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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d x-dram

          閃存降價(jià)利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時(shí)

          •   幾年前突然“大火”的存儲(chǔ)行情,給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶,要么咬牙買高價(jià)內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機(jī)升級(jí)的計(jì)劃。當(dāng)然,市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述,近期閃存降價(jià)的趨勢,有望持續(xù)到 2019 上半年?! RAMeXchange 報(bào)告稱,2018 年 3~4 季度,NAND 閃存的平均銷售價(jià)格,預(yù)計(jì)將下降 10% 。集邦認(rèn)為,市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能,是推動(dòng)這一趨勢的主要原因。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  DRAM  

          IC Insights預(yù)測:全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切

          •   在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中,IC Insights預(yù)測,2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95,高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián),以及到2022年的最新預(yù)測。  如圖所示,在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi),全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88,這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字,因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          揭密測量儀器核心芯片―303塊MMIC組成的 \"航空母艦\" PNA-X

          • PNA-X 系列微波網(wǎng)絡(luò)分析儀是是德科技在射頻(RF) 網(wǎng)絡(luò)分析領(lǐng)域內(nèi)長達(dá)40 多年的技術(shù)領(lǐng)先地位和產(chǎn)品創(chuàng)新精神的巔峰之作。PNA-X 不僅僅是一款矢量網(wǎng)絡(luò)分析
          • 關(guān)鍵字: PNA-X  微波網(wǎng)絡(luò)分析儀  MMIC  

          中國存儲(chǔ)三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

          •   今年下半年,隨著長江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段,中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為,國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖,但或?qū)θ虼鎯?chǔ)市場價(jià)格走勢造成影響?! 《S著中美貿(mào)易局勢的緊張,以及中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查,中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?! ∧壳埃袊鎯?chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長鑫,以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?! 〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

          •   美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼:MU)宣布,中國福建省福州市中級(jí)人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司,針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件,該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟,實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺(tái)灣檢察機(jī)關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟,以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?! ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃臁N
          • 關(guān)鍵字: 美光科技  DRAM  NAND   

          重拳!美芯片巨頭在華遭禁售

          • 此次對美國芯片巨頭美光(Micron)發(fā)出“訴中禁令”雖不是最終判決,但似乎暗示美光確實(shí)存在侵權(quán)行為。而這是中國發(fā)展半導(dǎo)體一路被指稱“竊密”和“侵權(quán)”以來,首次成功重拳回?fù)簟?/li>
          • 關(guān)鍵字: 芯片,美光,DRAM  

          3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

          •   6月26日-28日,基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)?! 』景雽?dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色調(diào),獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球?! ∪颡?dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù)  展會(huì)期間,基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù),該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力,通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入,使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  3D SiC技術(shù)  碳化硅功率器件  

          紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

          • 在“2018中國半導(dǎo)體市場年會(huì)暨IC中國峰會(huì)”上,紫光集團(tuán)有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告,介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間,紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  3D  NAND  自主可控  201807  

          傳三星、SK海力士18nm DRAM出現(xiàn)良率問題,市場價(jià)格增添變量

          •   受惠于市場需求強(qiáng)力推升,服務(wù)器存儲(chǔ)器供應(yīng)持續(xù)吃緊,近來市場傳出,存儲(chǔ)器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)良率問題,應(yīng)用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨,包括美國及大陸廠商已要求暫時(shí)停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調(diào),但多家臺(tái)灣地區(qū)業(yè)者近日仍紛紛接獲消息,業(yè)界預(yù)計(jì)最快1~2個(gè)月左右應(yīng)可改善良率,但由于第3季DRAM價(jià)格預(yù)期將緩步上升,如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應(yīng)求,將為下半年市場價(jià)格漲幅投下變量?! 「鶕?jù)市場消息傳出,三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現(xiàn)質(zhì)量疑慮,并遭到數(shù)據(jù)中心客戶退貨,且在改善
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

