3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區(qū)
新思科技已支援全球9成FinFET設(shè)計(jì)量產(chǎn)
- 新思科技(Synopsys)宣布，Galaxy Design Platform已支援全球9成的FinFET晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片，目前已有超過20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)，成功完成超過100件FinFET投片。 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電子(Global Unichip Corporation)、海思半導(dǎo)體(H
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Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢(shì)
- 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)，成功完成超過100件FinFET投片。 包括格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子(Samsung)等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電
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聯(lián)電14納米 下季試產(chǎn)
- 聯(lián)電積極擴(kuò)充28奈米產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今年中月產(chǎn)能可達(dá)2萬片，28奈米毛利率將達(dá)平均水準(zhǔn)。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)第2季進(jìn)行第2代14奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶產(chǎn)品陸續(xù)完成設(shè)計(jì)定案(tape out)，明年將開始拉升產(chǎn)能進(jìn)入量產(chǎn)階段。 聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶晶片進(jìn)入量產(chǎn)，并有逾10家客戶完成設(shè)計(jì)定案并展開試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴(kuò)
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Cadence與海思在FinFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域擴(kuò)大合作
- 益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，已與通訊網(wǎng)路與數(shù)位媒體晶片組供應(yīng)商海思半導(dǎo)體(HiSilicon Technologies)已經(jīng)簽署合作協(xié)議，將于16奈米 FinFET 設(shè)計(jì)領(lǐng)域大幅擴(kuò)增采用Cadence 數(shù)位與客制/類比流程，并于10奈米和7奈米制程的設(shè)計(jì)流程上密切合作。 海思半導(dǎo)體也廣泛使用Cadence數(shù)位和客制/類比驗(yàn)證解決方案，并且已經(jīng)取得Cadence DDR IP與Cadence 3D-IC 解決方案授權(quán)，將于矽中介層基底(silicon interp
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三星擬以14納米FinFET制程 守住蘋果、進(jìn)攻臺(tái)積電
- 三星電子(Samsung Electronics)在稍早傳出開始量產(chǎn)采用14納米FinFET制程技術(shù)的A9芯片，這對(duì)于三星來說，在搶佔(zhàn)先進(jìn)微細(xì)制程市場(chǎng)以及與蘋果(Apple)合作關(guān)系上，可以說是一箭雙雕。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，三星美國奧斯汀廠傳出已經(jīng)開始量產(chǎn)采用14納米FinFET技術(shù)的蘋果A9。雖然美國奧斯汀廠以及韓國器興廠均擁有FinFET制程的產(chǎn)線，但由于為量產(chǎn)的第一階段，因此先由奧斯汀廠打頭陣。 此外分析指出，由于顧及次世代芯片性能資安以及供應(yīng)等問題，奧斯汀廠是在蘋果的要求下首先
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AMD無望于2015年推出16nm FinFET芯片
- 時(shí)間一晃又到了2014年的12月份，在辛苦工作了一年之后，大家都在等待著合家團(tuán)圓，而IT行業(yè)也在醞釀著新的一年的改變。最新的消息是，AMD公司的“RedTeam”披露了其明年的APU和GPU規(guī)劃，其中最引人注意的，自然是制程工藝的轉(zhuǎn)變。然而外媒也指出，AMD的16納米FinFET設(shè)計(jì)在2015年登陸主流市場(chǎng)并無望。 AMD首席技術(shù)官M(fèi)arkPapermaster表示：“我公司的FinFET設(shè)計(jì)已經(jīng)起步，但我們并不會(huì)是任何前沿技術(shù)的首個(gè)使用者”。換言
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臺(tái)積16納米試產(chǎn)海思處理器明年7月量產(chǎn)
- 臺(tái)積電昨(12)日宣布，完成16納米主流制程FinFET+(鰭式場(chǎng)效晶體管強(qiáng)化版)全球首顆網(wǎng)通芯片及手機(jī)應(yīng)用處理器試產(chǎn)，預(yù)定本月完成所有可靠性試驗(yàn)，明年7月正式量產(chǎn)。 這是臺(tái)積電拓展先進(jìn)制程一大里程碑。業(yè)界認(rèn)為，正值三星再度與臺(tái)積電爭(zhēng)奪蘋果下世代A9處理器訂單之際，臺(tái)積電16納米FinFET+技術(shù)到位后，將進(jìn)一步拉大與三星差距，對(duì)臺(tái)積電而言，A9訂單「有如探囊取物」，最快明年夏天開始投產(chǎn)A9芯片。 臺(tái)積電昨天不對(duì)單一客戶導(dǎo)入16納米制程狀況置評(píng)，強(qiáng)調(diào)明年底前，估計(jì)將完成近60件產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案
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14/16納米FinFET制程
- 行動(dòng)裝置如智慧型手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)于半導(dǎo)體晶片的需求走到超低功耗，制程技術(shù)從28奈米制程，到20奈米制程，將于2015年進(jìn)入第一代3D設(shè)計(jì)架構(gòu)的FinFET制程，也就是14/16奈米世代。 臺(tái)積電2015年下半即將量產(chǎn)16奈米世代，英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries將是14奈米制程世代，英特爾早一些量產(chǎn)，之后是三星，GlobalFoundries制程技術(shù)將屬于三星陣營。 臺(tái)積電因?yàn)闉榇罂蛻籼O果生產(chǎn)20奈米制程晶片，因此16奈
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Cadence IP組合和工具支持臺(tái)積電新的超低功耗平臺(tái)
