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          TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

          • ●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?!? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平,以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布,其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員,現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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          3D ToF相機于物流倉儲自動化的應(yīng)用優(yōu)勢

          • 3D ToF智能相機能藉助飛時測距(Time of Flight;ToF)技術(shù),在物流倉儲現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料,確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢,加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā),隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài),導(dǎo)致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長;于此同時,人員移動的管制,也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題,加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程,進而大量導(dǎo)入無人搬運車AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
          • 關(guān)鍵字: 3D ToF  相機  物流倉儲  自動化  臺達  

          延續(xù)摩爾定律:先進封裝進入3D堆疊CPU/GPU時代

          3D NAND還是卷到了300層

          • 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
          • 關(guān)鍵字: V-NAND  閃存  3D NAND  

          3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

          • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展,因為它能推動存儲器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
          • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  泛林  

          意法半導(dǎo)體全新多區(qū)測距 TOF 傳感器發(fā)布:90 度視場角,號稱“堪比相機水準(zhǔn)”

          • IT之家 7 月 20 日消息,意法半導(dǎo)體今日宣布推出一款視場角達 90° 的 FlightSense 多區(qū) ToF 測距傳感器,視場角比上一代產(chǎn)品擴大 33%,用于家庭自動化、家電、計算機、機器人以及商店、工廠等場所使用的智能設(shè)備。據(jù)介紹,與一些專用的攝像頭傳感器不同,這款型號為 VL53L7CX 的飛行時間(ToF)傳感器并不拍攝圖像,因此,可以保障用戶個人隱私安全。VL53L7CX 將視場角擴大到 90°(對角線),號稱“幾乎相當(dāng)于相機的水準(zhǔn)”,增強了對場景周邊的感知能力,提升了存在檢測和
          • 關(guān)鍵字: ST  ToF  

          被壟斷的NAND閃存技術(shù)

          • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
          • 關(guān)鍵字: NAND  3D NAND  

          3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

          基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

          • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案,該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU,主頻達到 150MHz,擁有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多個 Timer,多路 PWM,多種通信接口,支持 16 位的 ADC,資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機,支持 5 軸電機控制,支
          • 關(guān)鍵字: 3D 打印機  NXP  LPC5528  

          Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

          • 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
          • 關(guān)鍵字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

          Melexis ToF傳感器助力實現(xiàn)功能安全應(yīng)用

          • 2023年6月21日,比利時泰森德洛——全球微電子工程公司Melexis今日宣布,Melexis擴展產(chǎn)品范圍,進一步鞏固其在飛行時間(ToF)技術(shù)領(lǐng)域的地位。最新推出的MLX75027RTI有助于汽車和工業(yè)客戶滿足功能安全要求。 MLX75027RTI是一款VGA分辨率ToF傳感器芯片,具有307k像素的空間分辨率,符合ASIL標(biāo)準(zhǔn),適用于需要獲得ASIL或SIL認證的安全關(guān)鍵型系統(tǒng)。該傳感器芯片的主要應(yīng)用包括動態(tài)安全氣囊抑制(確保安全氣囊不會在非必要時展開)、駕駛員注意力監(jiān)測以及外部近距離Li
          • 關(guān)鍵字: Melexis  ToF  功能安全  

          有效范圍 5 米,消息稱三星將為 AR / VR 頭顯推出新型 ToF 傳感器

          • IT之家 6 月 14 日消息,消息源 Tech_Reve 在最新推文中表示,三星計劃在 VLSI 2023 研討會(6 月 11-16 日)上,展示一款針對 AR 和 VR 市場的新型 ToF 傳感器。這款傳感器支持 on-chip ISP,采用雙堆棧工藝技術(shù)制造,其上層采用 65nm BSI,下層采用 28nm CMOS。這款 ToF 傳感器的有效范圍為 5 米,測速為 60fps,且能維持 188mW 的低功耗狀態(tài)。IT之家注:Time of flight(飛行時間)。其實 ToF 是一種
          • 關(guān)鍵字: 三星  ToF  MR  

          ToF 3D圖像傳感器正在改變我們參與攝影和混合現(xiàn)實的方式

          • 視頻技術(shù)的問世掀起了一場席卷全球的視聽通信革命。今天,整個世界都非常依賴照片和視頻媒體來實現(xiàn)各種目的,包括商業(yè)、通信、教育和娛樂。采集和顯示視頻的機制也突飛猛進。而3D攝像頭的采用,使用戶可以以前所未有的信息量觀察事物。這個過程所不可或缺的一環(huán),就是給數(shù)字視頻添加深度信息,使其更接近真實。本文探討了如何使用飛行時間(ToF)傳感器實現(xiàn)此目的,以及ToF傳感器正在如何改變我們與VR和其他視頻技術(shù)的交互方式。ToF 3D圖像傳感器簡介總的來說,飛行時間(或 ToF)是一種基于光的飛行時間測量物體距離的方法。T
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  ToF  圖像傳感器  

          DRAM迎來3D時代?

          3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)

          • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  
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