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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm finfet

          基于SOI和體硅的FinFET對比研究

          • 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)外觀的發(fā)展,一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維(3D)FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對于平面晶體管,F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制,因此,降低短通道效應(yīng)。當(dāng)平面晶體管的柵極在溝道之上,F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道,從雙向提供靜電控制。
          • 關(guān)鍵字: SOI  體硅  FinFET  

          英特爾Finfet晶體管架構(gòu)未到瓜熟蒂落時(shí)

          •   自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu),吸引了眾人的注意之后,臺積電,GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時(shí)間內(nèi)(至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí))仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結(jié)構(gòu)的技術(shù)。他們給出的理由是,Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產(chǎn)品,因此Intel方面要實(shí)現(xiàn)到Finfet的晶體管架構(gòu)升遷時(shí),在芯片設(shè)計(jì)與制造方面需要作出的改動(dòng)相對較小,而芯片代工商則情況 完全不同。
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  Finfet  
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