能電腦的新時(shí)代。
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薈聚兩大代工廠最尖端工藝：英特爾展示全球首款基于 UCIe 連接的 Chiplet 芯片，代號(hào) Pike Creek

IT之家 9 月 20 日消息，英特爾 CEO 帕特?基辛格 (Pat Gelsinger) 在 Innovation 2023 活動(dòng)上展示了全球首款基于 UCIe 連接 Chiplet（芯粒）的處理器。這顆代號(hào)為“Pike Creek”的測(cè)試芯片薈聚了兩大代工廠最尖端工藝，包括基于 Intel 3 工藝的 Intel UCIe IP 小芯片，以及 TSMC N3E 的 Synopsys（新思科技）UCIe IP 小芯片，兩個(gè)小芯片之間則通過英特爾 EMIB 接口進(jìn)行通信。UCIe（U
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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英特爾 Chiplet 戰(zhàn)略加速 FPGA 開發(fā)

Chiplet 使英特爾 PSG 能夠?yàn)槠?FPGA 添加許多新功能
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Achronix幫助用戶基于Speedcore eFPGA IP來構(gòu)建Chiplet

高性能FPGA芯片和嵌入式FPGA IP（eFPGA?IP）領(lǐng)域內(nèi)的先鋒企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司日前宣布：為幫助用戶利用先進(jìn)的Speedcore eFPGA IP來構(gòu)建先進(jìn)的chiplet解決方案，公司開通專用網(wǎng)頁介紹相關(guān)技術(shù)，以幫助用戶快速構(gòu)建新一代高靈活性、高性價(jià)比的chiplet產(chǎn)品， chiplet設(shè)計(jì)和開發(fā)人員可以透過該公司網(wǎng)站獲得有關(guān)Speedcore eFPGA IP的全面支持。中國客戶亦可以通過Achronix在中國的服務(wù)團(tuán)隊(duì)得到同樣的支持。Speedcore??
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3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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