3d-mems 文章進(jìn)入3d-mems技術(shù)社區(qū)

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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創(chuàng)新的60 GHz雷達(dá)傳感器，實(shí)現(xiàn)非接觸式監(jiān)測(cè)心跳和呼吸頻率等生命體征

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，使用雷達(dá)傳感器監(jiān)測(cè)生命體征的研究已經(jīng)進(jìn)行了幾十年。該技術(shù)能夠?qū)π奶秃粑l率進(jìn)行持續(xù)的非接觸式監(jiān)測(cè)，并具有低功耗和小PCB尺寸的優(yōu)勢(shì)。憑借創(chuàng)新的60 GHz雷達(dá)傳感器，其在消費(fèi)電子產(chǎn)品中的應(yīng)用正在成為現(xiàn)實(shí)。在老齡化社會(huì)中，健康監(jiān)測(cè)將發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。健康問(wèn)題最好能在早期階段被發(fā)現(xiàn)，從而避免住院或至少盡可能縮短住院時(shí)間。人們希望在自己熟悉的環(huán)境中過(guò)著自主和獨(dú)立的生活，直到晚年。此外，年輕人對(duì)更加個(gè)性化和自主的醫(yī)療服務(wù)感興趣。通過(guò)隨時(shí)監(jiān)測(cè)健康狀態(tài)，人們有可能在早期發(fā)現(xiàn)疾病和精神壓力并采取
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)

近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅(qū)動(dòng)3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)，這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點(diǎn)，是否會(huì)向其他同類產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布，努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng)，包含大量運(yùn)用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來(lái)自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開(kāi)發(fā)商的內(nèi)容支持。
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芯片溫度檢測(cè)，什么方法最有效？

下面幾種測(cè)溫方法，都不能完全適用于芯片各環(huán)節(jié)的溫度檢測(cè)，那么，如何才能實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)高效測(cè)溫？芯片溫度檢測(cè)，你都知道哪些方法？● 使用熱電偶測(cè)量（接觸式測(cè)溫，易產(chǎn)生誤差）● 參照經(jīng)典的結(jié)溫方程（TJ = TA + PD?JA ）計(jì)算溫度（相對(duì)保守，與實(shí)際溫度差別較大）● 利用二極管作為溫度傳感器來(lái)檢測(cè)（只適用于某些特定情況）紅外熱像儀是一種非接觸的測(cè)溫儀器，可以通過(guò)對(duì)物體表面的熱（溫度）進(jìn)行分布成像與分析，直接“看見(jiàn)”芯片的溫度分布。芯片熱
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如何構(gòu)建基于MEMS的解決方案用于狀態(tài)監(jiān)測(cè)中的振動(dòng)檢測(cè)

狀態(tài)監(jiān)測(cè)是當(dāng)今使用機(jī)械設(shè)施和技術(shù)系統(tǒng)（例如使用電機(jī)、發(fā)電機(jī)和齒輪）的核心挑戰(zhàn)之一。計(jì)劃維護(hù)對(duì)于最大限度地降低生產(chǎn)停機(jī)風(fēng)險(xiǎn)變得越來(lái)越重要，不僅在工業(yè)領(lǐng)域，而且在使用機(jī)器的任何地方。除此之外，還分析了機(jī)器的振動(dòng)模式。狀態(tài)監(jiān)測(cè)是當(dāng)今使用機(jī)械設(shè)施和技術(shù)系統(tǒng)（例如使用電機(jī)、發(fā)電機(jī)和齒輪）的核心挑戰(zhàn)之一。計(jì)劃維護(hù)對(duì)于最大限度地降低生產(chǎn)停機(jī)風(fēng)險(xiǎn)變得越來(lái)越重要，不僅在工業(yè)領(lǐng)域，而且在使用機(jī)器的任何地方。除此之外，還分析了機(jī)器的振動(dòng)模式。齒輪箱引起的振動(dòng)通常在頻域中被感知為軸速度的倍數(shù)。不同頻率的不規(guī)則性表明零件磨損、不平
關(guān)鍵字： MEMS

