3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)
聚焦安全芯片，紫光國微將DRAM業(yè)務(wù)2.2億轉(zhuǎn)讓給紫光存儲(chǔ)
- 10月11日晚間，紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告，將轉(zhuǎn)讓公司旗下專注于DRAM存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)研發(fā)的西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)給紫光集團(tuán)下屬全資子公司北京紫光存儲(chǔ)科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲(chǔ)”)?！ “凑展娴恼f法，過去幾年里，西安紫光國芯為保持和跟進(jìn) DRAM 存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)，持續(xù)加大產(chǎn)品開發(fā)投入，但受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制，短期內(nèi)無法達(dá)到規(guī)模經(jīng)濟(jì)，經(jīng)營壓力加大，資產(chǎn)負(fù)債率不斷提高，已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營，給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力，其
- 關(guān)鍵字： 紫光 DRAM
DRAM內(nèi)存市場已經(jīng)為寡頭壟斷，時(shí)代變了，別再等漲跌循環(huán)了
- 內(nèi)存漲價(jià)今年底也要到頭了，投行機(jī)構(gòu)也看衰內(nèi)存行業(yè)前景，認(rèn)為明年內(nèi)存價(jià)格會(huì)跌，不過在內(nèi)存業(yè)內(nèi)廠商來看，內(nèi)存市場已經(jīng)變天了，已經(jīng)變成寡頭壟斷，不能再用以前的漲跌周期來看待了。
- 關(guān)鍵字： DRAM，
紫光國微：公司DRAM芯片與三星有很大差距，DDR4仍是主流產(chǎn)品
- 今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。對此，有投資者在互動(dòng)平臺上提問，這是否會(huì)對紫光國微的DDR4前景造成影響?
- 關(guān)鍵字： 紫光國微，DRAM
晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng)，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額
- 近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告，報(bào)告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng)，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！ ?014年中國成立大基金以來，促進(jìn)了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長，目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進(jìn)行或計(jì)劃開展25個(gè)新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，代工廠、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM 3D NAND
SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能
- 隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價(jià)比。此外，隨著市場的增長，由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來越具有吸引力?！ 」β拾雽?dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機(jī)制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實(shí)現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
- 關(guān)鍵字： X-FAB SiC
今年全球半導(dǎo)體支出將首次突破1000億美元，內(nèi)存投資繼續(xù)瘋狂
- IC Insights預(yù)測，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器IC占2018年半導(dǎo)體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長?！ ∪鐖D所示，超過一半的行業(yè)資本支出預(yù)計(jì)用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn)，包括對現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制作設(shè)施的升級?？偟膩碚f，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%，達(dá)到
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜
- 8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時(shí)沒有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！ 「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
集邦咨詢：DRAM價(jià)格已近高點(diǎn)
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng)，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動(dòng)價(jià)格有15%顯著上漲外，其余各應(yīng)用類別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右?！ ≌雇谌緝r(jià)格走勢，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠已陸續(xù)在七月份議定合約價(jià)格。就一線大廠定價(jià)來看，均價(jià)已來到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
第三季利基型DRAM價(jià)格持平，DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價(jià)，價(jià)格大致和6月相同。展望第三季，預(yù)期DDR4利基型內(nèi)存報(bào)價(jià)水平將較接近主流標(biāo)準(zhǔn)型與服務(wù)器內(nèi)存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu)，報(bào)價(jià)預(yù)期沒有明顯變動(dòng)。整體而言，第三季利基型內(nèi)存價(jià)格走勢預(yù)估將持平?！ DR3具成本優(yōu)勢，短期仍為利基型記內(nèi)存主流 就產(chǎn)品應(yīng)用種類觀察，首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺。不過
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3
3d x-dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d x-dram電路
3d x-dram相關(guān)帖子
3d x-dram資料下載
3d x-dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473