3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)能有望釋放

　　全球DRAM市場(chǎng)先抑后揚(yáng)。2015年DRAM收入預(yù)計(jì)下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是，預(yù)測(cè)隨著中國(guó)公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場(chǎng)，DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計(jì)在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。　　DRAM市場(chǎng)2016年供過于求　　近期，我們對(duì)于DRAM市場(chǎng)的預(yù)測(cè)不會(huì)發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場(chǎng)總體營(yíng)收下滑，而在
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紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠，循華亞科模式

　　大陸紫光集團(tuán)已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠，并循當(dāng)年臺(tái)塑集團(tuán)與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠，再邀請(qǐng)美光等國(guó)際大廠入股，解決技術(shù)授權(quán)問題。　　據(jù)了解，此計(jì)畫由前華亞科董事長(zhǎng)、現(xiàn)為紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達(dá)總裁坂本幸雄亦有意加入。　　大陸官方自前年成立國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應(yīng)鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財(cái)都掌握前國(guó)際大廠手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團(tuán)，由
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2015臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值增長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù) 晶圓代工增長(zhǎng)下滑

　　經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處資料顯示，臺(tái)灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長(zhǎng)，但去年增率卻是近三年來首見個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，也結(jié)束自2011年以來的上升走勢(shì)，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部指出，去年臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù)，加上晶圓代工成長(zhǎng)下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。　　臺(tái)灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長(zhǎng)23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道疲弱，尤其新興市場(chǎng)需求明顯下降，抑制終端消費(fèi)性電子產(chǎn)品銷售成長(zhǎng)動(dòng)能，下半年衰退7.9%。　　去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點(diǎn)反
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Stratasys與Creaform在中國(guó)大陸與香港地區(qū)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，共同開拓3D市場(chǎng)

　　3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys Ltd.(納斯達(dá)克代碼：SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測(cè)量解決方案和工程服務(wù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)航者Creaform形創(chuàng)中國(guó)，今天聯(lián)合宣布將兩公司的戰(zhàn)略合作拓展至中國(guó)大陸與香港地區(qū)。 Stratasys與形創(chuàng)的此次合作，將為市場(chǎng)提供更加整合的3D解決方案，讓用戶得以同時(shí)利用前沿的3D掃描技術(shù)與3D打印技術(shù)，完成從輸入端的產(chǎn)品掃描到輸出端的產(chǎn)品成型，確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
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紫光計(jì)劃今年再收購2家IC公司重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面

　　清華紫光集團(tuán)所屬的清華控股董事長(zhǎng)徐井宏，昨天在瑞士達(dá)沃斯的世界經(jīng)濟(jì)論壇現(xiàn)場(chǎng)，接受彭博訪問時(shí)坦承，由于美國(guó)主管機(jī)關(guān)豎立的障礙，美光投資案過關(guān)的機(jī)會(huì)渺茫，但紫光集團(tuán)仍持續(xù)推動(dòng)與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。　　他表示，紫光集團(tuán)可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。　　徐井宏也透露，清華紫光集團(tuán)旗下的3大平臺(tái)之中，主攻DRAM的同方國(guó)芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒有透露可能購并對(duì)象。　　徐井宏也提到，2016紫光集團(tuán)的海
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三星開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片

　　三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。　　　　HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。　　按照HBM2標(biāo)準(zhǔn)，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲(chǔ)器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用
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美光DRAM表現(xiàn)看弱　市場(chǎng)供需變化使然

　　日前美光(Micron)公布最新1季結(jié)果表現(xiàn)不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價(jià)下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。　　評(píng)論認(rèn)為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價(jià)格淡季，而且PC與移動(dòng)裝置帶動(dòng)DRAM成長(zhǎng)有限，因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強(qiáng)布局3D XPoint技術(shù)必要性。　　據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，DRAM已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品，因此，相當(dāng)容易受到供需平衡變化而導(dǎo)致價(jià)格改變。加上目前正處于需求弱但供應(yīng)強(qiáng)階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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慧榮科技推出全球首款支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品