- 全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布其豐富的IP組合與數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)工具可支持臺(tái)積電全新的超低功耗(ULP)技術(shù)平臺(tái)。該ULP平臺(tái)涵蓋了提供多種省電方式的多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，以利于最新的移動(dòng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的低功耗需求。 為加速臺(tái)積電超低功耗平臺(tái)的技術(shù)發(fā)展，Cadence將包括存儲(chǔ)器、接口及模擬功能的設(shè)計(jì)IP遷移到此平臺(tái)。使用Cadence TensilicaÒ數(shù)據(jù)平面處理器，客戶可以從超低功耗平臺(tái)受益于各種低功耗DSP應(yīng)用，包括影像、永遠(yuǎn)在線的語音、面部識(shí)
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Cadence為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合
- 全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。 Cadence所提供的豐富IP組合能使系統(tǒng)和芯片公司在16納米FF+的先進(jìn)制程上相比于16納米FF工藝，獲得同等功耗下15%的速度提升、或者同等速度下30%的功耗節(jié)約。 目前在開發(fā)16 FF+工藝的過程中，Cadence的IP產(chǎn)品組合包括了在開發(fā)先進(jìn)制程系統(tǒng)單芯片中所需的多種高速協(xié)議，其中包括關(guān)鍵的內(nèi)存、存儲(chǔ)和高速互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)。IP將在2014年第四季度初通過測(cè)試芯片測(cè)試。有關(guān)IP
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Cadence數(shù)字與定制/模擬工具通過臺(tái)積電16FF+制程的認(rèn)證，并與臺(tái)積電合作開發(fā)10納米FinFET工藝
- 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布，其數(shù)字和定制/模擬分析工具已通過臺(tái)積電公司16FF+制程的V0.9設(shè)計(jì)參考手冊(cè)(Design Rule Manual，DRM) 與SPICE認(rèn)證，相比于原16納米FinFET制程，可以使系統(tǒng)和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。目前16FF+ V1.0認(rèn)證正在進(jìn)行中，計(jì)劃于2014年11月實(shí)現(xiàn)。Cadence也和臺(tái)積電合作實(shí)施了16FF+ 制程定制設(shè)計(jì)參考流程的多處改進(jìn)。此外，Cadence也
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臺(tái)積電采用Cadence的16納米FinFET單元庫特性分析解決方案
- 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司，今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence®16納米FinFET單元庫特性分析解決方案。由Cadence和臺(tái)積電共同研發(fā)的單元庫分析工具設(shè)置已在臺(tái)積電網(wǎng)站上線，臺(tái)積電客戶可以直接下載。該設(shè)置是以Cadence Virtuoso® Liberate® 特性分析解決方案和Spectre® 電路模擬器為基礎(chǔ)，并涵蓋了臺(tái)積電標(biāo)準(zhǔn)單元的環(huán)境設(shè)置和樣品模板。 利用本地的Spectre API整合方案，Liberate和Spect
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FinFET/3D IC引爆半導(dǎo)體業(yè)投資熱潮
- 鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)及三維積體電路(3DIC)引爆半導(dǎo)體業(yè)投資熱潮。行動(dòng)裝置與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場(chǎng)快速成長，不僅加速半導(dǎo)體制程技術(shù)創(chuàng)新，晶圓廠、設(shè)備廠等業(yè)者亦加足馬力轉(zhuǎn)往3D架構(gòu)及FinFET制程邁進(jìn)，掀動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龐大的設(shè)備與材料投資風(fēng)潮。 應(yīng)用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，3DIC及FinFET制程將持續(xù)引爆半導(dǎo)體業(yè)的投資熱潮，亦促使創(chuàng)新的設(shè)備材料陸續(xù)問世。 應(yīng)用材料(AppliedMaterials)集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，隨著行動(dòng)裝置的功能推陳出新，及聯(lián)
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應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進(jìn)離子注入系統(tǒng)
- 應(yīng)用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備，該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點(diǎn)的FinFET和3D NAND制程而開發(fā)，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實(shí)現(xiàn)器件性能優(yōu)化，降低可變性，提高良率，是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。 VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準(zhǔn)確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶實(shí)現(xiàn)制程的可重復(fù)性，優(yōu)化器件性
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整體16/14納米FinFET設(shè)備訂單恐延一季
- Needham & Co.半導(dǎo)體設(shè)備分析師Edwin Mok 27日針對(duì)晶圓代工領(lǐng)域提出了透徹分析，認(rèn)為相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備訂單有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)訂單卻將遞延一季。 barron`s.com報(bào)導(dǎo)，Mok發(fā)表研究報(bào)告指出，據(jù)了解晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠的20奈米制程產(chǎn)能，而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠的設(shè)備，這似乎支持了近來傳出的高通(Qualco
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3nm finfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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