3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)
EasyScope X應(yīng)用案例之檢索平均波形數(shù)據(jù)
- 波形平均是一種降低特定信號噪聲的有效方法。SIGLENT SDS系列示波器可以使用EasyScope X軟件輕松采集平均波形數(shù)據(jù)。注意：此時，平均波形數(shù)據(jù)無法以CSV格式保存到通過前面板連接的U盤中。1、初始設(shè)置 - 如果您的計算機(jī)還沒有VISA庫，請下載與您的操作系統(tǒng)匹配的NI-VISA Runtime Engine。它可以從National Instruments下載：http：//bit.ly/2pw5gQW。- 安裝了VISA庫。這是EasyScope X軟件用于與儀器通信的通信庫。-
- 關(guān)鍵字： EasyScope X 平均波形
合約價勁漲護(hù)身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增
- 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動營收較前一季度成長5.1％，達(dá)183.5億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價意圖強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，拖累價格漲幅居所有應(yīng)用之
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM TrendForce
合約價上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營收季增5.1%
- 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動營收較前一季度成長5.1%，達(dá)183.5億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收延續(xù)季增趨勢。出貨表現(xiàn)上，第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷售單價方面，三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價意愿強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動Mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而Co
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X-Fab增強(qiáng)其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
- Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴(kuò)展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運(yùn)行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
- IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟(jì)日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點(diǎn)規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
- 據(jù)日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運(yùn)。報道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日圓補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 日本 EUV
HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
- 三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預(yù)計漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
- IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價格年內(nèi)也不會
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美國周二表示，已經(jīng)撤銷了許可證，禁止公司向被制裁的華為等公司運(yùn)輸芯片
- 據(jù)一名知情人士透露，一些公司在周二收到通知，稱他們的許可證立即被撤銷。此舉是在上個月華為發(fā)布了首款A(yù)I功能筆記本電腦MateBook X Pro之后采取的。該電腦由英特爾（INTC.O）新推出的Core Ultra 9處理器提供動力。筆記本電腦的推出引發(fā)了共和黨議員的抨擊，他們稱這表明美國商務(wù)部已經(jīng)向英特爾發(fā)出了向華為出售芯片的許可證。商務(wù)部在一份聲明中表示：“我們已經(jīng)撤銷了一些出口至華為的許可證。”該部門拒絕具體說明已撤銷了哪些許可證。此舉首次由路透社報道，此前，共和黨的中國鷹派議員一直在施加壓力，敦促
- 關(guān)鍵字： MateBook X Pro 華為 AI
第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時從合約價先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
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2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會逾三成。2024年HBM
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