　　慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強(qiáng)的控制器解決方案將有助加快推進(jìn)最具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能SSD產(chǎn)品在市場(chǎng)上的應(yīng)用。此次2016年拉斯維加斯消費(fèi)電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級(jí)版SM2246EN
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重磅：3D Systems宣布退出消費(fèi)級(jí)3D打印市場(chǎng)

　　上周，全球3D打印行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)3D Systems公司向其旗下消費(fèi)型的在線3D打印市場(chǎng)Cubify.com的注冊(cè)用戶發(fā)送了一封電子郵件，宣布關(guān)閉Cubify.com，并停止零售3D打印產(chǎn)品，比如珠寶和手機(jī)外殼等。當(dāng)時(shí)這封電子郵件讓很多人難以置信，在即將進(jìn)入2016年之際，這位3D打印巨頭為什么要突然退出消費(fèi)零售市場(chǎng)?會(huì)不會(huì)是該公司的郵件系統(tǒng)被黑了?遺憾的是，2015年12月28日，該公司正式確認(rèn)了這個(gè)消息。　　據(jù)了解，3D Systems宣布將撤出“消費(fèi)級(jí)”市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向看似更
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盤點(diǎn)2015：中國(guó)海外收購起摩擦

迅速邁向“大國(guó)”的中國(guó)也在世界上引發(fā)摩擦，自主的行為原則與現(xiàn)有的國(guó)際秩序不兼容，在經(jīng)濟(jì)減速局面下的經(jīng)濟(jì)改革時(shí)而動(dòng)搖市場(chǎng)，中國(guó)的真實(shí)情況到底是什么呢。
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2016年整體DRAM需求預(yù)估成長(zhǎng)23%

2016年中國(guó)持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變，仍將有許多并購發(fā)生，記憶體方面更是中國(guó)發(fā)展的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。
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DRAM慘跌拖累　美光營(yíng)收衰退近3成

　　DRAM市場(chǎng)供過于求，而分散營(yíng)收的努力尚待開花結(jié)果，導(dǎo)致美光(Micron)最新一季營(yíng)收、凈利均大幅衰退，本季展望也并不樂觀。　　華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒體報(bào)導(dǎo)，美光于22日發(fā)布截至12月3日止的2016年會(huì)計(jì)年度第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收衰退26.74%至33.5億美元，凈利衰退79.46%至2.06億美元。　　在展望方面，美光預(yù)測(cè)本季營(yíng)收將介于29億~32億美元間，每股將虧損0.05~0.15美元，雙雙低于路透(Reuters)預(yù)估的34.6億美元及0.22美元的每股盈余
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大陸扶植DRAM供應(yīng)鏈三部曲

市場(chǎng)是開放了，技術(shù)依然要自己發(fā)展，包括華為等過去幾十年發(fā)展起來的巨頭沒有一家是通過市場(chǎng)換技術(shù)換來而是通過自身努力崛起的。
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中美半導(dǎo)體戰(zhàn) 美光到底打什么算盤？

美光這次算盤打得好啊，曲線救國(guó)了，這下有了籌碼，再也不不用提心吊膽了。
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三星在IEDM上宣布：DRAM工藝可達(dá)10nm

　　韓國(guó)三星電子于2015年12月9日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講(論文26.5)。三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，該公司表示其特性非常良好，并表示“采用同樣的方法，可以達(dá)到10nm工藝”?！　∽罱?，有技術(shù)人員指出DRAM的微細(xì)化極限是20nm。DRAM在單元中的電容器中儲(chǔ)存電荷，對(duì)有電荷狀態(tài)分配1、無電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細(xì)化發(fā)展，電容器的表面積越來越小，不能再如愿存儲(chǔ)電荷。因此，業(yè)內(nèi)通過將電容器做成細(xì)長(zhǎng)的圓柱狀來確保表面積，也就是
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