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3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電3nm供不應(yīng)求引漲價(jià)潮！NVIDIA、AMD、蘋(píng)果等都要漲價(jià)
- 6月16日消息，據(jù)媒體報(bào)道，隨著臺(tái)積電3納米供不應(yīng)求，預(yù)期臺(tái)積電3納米訂單滿(mǎn)至2026年，NVIDIA、蘋(píng)果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價(jià)格。在AI服務(wù)器、HPC應(yīng)用與高階智能手機(jī)AI化驅(qū)動(dòng)下，蘋(píng)果、高通、英偉達(dá)、AMD等四大廠傳大舉包下臺(tái)積電3納米家族制程產(chǎn)能，并涌現(xiàn)客戶(hù)排隊(duì)潮，一路排到2026年。業(yè)界認(rèn)為，在客戶(hù)搶著預(yù)訂產(chǎn)能下，臺(tái)積3納米家族產(chǎn)能持續(xù)吃緊，將成為近二年常態(tài)。由于供不應(yīng)求的局面，臺(tái)積電正在考慮將部分5納米設(shè)備轉(zhuǎn)換為支持3納米產(chǎn)能，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能有望提升至12萬(wàn)片至18萬(wàn)片。盡管臺(tái)積電
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Arm發(fā)布基于3nm芯片工藝的新CPU、GPU IP
- 芯片設(shè)計(jì)公司Arm今日發(fā)布了針對(duì)旗艦智能手機(jī)的新一代CPU和GPU IP（設(shè)計(jì)方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產(chǎn)品均使用了其最新的Armv9架構(gòu)，基于臺(tái)積電3nm制程工藝方案，針對(duì)終端設(shè)備在AI應(yīng)用上的性能進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。此外還將提供軟件工具，讓開(kāi)發(fā)人員更容易在采用Arm架構(gòu)的芯片上運(yùn)行生成式AI聊天機(jī)器人和其他AI代碼。預(yù)計(jì)搭載最新內(nèi)核設(shè)計(jì)的手機(jī)將于2024年底上市。據(jù)官方介紹，新的CPU與GPU IP是目前旗下同類(lèi)產(chǎn)品中性能最強(qiáng)的一代，新CPU性能提升3
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爆料稱(chēng)英偉達(dá)首款 AI PC 處理器將基于英特爾 3nm 工藝，RTX 50 同款 GPU 架構(gòu)
- IT之家 5 月 27 日消息，X 平臺(tái)消息人士 Kepler (@Kepler_L2) 近日爆料，表示英偉達(dá)有望于明年推出的首款 AI PC 處理器將采用英特爾“3nm”制程。@Kepler_L2 是在回應(yīng)另一位消息人士 AGF (@XpeaGPU) 的 X 文時(shí)發(fā)表這一看法的：@XpeaGPU 認(rèn)為英偉達(dá)的 WoA SoC 將搭載 Arm Coretex-X5 架構(gòu) CPU 內(nèi)核、英偉達(dá) Blackwell 架構(gòu) GPU，封裝下一代 LPDDR6 內(nèi)存，并基于臺(tái)積電 N3P 制程。
- 關(guān)鍵字： 英特爾 AI PC 3nm
臺(tái)積電 2024 年新建七座工廠，3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足
- IT之家 5 月 24 日消息，臺(tái)積電高管黃遠(yuǎn)國(guó)昨日在 2024 年臺(tái)積電技術(shù)論壇新竹場(chǎng)表示，該企業(yè)將在今年新建七座工廠，而今年的 3nm 產(chǎn)能將達(dá)到去年的四倍。具體而言，臺(tái)積電 2024 年將在全球建設(shè) 5 座晶圓廠和 2 座先進(jìn)封裝廠。臺(tái)積電位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圓廠均面向 2nm 制程，目前都處于設(shè)備進(jìn)駐階段，預(yù)計(jì) 2025 年陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)。IT之家早前報(bào)道中也提到，臺(tái)積電已確認(rèn)其歐洲子公司 ESMC 位于德國(guó)德累斯頓的首座晶圓廠將于今年四季度動(dòng)工，預(yù)估 202
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良率不及臺(tái)積電4成！三星2代3nm制程爭(zhēng)奪英偉達(dá)訂單失敗
- 全球半導(dǎo)體大廠韓國(guó)三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過(guò)據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺(tái)積電N3B制程良率接近55%，還不及臺(tái)積電良率的4成，使得三星在爭(zhēng)奪英偉達(dá)（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱(chēng)，三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力，才有可能與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，留住大客戶(hù)的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報(bào)導(dǎo)說(shuō)，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設(shè)計(jì)定案（tape out）。外界認(rèn)為，該芯
- 關(guān)鍵字： 良率 臺(tái)積電 三星 3nm 英偉達(dá)
臺(tái)積電 3nm 工藝步入正軌，2024 下半年將如期投產(chǎn) N3P 節(jié)點(diǎn)
- IT之家 5 月 17 日消息，臺(tái)積電近日舉辦技術(shù)研討會(huì)，表示其 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)已步入正軌，N3P 節(jié)點(diǎn)將于 2024 年下半年投入量產(chǎn)。N3P 基于 N3E 工藝節(jié)點(diǎn)，進(jìn)一步提高能效和晶體管密度。臺(tái)積電表示 N3E 節(jié)點(diǎn)良率進(jìn)一步提高，已經(jīng)媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢(xún)相關(guān)報(bào)道，臺(tái)積電高管表示 N3P 工藝目前已經(jīng)完成質(zhì)量驗(yàn)證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學(xué)微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設(shè)計(jì)規(guī)則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺(tái)積電表示整個(gè)過(guò)渡過(guò)程非常順利。N
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瞄準(zhǔn)AI需求：臺(tái)積電在美第二座晶圓廠制程升級(jí)至2nm