          DRAM漲價(jià)驅(qū)動(dòng),全球服務(wù)器銷額增33%、高于銷量升幅

          •   Gartner 6月11日公布,2018年第1季全球服務(wù)器銷售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%。  Gartner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出,服務(wù)器市場是由超大規(guī)模(Hyperscale)數(shù)據(jù)中心以及企業(yè)與中型數(shù)據(jù)中心支出攀高所驅(qū)動(dòng)。他還提到,服務(wù)器第1季銷售均價(jià)上揚(yáng)的原因之一是DRAM價(jià)格因供給吃緊而走高?! artner統(tǒng)計(jì)顯示,2018年第1季北美服務(wù)器銷售額、出貨量分別成長34%、24.3%,亞太分別成長47.8%、21.9%,歐洲、中東與非洲(EM
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          中國存儲(chǔ)芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時(shí)間

          •   受中美競爭特別是中興事件的影響,國內(nèi)對芯片的重視程度被進(jìn)一步拔高,而在存儲(chǔ)芯片方面隨著三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)長江存儲(chǔ)、合肥長鑫和福建晉華的快速推進(jìn)讓人看到中國存儲(chǔ)芯片企業(yè)有機(jī)會(huì)打破當(dāng)前由美日韓企業(yè)壟斷的局面,不過要打破這一局面還需要時(shí)間。  美日韓壟斷存儲(chǔ)芯片市場  存儲(chǔ)芯片主要分為兩種,分別是DRAM和NAND flash,在我們?nèi)粘R姷降漠a(chǎn)品中分別是PC用的DRAM內(nèi)存條和SSD硬盤,這兩類產(chǎn)品在各個(gè)行業(yè)都有廣泛的應(yīng)用,而且隨著各個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展這兩類產(chǎn)品的重要性正日益凸顯,這也導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格自2016年
          • 關(guān)鍵字: 芯片,DRAM  

          無錫SK海力士工廠突發(fā)火災(zāi),DRAM又要漲價(jià)了?

          • SK海力士在無錫可謂多災(zāi)多難。2008年曾經(jīng)停電4個(gè)小時(shí),2013年又發(fā)生重大火災(zāi),都有大量晶圓報(bào)廢,對全球DRAM內(nèi)存、NAND閃存供應(yīng)造成重大影響。
          • 關(guān)鍵字: SK海力士,DRAM  

          中國不滿DRAM漲太兇,傳代陸廠向三星、SK海力士殺價(jià)

          •   韓國兩大存儲(chǔ)器廠三星、SK海力士傳被中國商務(wù)部旗下反壟斷主管機(jī)關(guān)約談,且被要求對中國科技廠調(diào)降存儲(chǔ)器售價(jià)?! №n國媒體KoreaTimes.com報(bào)導(dǎo),去年存儲(chǔ)器價(jià)格飛漲不停,大幅侵蝕中國智能手機(jī)、PC廠的利潤,中國政府要求三星與SK海力士降價(jià)顯然為此而來。據(jù)統(tǒng)計(jì),全球75%的DRAM供給掌握在三星、SK海力士的手里?! ≈袊翼n國存儲(chǔ)器雙雄的碴,背后還有其它動(dòng)機(jī),推測應(yīng)該與技術(shù)交叉授權(quán)有關(guān)。熟知內(nèi)情的人士指出,盡管三星、SK海力士都在中國設(shè)廠,但產(chǎn)品采用的技術(shù)落后韓國廠至少兩個(gè)世代,且極少交叉授
          • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

          DRAM/NAND存儲(chǔ)器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好

          •   隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來臨,數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視,研調(diào)單位指出,協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫,南亞科(2408)日前表示,今年DRAM市場仍供不應(yīng)求,帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上,旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注,昨(29)日登上成交金額之首?! ∧蟻喛谱蛉展蓛r(jià)雖然收小黑,小跌0.4%,收在98.9元(新臺(tái)幣,后同),但獲外資逆勢敲進(jìn)逾2,000張,頗有逢低承接意味?! ∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達(dá)2.39元,隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應(yīng)求,對今年整體營運(yùn)表
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          中國不滿DRAM漲太兇,傳代陸廠向三星、SK海力士殺價(jià)

          • 韓國兩大存儲(chǔ)器廠三星、SK海力士傳被中國商務(wù)部旗下反壟斷主管機(jī)關(guān)約談,且被要求對中國科技廠調(diào)降存儲(chǔ)器售價(jià)。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  SK海力士  
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          3d x-dram介紹

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