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3nm finfet
3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區(qū)
格芯針對(duì)人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案
- 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計(jì)廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲(chǔ)器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計(jì)服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： 格芯 人工智慧應(yīng)用 12LP+ FinFET
三星明年完成3nm GAA工藝開(kāi)發(fā) 性能大漲35%
- 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開(kāi)發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì)比臺(tái)積電要晚一些，導(dǎo)致臺(tái)積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過(guò)三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來(lái)的3nm工藝上，預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
- 關(guān)鍵字： CPU處理器，3nm
臺(tái)積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶參與
- 如今在半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來(lái)，3nm也不遠(yuǎn)了。臺(tái)積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì)議上透露，臺(tái)積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來(lái)，與臺(tái)積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來(lái)進(jìn)一步深化臺(tái)積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺(tái)積電也沒(méi)有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié)，以及性能、功耗指標(biāo)，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說(shuō)3nm將是一個(gè)全新的工藝節(jié)點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。臺(tái)積電只是說(shuō)，已經(jīng)評(píng)估了3n
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 3nm
Mentor 擴(kuò)展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)
- Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認(rèn)證。此外，Mentor 還繼續(xù)擴(kuò)展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產(chǎn)品的功能，以支持 TSMC 的高級(jí)封裝產(chǎn)品?！ SMC 設(shè)
- 關(guān)鍵字： Mentor FinFET
格芯擴(kuò)展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實(shí)現(xiàn)未來(lái)智能系統(tǒng)
- 格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨(dú)一無(wú)二的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上，繼在300mm平臺(tái)上面向下一代移動(dòng)應(yīng)用推出8SW RF SOI客戶端芯片后，格芯宣布計(jì)劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強(qiáng)差異化投資的全新側(cè)重點(diǎn)之一，功能豐富的半導(dǎo)體平臺(tái)為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能和可擴(kuò)展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛汽車(chē))應(yīng)用提供更好的可擴(kuò)展性和性
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm
- 5月28日，三星電子在位于美國(guó)的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！ ?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會(huì)分為 LPE 和 LPP 兩代，不過(guò) 7nm 算是個(gè)例外，沒(méi)有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?！ ∪潜硎?，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
- 關(guān)鍵字： 三星 芯片 3nm
GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節(jié)點(diǎn)基礎(chǔ)上，向外擴(kuò)展應(yīng)用領(lǐng)域
- 自從28納米制程節(jié)點(diǎn)向下轉(zhuǎn)進(jìn)以來(lái)，就剩下四大晶圓代工廠商持續(xù)鞏固先進(jìn)制程：臺(tái)積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉(zhuǎn)進(jìn)16/14納米先進(jìn)制程過(guò)程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權(quán)，更成功將該節(jié)點(diǎn)制程落實(shí)在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說(shuō)是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達(dá)到良率開(kāi)出順利，并且改善制程足以提供更明
- 關(guān)鍵字： GF FinFET
FinFET對(duì)動(dòng)態(tài)功耗的影響
- 現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng)紀(jì)錄的速度實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定，因?yàn)榕c平面器件相
- 關(guān)鍵字： FinFET 動(dòng)態(tài)功耗
3nm finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3nm finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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