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          千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開(kāi)局

          • 從目前公開(kāi)的DRAM(內(nèi)存)技術(shù)來(lái)看,業(yè)界認(rèn)為,3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一,是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工?如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)?大廠布局情況?如何理解3D DRAM?DRAM(內(nèi)存)單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成,其中,晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流,使信息(位)能夠被寫(xiě)入或讀取,電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線寬來(lái)提高集成度
          • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  存儲(chǔ)  

          為什么仍然沒(méi)有商用3D-IC?

          • 摩爾不僅有了一個(gè)良好的開(kāi)端,但接下來(lái)的步驟要困難得多。
          • 關(guān)鍵字: 3D-IC  HBM  封裝  

          1年利潤(rùn)暴跌84.9%!三星樂(lè)觀 今年業(yè)績(jī)回暖:存儲(chǔ)漲價(jià)是開(kāi)始

          • 2月1日消息,存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過(guò),全年利潤(rùn)暴跌84.9%,確實(shí)沒(méi)辦法,不過(guò)他們保持樂(lè)觀態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷,尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下,三星全年?duì)I收為258.94萬(wàn)億韓元,同比減少14.3%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.57萬(wàn)億韓元,同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法,2024年上半年業(yè)績(jī)會(huì)回暖,其中以存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯,相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì)停止,只會(huì)更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后,目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAN
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  三星  鎂光  海力士  NAND  

          一季度 NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)上漲15%-20%

          • 供應(yīng)商為了盡量減少損失,正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì),但為避免缺貨,買方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購(gòu)以建立安全庫(kù)存水位,而供應(yīng)商為減少虧損,對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行,預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是,NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅,但由于短期內(nèi)漲幅過(guò)高,需求腳步卻跟不上,后續(xù)價(jià)格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一,隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TrendForce  

          SSD 正迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升

          • 2023 已近尾聲,跌跌不休的存儲(chǔ)行情終在四季度發(fā)生逆轉(zhuǎn),尤其以 Flash Wafer 為代表的產(chǎn)品在 9 月、10 月、11 月的價(jià)格連續(xù)上漲,站在目前的時(shí)間節(jié)點(diǎn),雖然從需求端看完全改善還需時(shí)日,但在各大原廠積極減產(chǎn)的作用下,供應(yīng)已經(jīng)大幅度收緊。根據(jù) CFM 閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù),自 10 月份以來(lái),現(xiàn)貨市場(chǎng) NAND Flash 價(jià)格指數(shù)漲幅已達(dá) 40%。近日西部數(shù)據(jù)更是直接打響了 NAND 大漲價(jià)的第一槍。NAND 大漲價(jià)!近日,全球第四大 NAND Flash 供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)對(duì)客戶發(fā)出漲價(jià)通知信。在信中
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND  

          DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

          • IT之家 12 月 21 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預(yù)算增加 25%;而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元(當(dāng)前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外,還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND
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          日本東芝正式退市

          • 據(jù)日媒報(bào)道,12月20日,日本東芝公司正式退市,結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起,以日本國(guó)內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”(JIP)為主的財(cái)團(tuán)正式開(kāi)始向東芝發(fā)起總額約2萬(wàn)億日元的要約收購(gòu)。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱,該財(cái)團(tuán)將從普通股東收購(gòu)剩余股份,將東芝收購(gòu)為全資子公司。公開(kāi)資料顯示,東芝創(chuàng)立于1875年,距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一,在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外,東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商,曾發(fā)明NAND閃存芯片。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  家電  NAND  閃存  退市  

          集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%

          • IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告,預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%,而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國(guó)智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健,由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確,帶動(dòng)買方積極擴(kuò)大購(gòu)貨需求,以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫(kù)存降低,加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用,這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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          明年半導(dǎo)體暴增20%,哪些賽道市場(chǎng)回暖?

          • 今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟,市場(chǎng)下滑的消息從年頭傳到年尾,半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對(duì)蕭瑟的市場(chǎng)環(huán)境,不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過(guò)冬就是春,最近的半導(dǎo)體市場(chǎng)總算是迎來(lái)了一些好消息。IDC 最新的預(yù)測(cè),認(rèn)為半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)觸底,明年開(kāi)始半導(dǎo)體將會(huì)加速恢復(fù)增長(zhǎng)。在它的預(yù)測(cè)中,2023 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元,2024 年收入預(yù)期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年,全球半導(dǎo)體收入將同比增長(zhǎng) 20.2%。IDC 全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈技術(shù)情報(bào)研究經(jīng)理 Rudy Tor
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          300層之后,3D NAND的技術(shù)路線圖

          • 開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器

          • ●? ?HAL 3930-4100(單芯片)和 HAR 3930-4100(雙芯片)是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器,具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力,并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí),可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中,最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤(pán)位置檢測(cè)、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
          • 關(guān)鍵字: TDK  ASIL C  3D HAL傳感器  

          存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻:DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代

          • IT之家?11 月 24 日消息,由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn),以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求,DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲,并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估,2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%,上漲趨勢(shì)會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM:根據(jù)國(guó)外科技媒體 WccFtech 報(bào)道,2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
          • 關(guān)鍵字: 閃存  DRAM  NAND  

          越便宜越?jīng)]人買!全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌

          • 11月22日消息,據(jù)TrendForce最新報(bào)告,2022年全球SSD出貨量為1.14億塊,同比下降10.7%。報(bào)告中指出,2021年上半年受到主控IC短缺的影響,SSD出貨量不高;但在2022年下半年供應(yīng)情況已經(jīng)極大緩解,渠道SSD市場(chǎng)恢復(fù)正常供需狀態(tài)。隨著個(gè)人電腦和計(jì)算機(jī)硬件市場(chǎng)的萎縮,固態(tài)硬盤(pán)的需求依然疲軟,而更多的用戶也是買漲不買跌(便宜了還能更便宜,便宜反而買單的人銳減)。TrendForce稱,由于NAND閃存供應(yīng)商積極減產(chǎn),導(dǎo)致整個(gè)行業(yè)價(jià)格上漲,市場(chǎng)情緒在2022年第三季度末"迅速
          • 關(guān)鍵字: SSD  固態(tài)硬盤(pán)  閃存  NAND  

          一文看懂TSV技術(shù)

          • 前言從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為T(mén)SV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫(xiě),TSV(Through Silicon Via)中文為硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù),是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中,我們將告訴您它們是什么,它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個(gè)月,Santa Clara Universi
          • 關(guān)鍵字: 芯片  TSV  HBM  NAND  先進(jìn)封裝  
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          3d nand介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d nand!
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