3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內(nèi)不在大陸設(shè)晶圓廠
- 28日武漢新芯科技主導(dǎo)的12英寸晶圓廠正式動(dòng)工，建成后將成為中國最大、最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域，起點(diǎn)不低。再之前中國紫光集團(tuán)宣布斥資300億美元打造全球前三的半導(dǎo)體公司，一時(shí)間中國半導(dǎo)體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團(tuán)就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內(nèi)不會(huì)在大陸建立晶圓廠。 中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購已經(jīng)引起了業(yè)界震動(dòng)，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標(biāo)轉(zhuǎn)向
- 關(guān)鍵字： 三星 美光 DRAM
無廠DRAM企業(yè)Sino King 意圖革新商業(yè)模式
- 前日本爾必達(dá)(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設(shè)IC設(shè)計(jì)公司Sino King Technology，指出目前半導(dǎo)體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產(chǎn)能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強(qiáng)調(diào)研發(fā)生產(chǎn)周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的如臺(tái)積電。 而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司，以研發(fā)高度客制化存儲(chǔ)器為重，不
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) DRAM
大陸進(jìn)軍DRAM 華亞科李培瑛：5年內(nèi)沒影響
- 針對(duì)中國將進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，華亞科(3474)董事長李培瑛表示， 由于中國未能取得技術(shù)來源，如要自主發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)，勢必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專利及高度專業(yè)之技術(shù)進(jìn)入障礙門檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達(dá)成，預(yù)期5年內(nèi)將不會(huì)造成DRAM市場的影響，短期內(nèi)難有進(jìn)展。 李培瑛指出，目前全球DRAM技術(shù)掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠手中，為維持自身利益及寡占市場結(jié)構(gòu)，避免中國廠商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國技術(shù)授權(quán)合作或合資建廠計(jì)劃。中國若未能取得技術(shù)來源，短 期
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM
TrendForce:2016大陸手機(jī)品牌增速排行
- 自2015年第四季以來，全球終端需求始終停滯，智慧型手機(jī)品牌商皆計(jì)畫調(diào)降今年首季的出貨計(jì)畫，整體市場開始進(jìn)行約一個(gè)季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce智慧型手機(jī)分析師吳雅婷表示，受益于庫存調(diào)節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機(jī)發(fā)表，2月中起中國手機(jī)品牌陸續(xù)出現(xiàn)庫存回補(bǔ)的需求。此外，中國智慧型手機(jī)營運(yùn)商為拉抬4G機(jī)種的普及率，針對(duì)數(shù)款4G高階智慧型手機(jī)增加 補(bǔ)貼額度，也推升消費(fèi)者的購買欲望。 TrendForce預(yù)估2016
- 關(guān)鍵字： 華為 DRAM
武漢新芯12寸DRAM廠 28日動(dòng)工
- 大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。 這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動(dòng)全球記憶體板塊移動(dòng)，業(yè)界高度關(guān)注 。 業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴(kuò)產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)
- 關(guān)鍵字： 新芯 DRAM
SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動(dòng)能
- SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測”(SEMIWorldFabForecast)報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，達(dá)372億美元，而2017年則將再成長13%，達(dá)421億美元。另方面，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。 SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測”報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)
- 關(guān)鍵字： DRAM 晶圓
大陸臺(tái)灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國最大DRAM廠
- 還記得「爾必達(dá)」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食，爾必達(dá)于2012年申請(qǐng)破產(chǎn)、之后被美國美光(Micron)收購，而坂本幸雄也成為爾必達(dá)的末代社長、在爾必達(dá)被美光收購后就辭去社長一職以示負(fù)責(zé)。不過坂本幸雄要開始踏上復(fù)仇之路了，此次將攜手臺(tái)灣、中國大陸之力，在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠，力抗三星等廠商。 日經(jīng)新聞11日?qǐng)?bào)導(dǎo)，由坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司「SinoKingTechnology(以下簡稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，Sino將主導(dǎo)合肥市政府總
- 關(guān)鍵字： DRAM
2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰輸在起跑線？
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。 1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 2D
韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場
- 大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場，進(jìn)入市場只
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場
- 中國紫光欲與美韓合作DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達(dá)前社長坂本幸雄所主導(dǎo)成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國合肥市政府合作，將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解，相關(guān)合作細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)本周于日本舉行記者會(huì)說明。 臺(tái)灣DRAM業(yè)界指出，爾必達(dá)于2012年倒閉并由美光并購后，坂本幸雄與爾必達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺(tái)灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國內(nèi)存市場，加上中國企圖建立自主技術(shù)，地方政
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場
- 大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場，進(jìn)入市場只
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
傳三星半導(dǎo)體西安廠第二階段增設(shè)恐延期
- 三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項(xiàng)計(jì)劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，2016年將會(huì)進(jìn)入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠，也使三星開始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競爭情況。 目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來說，已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為，三星將在2016年內(nèi)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM價(jià)格跌 上季全球產(chǎn)值掉9%
- DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計(jì)報(bào)告，受到DRAM平均銷售單價(jià)持續(xù)下降及市況持續(xù)供過于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預(yù)期更佳，但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當(dāng)季DRAM價(jià)格持續(xù)下修。 三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營收下跌9.7%至47.6億美元，
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
3d dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d dram電路
3d dram相關(guān)帖子
3d dram資料下載
3d dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473