3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)
存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價 明年Q1價格仍有望居高不下
- DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應(yīng)用端，尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下調(diào)壓力。 調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃，都為未來DRAM市場投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺
- 臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認(rèn)為，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預(yù)期，DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。 威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動云端基礎(chǔ)設(shè)備及服務(wù)規(guī)模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。 只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進(jìn)行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。 創(chuàng)見預(yù)期，第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應(yīng)求，產(chǎn)品價格也將維持高檔。 威剛更指出，韓系DRAM大廠已預(yù)告明年第1
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DRAM核心設(shè)計的新舊存取技術(shù)差異
- 本文討論不同的存取技術(shù)對于DRAM在進(jìn)行實體設(shè)計時所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位… 不同的存取技術(shù)對于動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)在進(jìn)行實體設(shè)計時將發(fā)生什么改變?當(dāng)動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數(shù)據(jù)端點后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數(shù)據(jù)端點也就是位元線(BL)，用于傳遞數(shù)據(jù)值。 陣列結(jié)
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0.7納秒！相變存儲器速度新極限
- 隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲部件，即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設(shè)備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。 近日，美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
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蘋果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，6日公告10月合并營收月增9.2%達(dá)新臺幣50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預(yù)估華邦電營收將介于新臺幣4
- 關(guān)鍵字： 蘋果 DRAM
三星擴(kuò)產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限，加上20納米以下先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換難度提高，DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看，智慧型手機(jī)搭載容量快速增加，物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的需求亦進(jìn)入倍數(shù)成長階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過1倍。 以4GBDDR4模組合約價來看，去年第3季平均價格僅13美元，但今年第4季價格已大漲至30.5美元，不僅價格已連續(xù)6季度調(diào)漲，累計漲幅亦超過1.3倍。想當(dāng)然爾，DRAM價格大漲也明顯
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蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達(dá)50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預(yù)估華邦電營收將介于43～4
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機(jī)
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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DRAM風(fēng)云錄，國產(chǎn)廠商也要入局
- 三星、SK海力士和鎂光，這三家大佬目前占據(jù)了市場上95%的份額，現(xiàn)在國產(chǎn)存儲研發(fā)成功，但是良率能否提升、量產(chǎn)能否實現(xiàn)，也仍然存在較大不確定性，從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷售需要長達(dá)幾年時間。
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DRAM供不應(yīng)求短期難解 三星計劃下季再調(diào)漲報價3~5%
- DRAM供不應(yīng)求短期難解，全球DRAM制造龍頭韓國三星半導(dǎo)體通知渠道商，計劃明年第1季再調(diào)漲DRAM報價，漲幅3~5%，其中以行動式DRAM漲幅較大，這也說明三星在采取節(jié)制性增產(chǎn)下，仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利，推升集團(tuán)獲利表現(xiàn)，有助破除讓近期市場擔(dān)心三星可能會擴(kuò)產(chǎn)，打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。 中國臺灣地區(qū)DRAM大廠也強(qiáng)調(diào)，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級制程作為提高DRAM產(chǎn)出的主要方向，預(yù)料即使三星調(diào)升部分產(chǎn)線，增加的DRAM產(chǎn)出仍無法滿足市場需求，預(yù)料明年DRAM還
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從Gartner預(yù)測全球半導(dǎo)體市場強(qiáng)增長看行業(yè)投資線索
- 知名信息技術(shù)研究和分析公司Gartner發(fā)布預(yù)測，2017年全球半導(dǎo)體市場總營收將達(dá)到4111億美元，較2016年增長19.7%。這是繼2010年從金融危機(jī)中復(fù)蘇且全球半導(dǎo)體營收增加31.8%之后，增長最為強(qiáng)勁的一次。根據(jù)Gartner統(tǒng)計及預(yù)測，全球半導(dǎo)體市場總營收在2014年~2016年的這3年間，規(guī)模在3400億美元左右。但2017年因為內(nèi)存價格逐季大漲，帶動半導(dǎo)體市場出現(xiàn)強(qiáng)勁增長，這也是半導(dǎo)體市場年度總營收首度超過4000億美元大關(guān)。 Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示，以
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