- 最新消息，臺(tái)積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計(jì)劃的3nm升級(jí)為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺(tái)積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對(duì)于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計(jì)劃的3nm提升到2nm，臺(tái)積電CEO魏哲家在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上也作出了回應(yīng)，他表示是為了支持AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求。在OpenAI訓(xùn)練
- 關(guān)鍵字： AI 臺(tái)積電 晶圓 制程 2nm 3nm
Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
- 這款測(cè)試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專(zhuān)用測(cè)試芯片通過(guò)加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類(lèi)最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，堅(jiān)定客戶(hù)對(duì)Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號(hào)IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國(guó)格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號(hào)、處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計(jì)的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報(bào)道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，原計(jì)劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過(guò)程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷，導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報(bào)道詳細(xì)指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問(wèn)題，未能通過(guò)三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測(cè)。這不僅影響了Galaxy S25系列手機(jī)的生產(chǎn)計(jì)劃，還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無(wú)法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計(jì)劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu)，升級(jí)之處在于將采用全新的
- 關(guān)鍵字： 三星 Exynos 芯片 3nm GAA
晶體管進(jìn)入納米片時(shí)代
- 3D 芯片堆疊對(duì)于補(bǔ)充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。
- 關(guān)鍵字： FinFET
消息稱(chēng)三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問(wèn)號(hào)
- 2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報(bào)道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測(cè)試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無(wú)法量產(chǎn)。此前報(bào)道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
特斯拉明年將采用臺(tái)積電3nm芯片
- 據(jù)外媒，除了傳統(tǒng)客戶(hù)聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾、高通外，特斯拉也已確認(rèn)參與臺(tái)積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計(jì)定案（New Tape-Outs，NTOs）。報(bào)道稱(chēng)，特斯拉成為臺(tái)積電N3P的客戶(hù)也表明，其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動(dòng)駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解，臺(tái)積電N3P工藝計(jì)劃預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn)，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺(tái)積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo)，以及技術(shù)成熟度，都超過(guò)了英特爾的18A工藝。
- 關(guān)鍵字： 特斯拉 臺(tái)積電 3nm 自動(dòng)駕駛
天璣9400繼續(xù)采用全大核架構(gòu) 外加N3E工藝加持
- 11月6日，聯(lián)發(fā)科發(fā)布的新一代的旗艦平臺(tái)天璣9300處理器大膽創(chuàng)新，取消了低功耗核心簇，轉(zhuǎn)而采用“全大核”架構(gòu)，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達(dá)3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱(chēng)這款芯片存在過(guò)熱問(wèn)題，但聯(lián)發(fā)科予以否認(rèn)并聲稱(chēng)其性能表現(xiàn)出色。近期有爆料稱(chēng)聯(lián)發(fā)科并沒(méi)有因天璣9300的爭(zhēng)議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續(xù)采用“全大核”架構(gòu)。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺(tái)積電的N3E制程工藝 ——&nbs
- 關(guān)鍵字： 天璣 架構(gòu) N3E 聯(lián)發(fā)科 3nm 芯片
消息稱(chēng)高通、聯(lián)發(fā)科明年導(dǎo)入 3nm，預(yù)估臺(tái)積電 2024 年底月產(chǎn)能可達(dá) 10 萬(wàn)片
- IT之家 11 月 22 日消息，臺(tái)積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個(gè)客戶(hù)在用，那就是蘋(píng)果。根據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》的消息，目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬(wàn)美元（IT之家備注：當(dāng)前約 14.3 萬(wàn)元人民幣） ，而良率為 55%，所以目前只有蘋(píng)果一家愿意且有能力支付，而且蘋(píng)果目前也預(yù)訂了臺(tái)積電今年大部分 3nm 產(chǎn)能。隨著 3nm 代工產(chǎn)能拉升，臺(tái)積電 3nm 產(chǎn)能今年底有望達(dá)到 6～7 萬(wàn)片，全年?duì)I收占比有望突破 5％，明年更有機(jī)會(huì)達(dá)到 1 成。據(jù)稱(chēng)，在英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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