3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)
費(fèi)恩格爾:全面屏?xí)r代的3D—TOF
- 談到生物識(shí)別,有兩點(diǎn)不得不談,其中一個(gè)是算法,另一個(gè)便是傳感器。在費(fèi)恩格爾CEO黃昊看來,生物識(shí)別的關(guān)鍵在于算法,算法是提供今天生物識(shí)別行業(yè)的基礎(chǔ)。 細(xì)細(xì)看來,從光學(xué)指紋到電容指紋,從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內(nèi)指紋,這是整個(gè)指紋識(shí)別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識(shí)別在手機(jī)端的應(yīng)用提高到一個(gè)新高度,出現(xiàn)了人臉識(shí)別算法。不變的是,人臉識(shí)別在智能手機(jī)的出現(xiàn),它最重要的一個(gè)前提就是自學(xué)算法對(duì)傳統(tǒng)人臉識(shí)別算法的支撐。 指紋傳感器也被堪稱為生物
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?
- 明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭(zhēng)辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測(cè)明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?
- 明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭(zhēng)辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測(cè)明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日?qǐng)?bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
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Stratasys加大中國(guó)市場(chǎng)投入
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(guó)(以下簡(jiǎn)稱Stratasys)在上海舉行辦公室喬遷暨打印服務(wù)中心開業(yè)儀式,以3倍于前的辦公環(huán)境配置,踏上市場(chǎng)開拓的新征程。上海辦公室擴(kuò)建之舉,也是為了將上海建成為Stratasys南亞總部,覆蓋除日韓之外的整個(gè)亞太市場(chǎng),包括大中華區(qū)、印度、東南亞、澳大利亞、新西蘭等廣大地區(qū)?! tratasys南亞總部暨上海打印服務(wù)中心開業(yè)儀式 Stratasys亞太及日本地區(qū)總裁Omer Krieger表示,“中國(guó)是正
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Yole:供需失衡推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲,市場(chǎng)年均增長(zhǎng)9%
- 存儲(chǔ)器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長(zhǎng)的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì),2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為9%,到2022將達(dá)到1350億美元,DRAM和NAND市場(chǎng)份額合計(jì)約占95%。此外,供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲,導(dǎo)致存儲(chǔ)器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤(rùn)! 存儲(chǔ)器的需求來自各行各業(yè),特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場(chǎng)。平均而言,每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長(zhǎng)三倍以上,預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右,而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加
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紫光國(guó)芯:DRAM未來會(huì)考慮與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作
- 紫光國(guó)芯日前在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。前不久,針對(duì)“存儲(chǔ)芯片行業(yè)增長(zhǎng)很快,為什么西安紫光國(guó)芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國(guó)芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動(dòng)問答時(shí)表示,西安紫光國(guó)芯從事DRAM存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場(chǎng)上DRAM的代工廠很少,特別是在市場(chǎng)需求旺盛的時(shí)期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)能不好保證
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紫光國(guó)芯:DRAM未來會(huì)考慮與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作
- 紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。 前不久,針對(duì)“存儲(chǔ)芯片行業(yè)增長(zhǎng)很快,為什么西安紫光國(guó)芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國(guó)芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動(dòng)問答時(shí)表示,西安紫光國(guó)芯從事DRAM存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場(chǎng)上DRAM的代工廠很少,特別是在市場(chǎng)需求旺盛的時(shí)期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)
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紫光國(guó)芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場(chǎng)
- 近兩日連續(xù)大漲的紫光國(guó)芯在接受數(shù)家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,前三季因研發(fā)投入加大及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇,整體毛利率下降,導(dǎo)致業(yè)績(jī)下降。目前第四季度經(jīng)營(yíng)好于預(yù)期,對(duì)全年業(yè)績(jī)估計(jì)相對(duì)樂觀,公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場(chǎng),營(yíng)業(yè)收入穩(wěn)定增長(zhǎng)。紫光國(guó)芯預(yù)計(jì),公司2017年全年凈利潤(rùn)為2.35億元~3.36億元,上年同期為3.36億元,同比變動(dòng)-30%~0%。前三季度,紫光國(guó)芯實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入13.08億元,同比增長(zhǎng)31.31%;凈利潤(rùn)為2.13億元,同比下降22.912%。紫光國(guó)芯表示,公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段,已投入自有
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數(shù)據(jù)中心需求熱,SK海力士第三季營(yíng)收大幅增長(zhǎng)30.1%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下,并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)需求,Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(jià)(Average Selling Price)墊高帶動(dòng),三大DRAM原廠第三季營(yíng)收成長(zhǎng)約25.2%。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出,進(jìn)入第四季,在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下,整體Server DRAM供不應(yīng)求的狀況將更為明顯,Server DRAM第四
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3d x-dram介紹
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