3d chiplet 文章進(jìn)入3d chiplet技術(shù)社區(qū)

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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Chiplet 安全風(fēng)險(xiǎn)被低估

Chiplet 面臨的安全挑戰(zhàn)之大令人望而生畏。
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突破封控！中國(guó)推出自有小芯片接口標(biāo)準(zhǔn)，加速半導(dǎo)體自研發(fā)

從整個(gè)芯片的發(fā)展來(lái)看，隨著芯片工藝制程提升的難度越來(lái)越大，Chiplet這種小芯片疊加的方案，已經(jīng)逐漸成為了一種主流。特別是5nm以下先進(jìn)芯片工藝，在制造單芯片產(chǎn)品之際成本極高，所以用Chiplet的方案不但能保證性能，同時(shí)也能有效節(jié)約成本。目前整個(gè)行業(yè)都在向Chiplet方向發(fā)展，甚至海外還有專(zhuān)門(mén)針對(duì)Chiplet這一技術(shù)的聯(lián)盟——UCIe聯(lián)盟。UCIe聯(lián)盟的初衷是確保來(lái)自不同供應(yīng)商的小芯片相互兼容，畢竟多芯片設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)之一是它們可以由不同的公司設(shè)計(jì)，并由不同的代工廠(chǎng)在不同的節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)。這樣要做到不同芯片
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中國(guó)Chiplet的機(jī)遇與挑戰(zhàn)及芯片接口IP市場(chǎng)展望

在探討Chiplet(小芯片)之前，摩爾定律是繞不開(kāi)的話(huà)題。戈登·摩爾先生在1965 年提出了摩爾定律：每年單位面積內(nèi)的晶體管數(shù)量會(huì)增加一倍，性能也會(huì)提升一倍。這意味著，在相同價(jià)格的基礎(chǔ)上，能獲得的晶體管數(shù)量翻倍。不過(guò)，摩爾先生在十年后的1975年，把定律的周期修正為24個(gè)月。至此，摩爾定律已經(jīng)影響半導(dǎo)體行業(yè)有半個(gè)世紀(jì)。隨著集成電路技術(shù)的不斷演進(jìn)，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)現(xiàn)摩爾定律在逐漸失效。上圖右上部分是英特爾x86 CPU 1970-2025年的演化歷史，可看出每顆芯片的晶體管數(shù)量持續(xù)增加(右上深藍(lán)色線(xiàn)條)，但時(shí)
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Chiplet：后摩爾時(shí)代關(guān)鍵芯片技術(shù)，先進(jìn)封裝市場(chǎng)10年10倍

大家好，我是小胡。在前面的內(nèi)容我們講國(guó)內(nèi)六大CPU廠(chǎng)商的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)了一個(gè)問(wèn)題，就是國(guó)產(chǎn)CPU后續(xù)工藝迭代的問(wèn)題。除了華為鯤鵬以外，其余五大CPU廠(chǎng)商目前主力芯片的制程工藝都在10nm以上，而六大廠(chǎng)商當(dāng)中有四家被列入實(shí)體清單，鯤鵬920雖然是7nm工藝，但這兩年一直依靠庫(kù)存支撐，芯片供應(yīng)鏈問(wèn)題一直是國(guó)產(chǎn)CPU無(wú)法回避的問(wèn)題。22年8月份之后，Chiplet技術(shù)，也就是芯粒技術(shù)在A(yíng)股市場(chǎng)中熱度升高，我在看券商研報(bào)的時(shí)候發(fā)現(xiàn)，“超越摩爾定律”、“性能升級(jí)”、“彎道超車(chē)”、“產(chǎn)業(yè)突破”成為了研報(bào)當(dāng)中的關(guān)鍵詞。今天
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中國(guó)推出本土小芯片接口以實(shí)現(xiàn)自力更生

Chiplet 作為目前受到廣泛關(guān)注的新技術(shù)，給全球和中國(guó)的半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)了變革與機(jī)遇。
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圍繞小芯片形成的小型聯(lián)盟

商業(yè)小芯片市場(chǎng)崛起還遠(yuǎn)，但公司正在通過(guò)更有限的合作伙伴關(guān)系早日起步。
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱(chēng)，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱(chēng)這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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外媒：存儲(chǔ)大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線(xiàn)平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱(chēng)號(hào)。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線(xiàn)平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱(chēng)號(hào)。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)

近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅(qū)動(dòng)3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)，這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣(mài)點(diǎn)，是否會(huì)向其他同類(lèi)產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶(hù)的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布，努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng)，包含大量運(yùn)用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來(lái)自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開(kāi)發(fā)商的內(nèi)容支持。
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北極雄芯發(fā)布首款基于 Chiplet 架構(gòu)的“啟明 930”芯片，采用 RISC-V CPU 核心

IT之家 2 月 20 日消息，據(jù)北極雄芯信息科技有限公司消息，近日，北極雄芯分別在西安秦創(chuàng)原人工智能前沿科技成果發(fā)布會(huì)及北京韋豪創(chuàng)芯孵化器啟用儀式上同步發(fā)布了首個(gè)基于 Chiplet 架構(gòu)的“啟明 930”芯片?！?圖源北極雄芯，下同據(jù)介紹，該芯片中央控制芯粒采用 RISC-V CPU 核心，同時(shí)可通過(guò)高速接口搭載多個(gè)功能型芯粒，基于全國(guó)產(chǎn)基板材料以及 2.5D 封裝，做到算力可拓展，可用于 AI 推理、隱私計(jì)算、工業(yè)智能等不同場(chǎng)景，目前已與多家 AI 下游場(chǎng)景合作伙伴進(jìn)行測(cè)試。IT
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奎芯科技獲超億元A輪融資，聚焦接口IP和Chiplet自主研發(fā)

上海奎芯集成電路設(shè)計(jì)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)"奎芯科技"）近日完成超億元A輪融資，本輪融資由達(dá)泰資本、國(guó)芯科技、海松資本和鑄美投資等共同參與。此前奎芯科技曾在2021年底獲得超億元的Pre-A輪融資?？究萍紝?zhuān)注于IP和Chiplet產(chǎn)品，本輪融資將用于加大接口IP和Chiplet的自主研發(fā)投入，及布局優(yōu)質(zhì)的海內(nèi)外團(tuán)隊(duì)。奎芯科技上?？偛课幕瘔Ω鶕?jù)IPnest數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022年-2026年全球高速接口IP的市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率為27%，對(duì)于IP的需求非常強(qiáng)勁。且中國(guó)市場(chǎng)IP授權(quán)的國(guó)產(chǎn)化率只有
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