意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果：適用于機(jī)器視覺(jué)和機(jī)器人的3D 立體視覺(jué)攝像頭

雙方將通過(guò)立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺(jué)， *AIoT 、AGV小車和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測(cè)和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國(guó)----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專
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松下汽車類6軸單芯片MEMS慣性傳感器，提高車載系統(tǒng)的安全性和舒適性

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，在當(dāng)下的“萬(wàn)物電氣化（electrification of everything）”時(shí)代，傳感器已成為一個(gè)必不可少的先決條件：汽車、巴士、摩托車、無(wú)人送貨車、建筑機(jī)械和許多其它車輛配備越來(lái)越多的傳感器，以實(shí)現(xiàn)安全且舒適的輔助駕駛/自動(dòng)駕駛。全面的感知能力對(duì)于支持運(yùn)動(dòng)檢測(cè)、定位、導(dǎo)航、數(shù)據(jù)融合等許多用途至關(guān)重要。為此，松下機(jī)電（Panasonic Industry）開(kāi)發(fā)出汽車類6軸MEMS慣性傳感器系列，即MEMS慣性測(cè)量單元（IMU），該系列產(chǎn)品通過(guò)單芯片解決方案面向車載領(lǐng)域的功能安全（
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基于硅納米波導(dǎo)倏逝場(chǎng)耦合的超緊湊光學(xué)式MEMS加速度計(jì)

近些年，MEMS加速度計(jì)因其體積小、功耗低、易于與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管集成電路（CMOS IC）整合而受到持續(xù)關(guān)注。目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)了電容、壓阻、壓電、光學(xué)等原理的加速度計(jì)，以檢測(cè)輸入加速度引起的檢測(cè)質(zhì)量塊位移。在這些技術(shù)中，光學(xué)方案已被證明具有更高的精度和穩(wěn)定性，并且不會(huì)受到電磁干擾（EMI）。近些年，MEMS加速度計(jì)因其體積小、功耗低、易于與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管集成電路（CMOS IC）整合而受到持續(xù)關(guān)注。目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)了電容、壓阻、壓電、光學(xué)等原理的加速度計(jì)，以檢測(cè)輸入加速度引起的檢測(cè)質(zhì)量塊位
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如何達(dá)到3D位置感測(cè)的實(shí)時(shí)控制

本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識(shí)，并描述在機(jī)器人、篡改偵測(cè)、人機(jī)接口控制和萬(wàn)向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測(cè)在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加，從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng)，到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇；它們具有高重復(fù)性和可靠性，還可以與窗戶、門和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測(cè)。盡管如此，使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測(cè)系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)?；魻栃?yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器（MCU）介接，以
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微流控電阻抗檢測(cè)系統(tǒng)，用于細(xì)胞無(wú)標(biāo)記即時(shí)檢測(cè)

基于電阻抗的細(xì)胞分析是一種無(wú)標(biāo)記、非侵入性技術(shù)，已廣泛用于分析和識(shí)別各種應(yīng)用中的細(xì)胞特征，如組織培養(yǎng)、細(xì)胞生長(zhǎng)及活力檢測(cè)等。微流控技術(shù)能夠?qū)⑸婕皹悠分苽洹⒉僮骱突谧杩箼z測(cè)的分析過(guò)程集成到單片芯片上，最大限度地減少系統(tǒng)尺寸、重量。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的研究人員于《功能材料與器件學(xué)報(bào)》發(fā)表論文，搭建了一種簡(jiǎn)便的微流控電阻抗檢測(cè)系統(tǒng)，可根據(jù)電學(xué)差異對(duì)體積相近的不同微粒進(jìn)行區(qū)分，具有成本低、易集成、非標(biāo)記等優(yōu)勢(shì)，未來(lái)可進(jìn)一步用于現(xiàn)場(chǎng)細(xì)胞即時(shí)檢測(cè)。微流控芯片的設(shè)計(jì)與制作采用
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