3nm finfet 文章 進(jìn)入3nm finfet技術(shù)社區(qū)
格羅方德12LP+ FinFET解決方案針對(duì)AI進(jìn)行優(yōu)化
- 半導(dǎo)體代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進(jìn)的FinFET解決方案「12LP+」已通過技術(shù)驗(yàn)證，目前準(zhǔn)備投入生產(chǎn)。 格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對(duì)AI訓(xùn)練以及推論應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。本解決方案建立于驗(yàn)證過的平臺(tái)上，具有強(qiáng)大的制造生態(tài)系統(tǒng)，可為芯片設(shè)計(jì)師帶來高效能的開發(fā)體驗(yàn)，及快速的上市時(shí)間。 為達(dá)到性能、功耗和面積的組合，12LP+導(dǎo)入了若干新功能，包含更新后的標(biāo)準(zhǔn)組件庫、用于2.5D封裝的中介板，與一個(gè)低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與內(nèi)
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Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？
- Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲(chǔ)備，Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。在近日的國際超大規(guī)模集成電路會(huì)議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結(jié)構(gòu)研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場效應(yīng)管納米片結(jié)構(gòu)，乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺(tái)積電16nm、三星14nm工藝節(jié)點(diǎn)上引入的，仍在持續(xù)推進(jìn)，而接下來最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，重新設(shè)計(jì)晶體管底層
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外媒稱臺(tái)積電已開始安裝3nm生產(chǎn)線 早于此前預(yù)期
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，在5nm工藝順利量產(chǎn)之后，芯片代工商臺(tái)積電在工藝量產(chǎn)及研發(fā)方面的重點(diǎn)，已經(jīng)放在了更先進(jìn)的3nm和2nm上。5nm之后就將投入量產(chǎn)的3nm工藝方面，臺(tái)積電是計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年上半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。在3nm生產(chǎn)線方面，外媒在今年3月底的報(bào)道中，是表示臺(tái)積電在今年10月份就會(huì)開始安裝相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)備。而在最新的報(bào)道中，出現(xiàn)了臺(tái)積電已提前開始安裝3nm生產(chǎn)線的消息。外媒在報(bào)道中表示，臺(tái)積電已經(jīng)開始安裝3nm生產(chǎn)線及相關(guān)的設(shè)施，正在按進(jìn)度推進(jìn)。包括創(chuàng)始人張忠謀、現(xiàn)任CEO魏哲家在內(nèi)的
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臺(tái)積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)
- 盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)因?yàn)橐咔閷?dǎo)致下滑,但臺(tái)積電的業(yè)績不降反升,掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶青睞。今天的財(cái)報(bào)會(huì)上,臺(tái)積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。臺(tái)積電原本計(jì)劃4月29日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過這個(gè)技術(shù)會(huì)議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財(cái)報(bào)會(huì)議上才首次對(duì)外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進(jìn)度。臺(tái)積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期,并沒有受到疫情影響,預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。在技術(shù)路線上,臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后
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外媒：臺(tái)積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產(chǎn)設(shè)備
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺(tái)積電，在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后，今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，外媒此前的報(bào)道顯示，臺(tái)積電今年4月份就將開始為相關(guān)客戶大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，臺(tái)積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報(bào)道中，外媒就提到了臺(tái)積電3nm工藝方面的消息，其表示今年10月份，臺(tái)積電就將開始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設(shè)備。3nm工藝是5nm之后，芯片制造工藝的一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。在2019年第四季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)
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面向3nm及以下工藝，ASML新一代EUV光刻機(jī)曝光
- 很快,臺(tái)積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺(tái)積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對(duì)于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實(shí)現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。很快,臺(tái)積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時(shí),臺(tái)積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對(duì)于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實(shí)現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機(jī)主要是NXE:340
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燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺(tái)的“邃思”芯片的人工智能訓(xùn)練解決方案云燧T10
- 在燧原科技（燧原）發(fā)布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對(duì)數(shù)據(jù)中心培訓(xùn)的高性能深度學(xué)習(xí)加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺(tái)及2.5D 封裝技術(shù)，為云端人工智能訓(xùn)練平臺(tái)提供高算力、高能效比的數(shù)據(jù)處理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP ?FinFET平臺(tái)擁有141億個(gè)晶體管，采用先進(jìn)的2.5D封裝技術(shù)，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯(lián)。支持CNN/RNN等各種網(wǎng)絡(luò)模型和豐富的數(shù)據(jù)類型
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Intel最新制程路線圖曝光：10nm+++得到證實(shí)、2029年上馬1.4nm
- 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方，而是荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下：在IEDM（IEEE國際電子設(shè)備會(huì)議上），有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖，14nm之后的節(jié)點(diǎn)一覽無余，甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時(shí)間順序來看——目前，10nm已經(jīng)投產(chǎn)，7nm處于開發(fā)階段，5nm處于技術(shù)指標(biāo)定義階段，3nm處于探索、先導(dǎo)階
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新思科技和臺(tái)積合作在其5納米 FinFET 強(qiáng)化版N5P制程技術(shù)上開發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合
- 臺(tái)積公司5奈米 FinFET 強(qiáng)化版（N5P）制程技術(shù)上開發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺(tái)積公司N5P工藝上開發(fā)的DesignWare基礎(chǔ)IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲(chǔ)器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器。STAR Memory System?采用針對(duì)5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復(fù)和診斷嵌入式存儲(chǔ)器新思科技（Synopsys, In
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格芯針對(duì)人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案
- 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計(jì)廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲(chǔ)器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計(jì)服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時(shí)間。
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三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%
- 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì)比臺(tái)積電要晚一些，導(dǎo)致臺(tái)積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺(tái)積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶參與
- 如今在半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠(yuǎn)了。臺(tái)積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì)議上透露，臺(tái)積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來，與臺(tái)積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來進(jìn)一步深化臺(tái)積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺(tái)積電也沒有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié)，以及性能、功耗指標(biāo)，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個(gè)全新的工藝節(jié)點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。臺(tái)積電只是說，已經(jīng)評(píng)估了3n
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3nm finfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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