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紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動
- 日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據(jù)產(chǎn)線運行情況擇機啟動。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
- 關鍵字： 紫光國微 2D/3D 芯片封裝
國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍
- 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
- 關鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻
增強視覺傳感器功能：3D圖像拼接算法幫助擴大視場
- 得益于出色的深度計算和紅外(IR)成像能力，飛行時間(TOF)攝像頭在工業(yè)應用，尤其是機器人領域越來越受歡迎。盡管具有這些優(yōu)勢，但光學系統(tǒng)的固有復雜性往往會約束視場，從而限制獨立功能。本文中討論的3D圖像拼接算法專為支持主機處理器而設計，無需云計算。該算法將來自多個TOF攝像頭的紅外和深度數(shù)據(jù)實時無縫結合，生成連續(xù)的高質(zhì)量3D圖像，該圖像具有超越獨立單元的擴大視場。借助拼接的3D數(shù)據(jù)，應用先進的深度學習網(wǎng)絡能夠徹底改變可視化及與3D環(huán)境的交互，深度學習網(wǎng)絡在移動機器人應用中特別有價值。
- 關鍵字： 202501 視覺傳感器 3D圖像拼接算法 飛行時間 ToF ADI
李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能
- 斯坦福大學教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學習革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠遠超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經(jīng)網(wǎng)絡開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費訓練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
- 關鍵字： 李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正在為機器提供 3D 空間智能
谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動世界
- 12月5日消息，美國當?shù)貢r間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個交互式的實時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
- 關鍵字： 谷歌 DeepMind Genie 2 模型 3D 互動世界
Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具
- Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產(chǎn)線上的3D測量和檢測任務。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機定子等）、汽車、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
- 關鍵字： Teledyne 3D測量 Z-Trak 3D Apps Studio
三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量
- 據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
- 關鍵字： 三星 光刻膠 3D NAND
臺積電OIP推3D IC設計新標準
- 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當?shù)貢r間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現(xiàn)優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
- 關鍵字： 臺積電 OIP 3D IC設計
鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
- 關鍵字： 鎧俠 3D NAND堆疊
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
- 關鍵字： SK海力士 3D DRAM
西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
- 關鍵字： 西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業(yè)化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
- 關鍵字： 3D 內(nèi)存 存儲 三星
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